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Volume 14, Issue 6, Jun 1993
Table of Content
CONTENTS
微多晶硅梁开关振荡器
孙曦庆, 李志坚, 费圭甫
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 331-336
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非晶硅太阳电池光照J—V曲线反常拐弯现象的研究
熊华, 廖显伯, 郑怀德, 李海峰, 刁宏伟
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 337-344
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低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
陈德勇, 朱龙德, 李晶, 熊飞克, 徐俊英, 万寿科, 梁骏吾
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 345-352
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正弦平方势和形变超晶格的沟道特征
邵明珠
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 353-360
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SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究
马晓翠, 闫大卫, 吴军, 王宗昌, 邹慧珠
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 361-367
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用硅化物作注入阻挡层形成浅结
鲍希茂, 严海, 茅保华
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 368-374
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CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究
苏毅, 谭淞生, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 375-380
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抑制SOS MOSFET漏电措施的研究
张兴, 石涌泉, 路泉, 黄敞
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 381-384
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发可见光多孔硅的电子顺磁共振研究
贾勇强, 傅济时, 毛晋昌, 吴恩, 张伯蕊, 张丽珠, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 385-389
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非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据
徐士杰, 江德生, 李国华, 张耀辉, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1993, 14(6): 390-394
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