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Volume 14, Issue 7, Jul 1993

    CONTENTS

  • 应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构

    黄和鸾, 张国英

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 395

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    本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。

  • 碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性

    齐鸣, 罗晋生, 白坚淳一, 山田巧, 野崎真次, 高桥清, 德光永辅, 小长井诚

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 402

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    本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。

  • In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析

    陈维德, 陈宗圭, 崔玉德

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 410

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    采用As元素作为内标对分子束外延生长In_xGa_(1-x)As进行定量俄歇分析。实验测定了元素相对灵敏度因子、基体修正因子和离子溅射修正因子,给出一个定量修正公式。检测结果与电子探针、X射线双晶衍射和手册灵敏度因子法等结果进行了比较。

  • 高压终端结构场分析边界元数值方法

    梁苏军, 罗晋生

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 416

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    本文从全新的角度出发,提出了在高压终端结构数值场分析中运用边界元的基本方法,并通过典型算例讨论了数值解的精度等基本特征。与差分和有限元方法相比,边界元具有精度高,方法简便,特别适用于高压等明显优点。

  • 一种半导体激光放大器输出耦合方式的研究

    刘雪峰, 黄德修, 李再光

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 423

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    本文从理论上对一种半导体激光放大器的输出耦合结构进行了分析。我们引入了厚透镜表面的Fresnel反射,厚透镜球差和有限孔径的影响以使计算结果更接近于实际情况,在此基础上得出的结论与实验数据基本吻合。理论和实验结果表明,在合理选择相关结构参数的前提下,这种输出耦合结构的耦合效率可达50%左右。

  • InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量

    刘永智, 余般枚, 边红

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 429

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    本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10~(-3)与±1×10~(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。

  • Co/Ti/Si三元固相反应形成自对准TiN/CoSi_2复合薄膜

    刘平, 李炳宗, 顾志光, 孙臻, 黄维宁, 姜国宝, 卢煊

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 434

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    采用离子束溅射技术在Si片上先后连续淀积Ti膜和Co膜,对Co/Ti/Si三元体系固相反应特性进行了研究。在氮气氛下对Co/Ti/Si样品进行热处理,结果表明,样品薄层电阻及薄膜结构随热处理温度的升高发生显著变化。原来处于样品表面的Co穿过Ti膜与Si发生反应在薄膜内部形成钴硅化合物,在薄膜表面Ti与气氛中的N结合形成TiN。实验在有SiO_2图形的Si片上溅射Co/Ti,通过两步退火和选择腐蚀可在硅区域表面获得线条整齐的自对准TiN/CoSi_2复合薄膜。

  • 实现气敏元件高选择性的一种方法

    吴兴惠, 李艳峰, 周桢来, 田子华

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 439

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    本文提出一种提高半导体电阻式气敏元件选择性的新方法。这种方法的基本出发点是互补反馈原理。这种新型气敏元件的结构与原有的不同,由两种不同特性的敏感体组合而成,其组合方式可以是N-N,P-P,N-P等。文中给出了有关的理论讨论和在此理论指导下制作的高选择性乙醇气敏、丁烷气敏元件的实验结果,证明此理论是正确的。

  • 低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器

    杨国文, 肖建伟, 徐遵图, 徐俊英, 张敬明, 陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 445

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    本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm~2,最低达675A/cm~2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。

  • 用表面微机械加工技术制成的流速传感器

    黄金彪, 骆志强, 冯耀兰, 童勤义

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 450

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    本文介绍用表面微机械加工技术制成的多晶硅桥形温敏电阻及其在流速传感器中的应用。“桥体”和“桥墩”材料分别为多晶硅和二氧化硅。流速传感器的实验结果表明,在流速为10cm/s下输出可达380mV。

  • 一种结构改进了的硅基微静电马达

    孙曦庆, 李志坚, 费圭甫, 刘理天

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 453

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    本文介绍一种结构改进了的硅基微静电马达。通过在微马达转子下面集成光伏器件实现了对马达转速的片内检测,这对于实现转速自动控制和制作各种传感器有重大意义。利用复合膜牺牲层腐蚀技术制成了一种曲颈状轴承,该轴承能够大大减小马达转动时的摩擦阻力矩。微静电马达转子直径分100和120μm两种,膜厚约2μm,定子与转子的空气间隙为2μm。初始测量结果表明该微马达有良好的性能,具有实用化前景。

  • 用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵

    钱毅, 徐俊英, 徐遵图, 张敬明, 肖建伟, 陈良惠, 王启明, 周小川, 蒋健, 钟战天

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(7): 456

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    文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。

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