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Volume 15, Issue 1, Jan 1994

    CONTENTS

  • 掺杂聚乙炔中的局域电子状态及其特性研究

    庞小峰,游寿星

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 1

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    本文对掺杂后,聚乙炔(CH)x中出现的局域电子状态进行了研究.研究表明:随杂质浓度的增加,它的导电率可由绝缘体变到半导体,并在一定浓度下变成导体。所得结果和实验值符合,从而解决了(CH)x的导电性能改变的机制。

  • 生长在Si(001)衬底上的Ge_xSi_(1-x)合金的电子能带结构

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 10

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    采用紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的GexSi1-x合金形变层的电子能带结构进行了计算,并与GexSi1-x合金的能带结构进行了比较.计算结果表明,对大部分合金组分x(0≤x≤0.9),形变层的导带底处在△轴上;当x≥0.9后,导带底处在L点.形变层的直接能隙Eg()及间接能隙Eg(△)和Eg(L)都比同组分x的合金小,其下降量随组分x的增大而增大.形变层的价带顶自旋-轨道分裂值△s。也比相同组分的合金大,其增大值也随合金组分的增加而增加.

  • 非对称大光腔GaAlAs/GaAs激光器及其特性

    康晓黎,宋南辛,朱丽津,李锡华,张银女,陈高庭

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 18

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    本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点;报道了我们研究非对称大光腔GaAlAs/GaAs激光器的初步结果:未涂覆单而输出光功率(CW)大于85mW;阈值电流范围为60—80mA;微分量子效率每面25%;器件为基横模工作.

  • 硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

    季振国, 汪雷,袁骏

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 23

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    本文用X光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态,发现两者均不是单一的SiO2,硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态,即Si+1,Si+2,Si+3和Si+4,它们相对于体Si2p,峰的化学位移分别为0.85,2.35,3.55和4.60eV.在硅的初期氧化阶段无Si+4成分出现.

  • 一种新的硅深槽刻蚀技术研究

    钱钢,张利春,阎桂珍,王咏梅,张大成,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 29

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    本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术.实验中采用一种新材料──氮化锆(ZrN)作为反应离子刻蚀的掩模,所需掩模厚度约500.采用氟基气体SF6作为刻蚀气体,并附加Ar和O2,这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层,结果得到了深约6μm,侧壁垂直接近90°的硅深槽.

  • 铍注入锑化铟快速热退火的研究

    张廷庆,刘家璐

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 35

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    借助SIMS、AES、RBS和TEM对Be注入InSb的快速热退火特性进行了深入的研究.Be注入能量为100keV,注人剂量为5×1014cm-2.快速热退火温度范围为300—500℃,退火时间为30—60秒.结果表明,快速退火后,Be注入分布剖面的内侧不存在再分布,但峰值浓度有不同程度的降低,表面存在Be的外扩散.350℃退火,Be注入InSb的晶体损伤基本消除,InSb表层不存在化学配比的偏离.退火温度超过350℃,InSb表层发生热分解,产生Sb的耗尽,形成由In、Sb及其氧化物组成的复杂结构.

  • 形成优质Si~+注入SI—GaAs层的研究

    李国辉,韩德俊,陈如意,姬成周,王策寰,夏德谦,朱红清

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 40

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    在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层.本文研究了引Si+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系.结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响.材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ca]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高.实验还证明,29Si+注入时BF+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降.本文指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃5秒退火为佳.

  • 离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟

    施左宇,林成鲁,朱文化,邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 48

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    本文报告了硅中注入大剂量O+或N+离子形成SIMOX或SIMNI的计算机模拟结果,分析了SIMOX与SIMNI形成的不同机制,在注氧形成SIMOX结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成SIMNI结构的动态模拟程序.实验与模拟结果符合很好,验证了现有的理论模型和程序所作的假设.多次注入与退火会减小SIMOX上层硅厚度,而增大SIMNI的上层硅厚度.低能注入可以获得良好的SOI材料,而且可以降低注入剂量

  • 雷达动目标检测(MTD)专用集成电路的设计

    王月明,徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 55

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    本文设计出一种用于雷达数字信号处理的动目标检测(MTD)专用集成电路.该电路采用有限冲激响应(FIR)滤波器结构,并配以乒乓存储器及流水线乘法器,具有运算速度快、结构简单等优点.经逻辑和电路模拟,证明该电路具有良好性能.

  • 两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性

    张国强,严荣良,余学锋,任边远,高文钰,赵元富,胡浴红,王英民

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 64

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    对栅氧化后30keV与43keVF离子注入的P沟MOSFET进行了电离辐射响应特性的比较.结果发现,30keV注F具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力.用30keV注F具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论.

  • 用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs

    余怀之,吕玉林,刘建平,冯德伸

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 67

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    本文描述了用一种新的离子集团束技术在较低的温度下在Si衬底上外延生长GaAs的初步实验结果.实验表明:As+离子束轰击对于去除Si上自然氧化层是有效的,在衬底温度为550℃得到GaAs单晶.

  • 纳米硅薄膜界面结构的微观特征

    何宇亮,褚一鸣,王中怀,刘湘娜,白春礼

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 71

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    对使用等离子体增强化学汽相沉积法(PECVD)制备的纳米硅薄膜(nc-Si:H),使用HREM及STM技术观测了其显微结构,给出大量的界面结构图象.首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况.使我们认识到nc-Si:H膜中界面区内的硅原子仍然是具有短程有序性并不是完全无序的.

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