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Volume 15, Issue 8, Aug 1994

    CONTENTS

  • 在线性型分子晶体中的局域性集体激发特性

    庞小峰

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 511

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    本文用一种特殊方法研究了具有非简谐振动的线性链型分子晶体中由结构畸变和局域性涨落导致的局域性集体激发和孤立子运动的特性.研究表明在此时形成的孤立子的能量和振幅与非简谐振动强度有关,并可以超声、次声和声速运动.

  • CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料

    金高龙,陈维德,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 518

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    本文选用了Co/Si/GaAs结构作为研究对象,经600℃恒温退火及800℃快速退火处理后,分别在GaAs衬底上形成Cosi2/GaAsSchottky接触.采用多种薄膜和界面的测试技术,对CoSi2:/GaAs的薄膜及界面特性进行了细致的研究.结果表明:热退大处理后,Co/Si经化学反应形成了较均匀的CoSi2单相,其薄膜电阻率约为30μΩcm.即使经900℃的快速返火处理后,GaAs界面仍保持相当的完整性,同时薄膜形貌也很理想.此外,采用I-V电学测试法对经750℃恒温退火处理后形成的CoSi2/Ga

  • Co、Ti/Si_(1-x)Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

    亓文杰,李炳宗,黄维宁,顾志光,张翔九,盛篪,胡际璜,吕宏强,卫星,沈孝良

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 524

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    本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey

  • 用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co-Si化合物薄膜的研究

    杨杰,阎忻水,陶琨,范玉殿

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 533

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    本文通过离子束辅助淀积(IBAD)与真空淀积多层膜技术相结合,淀积合成Co-Si薄膜,RBS和XRD分析表明:在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Co/Si多层膜,得到的是由α-Co与非晶Si组成的薄膜.薄膜与Si(111)基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散,而用复合方法镀制的薄膜与Si基底以及各层之间都产生了混合和扩散,并已有CO2Si、CoSi相生成.750℃退火30分钟后,无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散,而复合方法该制的样品则形成均匀的CoSi2薄膜。

  • Ar~+激光辐照对GaAs(100)表面硫钝化的影响

    朱永强,张桂墙,蔡颂仪,郝炳权

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 540

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    本文用C-V法、金相腐蚀法、X光电子谱(XPS)、俄歇电子谱(AES)研究GaAs表面硫钝化膜和激光辐照硫化的效果.

  • CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制

    何杰,顾诠,陈维德,许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 544

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    利用超高真空电子束蒸发,在Si衬底上淀积Co-Si多层膜.经热处理后,发现在600—700℃内CoSi2形成的过程中,成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用,并因此而造成了CoSi2薄膜生长动力学的极其复杂性.本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量.并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径.

  • GTR电流增益的二维数值分析

    高勇,赵旭东,陈治明

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 551

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    在二维数值分析的基础上讨论了引起GTR电流增益在大电流工作条件下降低的几个主要因素.认为要保持较高电流增益应以提高发射效率为主.提出了一种改善GTR电流增益的多晶硅发射极结构.模拟结果预言了这种结构的有效性.

  • 晶体管非工作期失效率预计

    杨家铿,翁寿松

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 558

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    本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型,经验证,预计失效率与现场失效率相吻合.通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率,尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期.

  • Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy

    Yang Guowen, Xu Junying, Xiao Jianwei, Xu Zuntu, Zhang Jingmin, Zhang Wanhua, Zeng Yiping and Chen Lianhui

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 565

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  • 多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

    王燕,廖显伯,潘广勤,孔光临

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 569

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    本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子CVD方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理.在室温下用N2激光激发,在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光,其荧光谱中包含1.94eV和2.86eV两个峰.我们还对其激发谱进行了研究,发现除与跃迁有关的吸收峰(3.4eV)外,在2—3eV间还有新的吸收峰.此结果与F.Buda等人最近对硅量子线的理论计算相符合.

  • 离子辐照对多孔硅性质的影响

    杨海强,阎锋,官浩,鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 573

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    本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响.离子辐照引入多孔硅成孔中心,影响多孔硅的形成.随辐照剂量增加,PL谱峰波长红移,强度下降,半高宽变窄,使制备多孔硅发光图形成为可能.

  • GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结中二维热电子的负磁阻效应

    程文超,朱景兵,李月霞,宋爱民,郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 577

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    在GaAs-AlxGa1-xAs异质结中,我们观察到二维热电子的负磁阻效应,随着电场强度的增加,负磁阻效应增强,对我们的样品而言,Δσ/σ(0)的幅度可达20%以上.一个简单的理论分析表明:实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释.

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