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Volume 15, Issue 9, Sep 1994

    CONTENTS

  • 在非线性分子固体中的自局域性集体激发特性

    庞小峰

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 583

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    本文用另一种新方法研究了分子固体中因相邻分子间存在有非线性的中心作用势时所激发的自局域性集体激发和孤立子运动的特点.此时孤立子的波形、振幅、速度和能量发生大变化.

  • Ge_xSi_(1-x)/Si(001)量子阱的电子结构及光跃迁

    徐至中

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 588

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    采用包络函数方法及Kronig-Penny模型计算了量子阱GexSi1-x/Si(001)的电子结构.对量子阱的光跃迁几率进行了估算,并讨论了量子阱参数的最佳选择.

  • 布里兹曼法碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)晶体生长过程热场的数值分析

    王培林,魏科,周士仁

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 596

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    用控制容积法对布里兹曼法碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算.介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析.虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂,但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律,可供从事该方面研究工作时参考.

  • 自对准Ti-SALICIDE LDD MOS工艺研究

    徐秋霞,龚义元,张建欣,汪锁发,翦进,海潮和,扈焕章

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 603

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    本文着重研究了0.6μm自对准Ti-SALICIDELDDMOS工艺技术.TiSi2的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成,Ti膜厚度的最佳选择使SALICIDE工艺与0.2μm浅结相容,源/漏薄层电阻为4Ω/□.上述技术已成功地应用于0.6μm自对准Ti-SALICIDELDDNMOS器件及其E/DMOS31级环形振荡器的研制,特性良好.

  • 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

    牛国富,阮刚

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 611

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    本文提出了一个为SIMOXSOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0×1018cm-2剂量范围和50—300keV能量范围.模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好.本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSITCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TFSOI结构的理论依据.

  • 高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

    严荣良,高文钰,张国强,余学锋,罗来会,任迪远,赵元富,李荫波

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 617

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    详细研究了高压偏移栅P沟MOSFET在Co60-γ,辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系.结果表明:击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关.另外,γ辐照导致导通电阻增加.结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制.对实验现象给出了比较圆满的解释.结论对研制电离辐射加固高压偏移栅P沟MOSFET具有重要的指导作用.

  • InGaAsP/InP掩埋条型激光器的漏电流分析

    何振华,王圩

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 623

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    本文针对P-N-P-N埋区结构中的漏电流,用广义P-N-P-N三端器件的理论模型,细致地分析和模拟计算了P-N-P-N掩埋型BH激光器的漏电流特性,并据此给出了优化设计器件的数据曲线.通过具体的激光器工艺,我们做出的FBH激光器的漏电流大大减小,激光器的线性输出光功率可高达20mW,室温寿命超过10万小时.

  • 注入光敏三极管的基本特性和分析

    何民才,黄启俊,陈炳若,龙理,陈畅生,戴锋,池桂梅

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 631

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    本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较,可以看出注入光敏器件的特征所在.最后,用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释.

  • 利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究

    陈茂瑞,陈坤基,姜建功,施伟华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 638

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    本文介绍了在PECVD系统中利用逐层生长技术(LayerbyLaver)沉积硅薄膜,薄膜在衬底温度只有250℃的情况下已晶化.本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析,并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究.

  • 实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法

    吴兴惠,李艳峰,周桢来,田子华

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 643

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    本文提出一种提高气敏元件灵敏度的方法,这种方法可实现灵敏度的倍增.元件结构为N-P型,元件的工作机制是互补倍增原理.研究表明,在适当条件下,整体气敏元件的灵敏度等于构成它的N、P两种敏感体各自灵敏度的乘积.此外,这种新型气敏元件还可提高热稳定性,减小零点漂移,甚至提高选择性等.本文在理论上给出了实现上述特性的条件.

  • MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器

    杨国文,肖建伟,徐遵图,张敬明,徐俊英,郑婉华,曾一平,陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1994, 15(9): 650

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    我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA

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