|
Issue Browser

Volume 16, Issue 10, Oct 1995

    CONTENTS

  • InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

    孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵霄,曾一平,孔梅影,侯洵

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 725

    Abstract PDF

    在国产第一台CBE(Chemicalbeamepitaxy)设备上,用GSMBE(Gassourcemolecularbeamepitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析.结果表明,我们在国产第一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好.

  • 短周期GaAs/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

    莫党,谭健华,陈宗圭,杨小平,张鹏华,张伟,陈良尧

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 730

    Abstract PDF

    我们制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)M/(AlAs)M厂超晶格样品并测量了其椭偏光谱.对这些样品的光频介电函数港进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线.在光子能量3.5~4.5eV范围的E1峰与瓦峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致实验谱中的E1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E1峰之差异也大于理论结果。

  • 定域再结晶SOI的透射电镜研究

    刘安生,邵贝羚,李永洪,刘峥,张鹏飞,钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 736

    Abstract PDF

    高频感应石墨条加热快速区熔再结晶工艺制备的无籽晶热沉积结构(Heat-SinkStruc-ture)SOI(SilicononInsulator)硅薄膜具有[100]取向,其缺陷被限制在厚SiO2层上的硅膜中,使薄的SiO2层上的硅膜成为无缺陷单晶区,宽度可达50μm以上,在缺陷聚集区观察到的缺陷主要是小角度晶界,绝大多数晶界的取向差都在3°之内.其类型多为混合型晶界,也观察到少量的扭转型和倾斜型晶界.缺陷聚集区中的位错或位错网络的走向是各种各样的,但其位错的柏氏矢量.

  • 高效AlxGa_(1—x)As/GaAs太阳电池的研制及辐照效应

    李标,向贤碧,游志朴,许颖,费雪英

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 741

    Abstract PDF

    用液相外延(LPE)技术制备了全面积转换效率为18.65%(1.08cm2,AM0,1sun)及17.33%(2×2cm2,AM0,1sun)的AlxGa1-xAs/GaAs(x>0.8)太阳电池,1MeV电子辐照实验表明,浅结电池的抗辐照能力比深结的强,退火可以恢复辐照损伤.

  • GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定

    陈春华,陈新,王佑祥,姜志雄

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 747

    Abstract PDF

    介绍了用离子注入标样测定GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的方法,并将实验数据进行离子计数─浓度,溅射时间─深度转换后求得的特征值(Cmax、Rp、△Rp等)与理论计算值进行比较,二者符合较好,其中Cmax的SIMS测量值同LSS理论计算值和MonteCarlo模拟计算值之间的平均偏差分别为9%和27%.最后,对几种GaAs基的材料和器件进行氧的定量分析,获得了有益的结果.

  • 收集区局部掺杂的硅双极晶体管的二维数值分析

    林绪伦

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 754

    Abstract PDF

    对于硅NPN晶体管中新型的收集区局部掺杂结构以及常规的收集区均匀掺杂结构,本义采用数值分析,计算出这两种结构的晶体管内部的电势及电场的:二维分布.结果表明:在常规结构中,其浓硼扩散结的弯曲边缘处存在着电场集中效应,收集极雪崩出穿电压BVcbo深受这种效应的影响.而在新型结构中,上述电场集中效应不复存在,其收集极雪崩击穿电压BVcbo获得了明显的改善.

  • 高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究

    俞跃辉,邹世昌,周筑颖,赵国庆

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 759

    Abstract PDF

    将能量分别为3MeV或5MeV,剂量为1×1016cm-2的砷离于注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层.本文分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学5向应.在500─4000cm-1波数范围的红外反射谱中观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象.应用计算机模拟红外反射谱获得了导电埋层中的载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率.

  • 硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究

    赵杰,刘宝钧,李建蒙

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 766

    Abstract PDF

    本文研究了硼注入绝缘InP和N型InP的电性质.硼注入是在100keV能量下,剂量从1e12到1e16cm-2范围内进行.注入后的退火在纯氮气的保护下由100℃到700℃范围变化.硼注入半绝缘InP的结果表明,硼注入诱导形成载流子分布.硼注入N型InP后形成高阻绝缘层,其电阻率随退火温度变化出现两个峰值.本文还讨论了硼注入层电性能变化的机理.

  • 多能MeV硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布

    康一秀,赵渭江,王宇钢,张利春,虞福春

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 772

    Abstract PDF

    以在N型单晶硅表面1.3μm内实现理想平台状P型载流于分布为例,我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的Pearson函数拟合叠加的计算机设计方法.首先,用扩展电阻法(SRP)测量高温快速热退火(RTA)后的载流子分布,对0.5—2.4MeV能量范围内单能硼离子注入单晶硅的研究表明,Pearson函数分布比半高斯函数分布更好地符合实验所测的载流子分布.给出了投影射程凡、射程歧离σ、偏斜度γ和峭度β对能量的依赖关系.还由双能离于注入研究了注入顺序对分布的峰位和峰高的影响及两个单能分布线性叠加的条件

  • 用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜

    张德恒

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 779

    Abstract PDF

    用射频偏压溅射在较高氧压下沉积的六角密排结构的C轴平行于衬底的混合晶向结构的多晶ZnO薄膜,对紫外光的照射有较快的光响应.在此ZnO膜上再沉积层氮掺杂的ZnO膜,可使其光响应得以大大改善.

  • 硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性

    张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 783

    Abstract PDF

    用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及B掺杂金刚石薄膜,测量了退火前后的电流一电压和光电导特性.实验结果表明,H原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响.对于掺杂样品,随着B含量的增高,B的作用更加明显,而H的作用降低.合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态,其中包含陷阶型缺陷态,它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短.经600℃退火后,样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化,并改变了金刚石膜的电学及光电导特性.

  • 直拉硅单晶中热施主的快速热退除

    栾洪发,张果虎,李兵,陈学清,秦福,钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 789

    Abstract PDF

    本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺,及450℃、1小时热处理施主的再生问题.结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法,其效果与常规650℃、2小时处理相同.450℃、1小时处理没有热施主再生现象发生.

  • 退火条件对β—FeSi_2形成的影响

    陈向东,王连卫,林贤,林成鲁,邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 794

    Abstract PDF

    本文采用反应沉积-团相外延法制备β-FeSi2溥膜.不同温度及持续时间的后退火处理的X射线衍射分析表明降低衬底温度,延长退火时间可以提高样品晶体质量.利用卢瑟福背散射方法研究了β-FeSi2的形成过程中的Si的扩散。探讨了退火形成β-FeSi2的形成机制.

  • SiO_2全封闭的硅量子线列阵

    施毅,刘建林,汪峰,张荣,韩平,余是东,张学渊,顾书林,胡立群,茅保华,郑有

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 798

    Abstract PDF

    采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术,成功地在硅单晶衬底上制作了SiO2全封闭结构的硅量产线列阵.扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构.实验表明,通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸.

  • 固体C_(70)/P型Si接触的电学性质

    陈开茅,贾勇强,吴克,金泗轩,李传义,周锡煌,顾镇南

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 801

    Abstract PDF

    我们制成固体C70/p型Si单晶半导体异质结电流电压(J-V)测量表明该结具有强整流作用,当偏压为±2V时,其整流比大于104倍电流温度(J-T-1)测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系,从中可得接触势垒的有效高度为0.27eV.

Search

Advanced Search >>

Issues