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Volume 16, Issue 3, Mar 1995

    CONTENTS

  • 多量子阱光波导传输特性分析

    马春生

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 161

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    本文给出了普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阶光波导的模场分布函数和特征方程,并以GaAs/AlGaAs多量子阱光波导为例分析讨论了波导结构参量及折射率分布对其传输特性的影响.

  • 在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究

    蒋四南,林兰英

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 167

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    本文对空间生长GaAS:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区.双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高.

  • 高精度双晶衍射(HRDCD)方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数

    王小军,庄岩,王玉田,庄婉如,王启明,黄美纯

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 170

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    应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,本文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阶结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法.

  • 多孔硅的椭偏光谱研究

    莫党,周光增,林位株,张树霖,蔡生民

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 177

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    本文用椭偏光谱法研究多孔硅.采用有效介质理论,从椭偏光谱数据定出不同实验条件下制备成的多孔硅样品的孔隙率.其次,从紫外一可见范围的椭偏光谱得到多孔硅介电函数虚部谱,并与单晶硅相应谱作比较.结果表明主峰带隙随着多孔硅空隙率增加而向高能方向移动,同时在<3eV区出现新的吸收带,与能带理论计算结果相符.

  • MBE生长的p-Hg_(1-x)Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

    杜庆红,何力,袁诗鑫

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 182

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    本文报道了利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上生长Hg1-xCdxTe/CdTe异质结,并通过VanderPauw(VdP)方法测量P-Hg1-xCdxTe外延薄膜在不同温度及磁场下Hall系数和电导率,采用最小二乘法对实验数据下行拟合,得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度.

  • 半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测

    闻瑞梅,梁骏吾,邓礼生,彭永清

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 188

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    本文研究了化合物半导体材料、器件生产工艺过程中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法.还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法,并与其它经典的方法作了对比.

  • Co-Si界面低温(≤450℃)相变的电子显微术研究

    张灶利,肖治纲,杜国维

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 195

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    本文用透射电镜的衍射方法,研究Co薄膜和衬底之间的界面的低温相变.用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现:室温下薄膜没有相变.在250℃,Co2Si为最先形成的硅化物;250℃30分钟处理后,产生大量的CoSi相.450℃1小时处理形成单相的CoSi.从本实验结果与前人研究结果对比发现:观察手段、样品制备方法、镀膜方法等因素会影响低温相变结果.

  • TW-SLA在耦合腔锁模激光器中的调制特性

    孙军强,黄德修,李再光

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 201

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    本文将行波半导体激光放大器(TW-SLA)引入耦合腔锁模激光器中,详细分析了外腔的有效反射系数.结果表明:TW-SLA的增益饱和及自相位调制对光脉冲具有调制特性,利用这类耦合腔激光器可实现自启动锁模以及具有获得超短光脉冲的可能性.

  • 硅膜厚度和背栅对SIMOX/SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究

    魏丽琼,程玉华,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 206

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    本文报道了薄膜SIMOX/SOI材料上全耗尽MOSFET的制备情况,并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较.实验结果表明,全耗尽器件完全消除了"Kink"效应,低场电子迁移率典型值为620cm2/V·s,空穴迁移率为210cm2/V·s,泄漏电流低于10-12A;随着硅膜厚度的减簿,器件的驱动电流明显增加,亚阈值特性得到改善;全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用,背表面状况可以对器件特性产生明显影响.该工作为以后薄膜全耗尽SIMOX/SOI电路的研制与分析奠定了基础.

  • 一种新的模块自动生成技术及其系统

    蔡懿慈,洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 212

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    本文提出一种适于CMOS集成电路的柔性模块生成器,该系统将电路描述按照一定的约束条件(布图面积即模块高度和宽度或宽长比,PIN的位置,最大延迟)自动转换成版图.本文采用了一种二维的柔性模块布图模型,使系统具有一定的灵活性.因此,该系统不仅可作为一种自动建库的工具,也可作为一个晶体管编译器为一个分级式的布图系统按照实际的布图要求生成底层的宏单元或库中没有的宏单元模块.

  • 一个以时延优化为目标的力指向Steiner树算法

    洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 218

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    本文提出了一种用于总体布线的以时延优化为目标的力指向Steiner树算法.它在构造Steiner树时同时考虑使线网总长和从源点到漏点的路径长度最小,以期得到时延最小的Steiner树.文中首先给出多端线网连线延迟模型,并导出其上界.基于这个时延模型,提出了力指向Steiner树算法.算法已用C语言在Sun工作站上实现,并用于以性能优化为目标的总体布线中.实验表明,算法十分有效.

  • GTR多环FLR结构优化

    荆春雷,肖浦英,陈治明

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 224

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    利用泊松方程的准三维数值解法,以三环FLR系统为例,讨论对GTR的FLR系统进行结构优化的基本问题和方法.着重探讨了优化判据问题,指出界面电荷密度对优化结果的准确性影响很大.

  • 用强流金属离子源研究Ti-Si化合物的形成

    朱德华,卢红波,柳百新

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 229

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    利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出强流Ti离子注入单晶硅,当MEVVA源引出电压为40kV,束流密度达到100μA/cm2,Ti离子剂量为5×1017/cm2,Ti离子注入单晶硅可得到C54-TiSi2的注入层,且薄层电阻低于3.0Ω/□.本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理.

  • 采用SiO_2/Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究

    刘秀喜,赵富贤,薛成山,孙瑛,华士奎

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(3): 235

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    镓杂质均可在裸Si系和SiO2/Si秒中扩散,但棵Si扩镓易在硅表面产生富镓合金点、凹坑和"白霜",导致器件低、软的击穿等,为了清除表面缺陷对器件性能的影响,采用SiO2/Si系扩镓进行了研究.经过实验和长期应用,这是克服表面影响的行之有效的方法.本文对二种扩散方式所产生的不同结果,进行了分析和讨论.

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