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Volume 16, Issue 9, Sep 1995

    CONTENTS

  • 多孔硅中的新量子限制态和PL光谱

    薛舫时

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 641

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    由大量PL和PLE光谱的实验分析得出多孔硅的发光既具有纳米硅中带带跃迁的特征,又受不同表面状态的制约.本文从多孔硅表面化学键叠加构成二维界面势的模型出发提出了表面化学键制约量子限制态.用简单的有效质量计算模型求出了这种新量子态的能级、能谷混合系数、电子波函数及跃迁选择定则、通过这种新量子态解释了多孔硅PL和PLE光谱的实验特性.

  • 半导体光放大器相位补偿特性的研究

    金韬,黄德修,丘军林

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 649

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    本文详细分析了饱和工作状态下的行波半导体光放大器(TW-SOA)的啁啾特性,从理论上证实了利用其增益饱和所引起的自相位调制来对光源啁啾进行相位补偿的可行性,并且发现,对于不同脉宽的入射脉冲,光放大器均能发挥相位补偿的作用,这一特性可用来补偿光源啁啾.

  • 量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响

    张敬明,徐遵图,杨国文,郑婉华,钱毅,李世祖,肖建伟,徐俊英,陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 655

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    计算了不同温度下GaAs/AlGaAs量子阱材料光增益与载流子密度的关系.根据B-D条件:△F>hv≥Eg+Ec1+Ev1,得到了△F、峰值增益光子能量和Eg+Ec1+Ev1与载流子密度的关系,并得到不同增益的激光器阈电流温度关系.计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象,并且与器件温度特性符合.

  • GaAs/AlGaAs激光器及其列阵电流注入及电子线分布研究

    吴小萍,朱祖华

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 659

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    采用连续波电光检测法(CWEOP)测量GaAs/AlGaAsDH激光器及其列阵在不同部位的电场分布,研究了这两种器件的注入电流及电力线分布情况

  • Ge_xSi_(1-x)/Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计

    赵策洲,刘恩科,高勇

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 663

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    本文提出了一种简便可行的GexSi(1-x)/Si异质结无间距定向耦合光开关(BOA型──—BifurcationOptiqueActive)模型分析方法.该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理:采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质;并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的Ge(0.1)Si(0.9)/Si异质结BOA开关的结构参数和电学参数.

  • CdS/CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

    杨文库,杨宇欣,邓文荣

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 669

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    本文提出了精确测量内建电压V_D的W(结宽)-N(Neff为有效空间电荷密度)新方法.文中严格证明了由W-N曲线的斜率可计算异质结的VD.在零偏压下测量了CdS/CuInSe2异质结的VD,样品CIS-1的VD为0.437V,样品CIS-2的VD为0.293V.我们的测量结果表明,光照不改变VD,但使异质结变窄.内建电压是异质结的固有参量.利用W-N方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响.

  • HgCdTe块晶不完整性的X射线双晶衍射研究

    施天生,朱南昌,沈杰,方家熊

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 673

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    利用高精度X射线双晶衍射术,研究了碲熔剂法生长的Φ15mm的Hg0.8Cd0.2Te块晶片的结构不完整性,发现工艺大致相同的块晶晶体完整性差别十分明显,但它们的晶格不完整性沿径向的分布具有共同特征─呈W形,这表明晶格不完整性与晶体生长或退火处理过程中的应力场有关.

  • 符合法弹性前冲测量重掺锑硅中氧含量

    徐岳生,刘彩池,李养贤,朱则韶,王红梅,韦伦存

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 677

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    本文以能量为27MeV的(12)C做为入射粒子束,采用符合法弹性前冲(CERDA)定量测量了重掺锑硅中氧含量,证实重掺锑硅中氧含量较普通直拉硅要低约40%,且随着锑含量增加,氧含量下降.对CERDA法测量原理及影响测量精度的因素进行了分析与讨论.

  • 掺杂聚合物蓝绿发光二极管

    唐建国,马於光,刘式墉,沈家骢,田文晶

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 683

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    本文报道了用有机染料8-羟基喹啉铝(Alq3分散到聚乙烯基咔唑(PVK)中的掺杂聚合物作为有源层制作的蓝绿发光二极管(LED),聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备.ITO/Alq3:PVK/Al器件在正向偏压为6V时可以看到蓝绿发光,峰值波长为510nm,最大亮度为168cd/m2.

  • 小波变换的电路集成

    张永梅,徐葭生

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 688

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    小波变换是信号分析和处理中的重要方法.本文设计了一种实现小波变换的集成电路.它充分利用了算法本身的特点,采用电路复用的方法,节省了电路单元的需要量,并且,采用并行和流水线的电路结构,使得工作速度较快.平均每个时钟周期内输出一个小波变换结果.时钟的频率由加法器延时决定.电路得到了VHDL(硬件描述语言)的模拟和验证.

  • 多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

    张国强,严荣良,余学锋,罗来会,任迪远,赵元富,胡浴红

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 695

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    分析研究了H2+O2合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注F和P的沟和N沟NOSFET,在最劣γ辐照偏置下的阈电压和I(ds)-V(gs)亚阈特性的辐射影响应.结果表明,多晶硅栅光刻前注F比光刻后注F和未注F,具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力.其辐射敏感性的降低可能归结为SiO2栅介质和Si/SiO2界面附近F的浓度相对较大以及栅场介质中F注入缺陷相对较少所致.

  • Si~+、As~+双离子注入半绝缘GaAs的研究

    王永晨,刘明成,叶维祎,王玉芳,赵杰

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 700

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    本文采用Si+和Si+、As+单、双离子多重注入半绝缘砷化镓[HB-SIGaAs(Cr)].研究发现,双离子注入层经无包封快速热退火后,激活率和电子迁移率较单Si+注入样品明显提高.Raman谱显示结构完整性好,并且有好的载流子剖面分布.文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Si+、As+双注入的载流子浓度剖面分布.

  • 高电子迁移率GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究

    杨斌,王占国,陈涌海,梁基本,廖奇为,林兰英,朱战萍,徐波,李伟

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 706

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    本文采用三角附近似,考虑了GaAs/AlxGa(1-)xAs二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/AlxGa(1-x)AS异质结的结构参数进行了优化分析.就作者所知,本文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果.

  • 在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化

    罗克俭,郑厚植,李承芳,徐士杰,张鹏华,张伟,杨小平

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 711

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    本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化.在77K低温下,我们从稳态光荧光谱(PL谱)上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移.

  • 纳米硅/非晶硅多层膜室温可见光致发光研究

    佟嵩,刘湘娜,鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 716

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    本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅(nc-Si:H)/氢化非晶硅(a-Si:H)多层膜中,未经任何后处理工艺,观察到室温可见光致发光(PL).当nc-Si:H层厚度由4.0nm下降至2.1nm时,PL峰波长由750nm兰移至708nm.本文将这种对量大于Si单晶能隙的光发射归因于多层膜中nc-Si:H子层的量子尺寸效应.

  • GaAs表面的室温光致氮化

    徐前江,丁训民,侯晓远

    Chin. J. Semicond.  1995, 16(9): 721

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    在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下,到达GaAs表面的N2会离解并和Ga、As原子成键,X射线光电子能谱测量结果证实了这一设想.

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