|
Issue Browser

Volume 17, Issue 3, Mar 1996

    CONTENTS

  • Al_xGa_(1-x)As/GaAs价带偏移的理论计算

    王仁智,郑永梅

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 161

    Abstract PDF

    AlxGa1-xAs/GaAs合金型异质结价带偏移的研究中,采用以平均键能为参考能级的ΔEv理论计算方法,得到ΔEv(x)=0.531x+0.001x2的理论计算结果.该计算结果与目前的一些实验结果符合较好.

  • n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs的特性参数研究

    沈顗华,朱文章,许淑恋

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 166

    Abstract PDF

    本文测了n-AlxGa1-xAs/n-GaAs的表面光伏谱,推导了有关计算公式,计算了它们的能隙和组分,得出了它们的重要材料参数.计算结果表明:理论计算与实验结果是一致的.

  • Si-GaAs(001)异质界面的价带不连续性及其应变效应

    柯三黄,黄美纯,王仁智

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 171

    Abstract PDF

    本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Si-GaAs(001)异质界面的价带不连续性进行了理论确定,全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作用,以及阳离子浅d轨道的影响.得出了Si-GaAs(001)系统的各价带能量不连续值与弹性应变的定量关系,并对结果进行了讨论.

  • 氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

    谢二庆,巩金龙,徐灿,陈光华.

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 177

    Abstract PDF

    在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯.质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有C59N、C59N2、C59N4、C59N6以及C70N2等分子团簇,对蒸发制备的薄膜进行3小时200℃退火测得其室温电导率为1e-6(S/cm),激活能为0.69eV(常温),0.56eV(高温).

  • 有序Ga_(0.5)In_(0.5)P光致发光的研究

    董建荣,刘祥林,陆大成,汪渡,王晓晖,王占国

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 180

    Abstract PDF

    本文用光致发光(PL)研究了MOCVD生长的有序Ga0.5In0.5P外延层的光学性质.发现有序程度较强的Ga0.5In0.5P样品的PL谱中,能量最高的峰的强度随温度升高,先减弱,然后增强,最后又减弱.我们提出了一个有序Ga0.5In0.5P的模型,认为有序Ga0.5In0.5P外延层是阱定随机分布的Ⅱ型多量子阱结构,能带边之下存在带尾态。并用该模型对实验结果进行了较好的解释.

  • 应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究

    邹吕凡,王占国,范缇文

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 186

    Abstract PDF

    基于能量最小近似模型,研究了应变异质结外延材料中,产生Frank-Read源以释放失配应力所需GeSi合金缓冲层的厚度.对GexSi1-x/Si进行了具体计算,其结果表明:产生Frank-Read源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多,Lmin=1300A是钉扎点间的最小距离.计算结果与LeGoues等的实验结果相符.就作者所知,计算产生Frank-Read源时GeSi合金缓冲层厚度的工作,以前未见报道.

  • p-GaAs/n-GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析

    陈朝,王健华

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 191

    Abstract PDF

    用液结光伏谱方法首次在PN4350光伏谱仪上对用国产MOCVD设备生长的九个p-GaAs/n-GaAs外延样品p型外延层的少于扩散长度Ln和掺杂浓度NA的关系作了测量和分析.结果表明,Ln-NA关系对反应管的清洁度非常敏感.如果反应管经严格清洗,并仅生长GaAs材料,那么Ln-NA关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致;否则Ln值就明显偏小.用本方法测定GaAs外延层的Ln值具有简便、准确的优点,可作为检测GaAs外延层质量的重要手段.

  • 半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应

    陈昌华,陈良惠,王启明

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 196

    Abstract PDF

    本文考虑了ASE效应和端面反射率的影响,建立了锥形激光功率放大器的Rigrod模型并引进了新的迭代方法,讨论了ASE效应和端面反射率对放大器增益G及信噪比S/N的影响.

  • 异质结电荷注入晶体管

    李桂荣,郑厚植,李月霞,郭纯英,李承芳,张鹏华,杨小平

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 203

    Abstract PDF

    通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施.

  • HF缓冲溶液处理Si(111)表面的化学稳定性椭偏谱研究

    苏毅,张秀珠,陈良尧,包宗明,钱佑华,薛自,盛伯苓

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 207

    Abstract PDF

    首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点峰值随之下降,而E1临界点峰值却随之上升;在pH=5.3的BHF中腐蚀,再经去离子水漂洗后,可得到较稳定的Si(111)表面,在空气中一小时之内基本不氧化.

  • 不同CO吸附类型对超细SnO_2气敏元件的作用

    陆凡,陈涌英,彭少逸

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 212

    Abstract PDF

    本工作采用超细SnO2为基体,CO为检测气体,检测了烧结型SnO2元件在不同温度下的气敏效应.同时利用流动饱和法测试了粉体不同温度下对CO的可逆及不可逆吸附量.一方面通过新材料的使用,降低了元件的工作温度;另一方面,通过吸附测试与气敏效应的关联,认为:超细粉体低温时表面可逆CO量的存在,是其能够降低工作温度的主要原因.粉体表面的不可逆CO量直接影响着元件的响应输出(灵敏度).材料本身的吸附总量和气敏特性有着良好的对应关系.SnO2元件气敏效应的发挥是粉体表面可逆与不可逆吸附共同作用的结果.

  • 一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用

    李斌桥,李志坚,石秉学

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 217

    Abstract PDF

    采用P阱CMOS工艺设计并制作了一种模拟型的Hamming神经网络集成电路.测试结果表明,网络中的宏单元,模板匹配运算电路,可很好地实现容差匹配的功能.将芯片用作识别器,识别手写体阿拉伯数字的实验结果表明,可在500ns内完成一次识别运算;对所采集的数据集得到了较好的识别效果.识别测试结果还表明,识别效果对控制参量阈值电压VT的变化较敏感.

  • SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究

    郑立荣,陈逸清,张顺开,林成鲁,邹世昌

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 223

    Abstract PDF

    用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理.X射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现良好的铁电性.

  • GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究

    牛智川,周增圻,林耀望,周帆,潘昆,张子莹,祝亚芹,王守武

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 227

    Abstract PDF

    本文报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究.已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构.本文讨论了非平面衬底上MBE生长脊形结构的形成机制,认为在一定的生长条件下,脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的;而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的.

  • 1.27μm吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器

    张济志,王圩,张静媛,汪孝杰,李力,朱洪亮,王志杰,周帆,马朝华

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 231

    Abstract PDF

    采用LP-MOCVD和LPE相结合,成功地研制出了吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器.扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅,表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的.宽接触(broadarea)脉冲电流大范围单纵模工作,条型器件室温连续直流工作阈电流为22mA至35mA,单模成品率高,边模抑制比(SMSR)超过37dB,没有观察到饱和吸收现象.

  • Low Threshold GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Lasers

    徐遵图,张敬明,杨国文,徐俊英,肖建伟,郑婉华,陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(3): 236

    Abstract PDF

Search

Advanced Search >>

Issues