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Volume 18, Issue 1, Jan 1997

    CONTENTS

  • 在硅微尖上生长金刚石膜的研究

    元光, 金亿鑫, 金长春, 宋航, 张宝林, 宁永强, 蒋红, 周天明, 李树伟

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 1

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    利用微波等离子体方法在硅微尖阵列上生长了金刚石膜,并利用SEM和X射线衍射对金刚石膜进行了研究.

  • 表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变

    王小军, 刘伟, 胡雄伟, 庄婉如, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 4

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    本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs/GaAs应变量子阱材料.单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰.首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs/GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变.

  • Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性

    杨沁清, 钱毅, 董文甫, 王启明, 崔堑, 黄绮, 周钧铭

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 10

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    采用一种晶向性腐蚀方法,在(100)Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构,经SiGeMBE外延后,从SEM照片上可以看出,SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构.非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8~10倍.从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96%,且m≈1.1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的.随着激发功率的增加,可以看到PL谱的蓝移.

  • 应变CdTe/Cd_(0.633)Mn_(0.367)Te单量子阱结构的光致发光谱

    沈文忠, 沈学础, 常勇, 唐文国

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 16

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    本文报道应变CdTe/Cd0.633Mn0.367Te单量子阱中光致发光光谱.结合理论计算得到导带不连续因子Qc为0.92±0.01.讨论了量子阱中的能带填充效应.实验发现量子阱中的发光结构在整个测量温度下(20~200K)都为激子跃迁,其线型展宽主要由纵光学声子决定.高温下此量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是载流子热激发出势阱,并伴随着在势垒中的非辐射复合.

  • 极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究

    朱红卫, 史常忻, 陈益新, 李同宁

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 22

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    本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术,制作了InGaAsMSMS-PD光电探测器.实际结构表明:具有15nm的P-InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流,器件的暗电流均小于10nA,响应度为0.83A/W,FWHM为70ps,证明这是一种减小MSM-PD暗电流的有效设计方法.

  • 新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制

    李学宁, 李肇基, 吴世勇, 唐茂成

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 27

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    本文提出了两种新结构MCT器件,通过器件模拟器PISCES-ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解.采用自对准三重扩散工艺,成功地实现了两种新结构MCT器件,其电流关断能力分别达到114A/cm2和41A/cm2.

  • 功率MOSFET反向特性的分析模拟

    周宝霞, 陈治明, 王守觉

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 32

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    本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措施,并得到了与实际相符合的结论.

  • 薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟

    张兴, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 36

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    采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟.为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度,采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解,得到了较为理想的模拟结果.通过大量的模拟计算,较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理,为今后小尺寸CMOS/SOIVLSI电路的设计提供了理论基础.

  • 低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟

    肖志雄, 魏同立

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 42

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    本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系,计算结果与实验相吻合.结果表明在77K时,电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定,而在300K时则由有效基区展宽效应决定,特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定,而在77K时,由于发射区禁带变窄效应非常明显,以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素.低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应,而不是低温浅能级杂质陷阱效应.

  • Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

    梁励芬, 董树忠, 顾志光, 李炳宗

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 50

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    在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面.在Si(100)晶片上用离子束溅射淀积Co/Ti双层膜,经退火处理完成三元固相反应,生成TiN/CoSi2/Si膜,然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜.AES,XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si(100)衬底的外延生长膜.STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整,主要由交替出现的平台和台阶结构组成.平台的平均宽度为9nm,台阶高度为2个原子层厚度,分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离(100)面引起的.平台表面呈平行台阶方向的相距约1.1nm的条状结构.

  • 不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响

    蒋美萍, 李金华, 黄宜平, 林成鲁

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 54

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    对不同制备工艺的SIMOX样品,用Raman散射法作了应力测量和比较.结果显示,在1300℃、6小时的退火条件下,整片单次注入/退火与三次注入/退火对样品的应力无明显影响,正面张应力都≤5×103N/cm2.且均匀分布,背面无应力.N2、N2+1%O2、Ar+0.5%O2等不同退火气氛对应力也无明显影响.局部注入会在SIMOX样品的顶层硅中产生较高的应力,且在高温长时间退火后背面衬底中还有应力存在.

  • H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用

    赵颖, 熊绍珍, 孟志国, 代永平, 周祯华, 姚伦, 张建军, 孙钟林, 徐温元

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 58

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    在PECVD系统制备a-SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H,钝化SiNx表面的硅悬键,从而使a-So:H/SiNx界面态得到减小.由此制备出的a-SiTFT矩阵,其性能得到明显改善.

  • Preparation of Ampoules With B_2O_3 Coating on GaAs Surface for Space Experiments

    周伯骏, E Jensen, A Gallucci, R Abbaschian

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 61

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    In order to reduce Marangoni convection in molten GaAs,B,O,encapsulation was used during float zone growth of GaAs single crystals.After growth of the GaAs crystal,theam poule would be broken during cooling due to the large difference in thermal expansion coefficients of...

  • 用气相色谱法测定半导体工艺中固、液、气相砷、磷及化合物的新方法

    闻瑞梅

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 64

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    本文研究了一种快速、灵敏、可靠的高温氢还原—气相色谱分析方法,样品不需预处理,使气相色谱仪能直接测定固、液、气相样品中砷、磷及其化合物的含量.砷、磷的检测限分别为0.01mg/L和0.003mg/L.相对偏差分别为6.2%和8.6%,测定范围为10-5~10-11.并与经典方法进行对比,结果一致.

  • 固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质

    陈开茅, 张亚雄, 秦国刚, 金泗轩, 吴克, 李传义, 顾镇南, 周锡煌

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 70

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    本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性,电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性,其理想因子接近于1.电流-温度测量表明,在固定正向偏压下,其电流是温度的指数函数,从中可以确定接触的有效势垒高度为1.02eV高频C-V和深能级瞬态谱(DLTS)测量结果表明,在GaAs导带以下0.35eV附近存在着密度为1011/cm2的界面态,这些界面态可能起源于C60和GaAs的相互作用.

  • GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化

    曹先安, 陈溪滢, 李喆深, 苏润洲, 丁训民, 侯晓远, 钱峰, 姚晓峨, 陈效建

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 76

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    本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs/AlGaAs异质结台面型晶体管,大大改善了它的直流特性.并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测,证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质,从而降低了表面复合对器件性能的影响.这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺.

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