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Volume 18, Issue 10, Oct 1997

    CONTENTS

  • 磁势垒结构中隧穿现象的研究

    郭永, 顾秉林

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 721

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    本文用转移矩阵方法研究了具有纳米尺度的非对称磁势垒结构中电子的隧穿效应.结果表明和电子穿越对称双磁势垒结构相比,电子隧穿非对称双磁势垒结构的传输几率和电导都强烈减小,并且非对称磁势垒结构具有更强的波矢过滤特性.

  • Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究

    徐阿妹, 朱海军, 毛明春, 蒋最敏, 卢学坤, 胡际璜, 张翔九

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 725

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    本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术,研究了在Si(001)衬底上,用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时,引入表面活化剂Sb所产生的影响.研究表明,Sb的引入将会使Si(001)衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高,并在一定的生长条件下,破坏Ge外延层的结晶性.

  • 硅基纳米SiC的制备及其微结构分析

    李宁生, 鲍希茂, 廖良生, 吴晓华, 高义华, 张泽

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 731

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    在室温下将C+注入硅衬底,注入能量和剂量分别为50keV,2×1016cm-2.经高温退火形成,β-SiC颗粒沉淀.用傅里叶变换红外吸收谱,光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析.

  • 极低阈值脊形波导GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管

    张敬明, 陈良惠, 徐俊英, 徐遵图, 杨国文, 吕卉, 郭文华

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 734

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    本文报道,极低阈值电流脊形波导~0.85μmGaAs/AsGaAsGRIN-SCHSQW激光二极管优化设计、器件制备和特性.获得了2.2~4mA的极低阈值电流和~0.6mW/mA的微分量子效率.70℃,3mW恒功率寿命试验,推测器件平均工作寿命大于4万小时.

  • 增益开关半导体激光器超短光脉冲消啁啾研究

    钟山, 伍剑, 娄采云, 高以智, 周炳琨

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 741

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    增益开关半导体激光器的输出光脉冲具有“红移”啁啾,本文对具有不同时域及频域特性的啁啾光脉冲采用F-P滤波和正常色散光纤补偿两种消啁啾的效果进行了理论研究.结果表明,这两种消啁啾方法在单独运用时,都只能在一定的超短光脉冲脉宽和诺宽特性条件下,获得近变换极限光脉冲,而两种消啁啾方法的结合则可以改善消啁啾效果.实验结果也证明了理论计算的结论.

  • AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究

    顾伟东, 夏冠群, 冯先根, 吴强, P A HoustonA

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 748

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    本文采用深能级瞬态谱(DLTS)方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的发射结(N-P+结)进行了测试,得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度.利用这些数据通过单一能级复合的Shockley-Read-Hall公式,计算了发射结空间电荷区(SCR)中的复合电流,探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响.本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据.

  • CO_2离化团束辐照Si表面形成SiO_2膜的分析

    田民波, 冯晓东, 山田公

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 755

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    由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关,而其成分接近SiO2在低辐照剂量下,氧化层增厚服从反应规律,而在高剂量下服从扩散规律.

  • TiO_2薄膜氧敏特性研究

    姚红军, 汪荣昌, 戎瑞芬, 徐飞, 金海岩

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 761

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    金属氧化物(如ZrO2,TiO2等)随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器.传统的传感器大多采用体材料或厚膜材料,工作时需加高温.本文描述了TiO2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分区不同而改变的氧敏现象,测定了该肖特基二极管的氧敏特性,讨论了其敏感机理.

  • 相关矢量量化图象编码算法的VLSI结构

    周汀, 章倩苓, 李蔚, 李清

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 765

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    本文提出了一种实现相关矢量量化图象编码算法的VLSI结构.该结构根据相关矢量量化编码算法,利用相邻图象块编码地址的相关性,提高编码效率,并采用特殊设计的图象边缘块处理方法,降低实现复杂度.本文详细讨论了相关矢量量化图象编/解码器各部分的VLSI实现结构,并介绍了电路设计与模拟结果.

  • Al:Ti合金栅a-Si TFT研究

    熊绍珍, 赵颖, 王宗畔, 谷纯芝, 王丽莉, 李俊峰, 周祯华, 代永平, 姚伦

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 771

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    本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a-SiTFT中的应用.所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6.6μΩ·cm,与纯铝的相近.Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强,有效地抑制了小丘(Hillock)的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象.采用Al∶Ti合金栅和Al2O3/SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a-SiTFT相近的I-V参数,但前者稳定性明显提高.经+10V栅偏压处理1小时,未见VT漂移.这种双层冗余技术还能有效提高成品率.

  • 用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性

    陈蒲生, 冯文修, 王川, 王锋, 刘小阳, 田万廷, 曾绍鸿

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 776

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    研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性.探索该薄膜电学特性与微观组分,反应室气压,衬底工作温度,退火致密和金属化后退火等的相互关系.给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件,同时对实验结果进行了理论分析与讨论.

  • 退火对CdZnTe晶体质量的影响

    朱基千, 褚君浩, 张小平, 李标, 程继健

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 782

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    我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等,研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响.结果表明,在Cd气氛中,700℃,退火5小时以上,能大量地去除晶片中的Te沉淀,提高其红外透射比;同时,退火也导致了晶片表面的损伤,损伤层为50~130μm.表面结构损伤的原因是,(1)Cd气氛中退火,CdZnTe晶体表面的Zn损失;(2)退火过程中,吸附在沉淀物周围的杂质,尤其是快扩散杂质,将随着沉淀相的消失而迁移到晶体的表面,从而破坏了表面的晶体结构.退火后,磨去损伤层,可将聚集在表面的这些杂质除去,更有利于外延生长或器件制备.

  • Growth of GaN on Magnesium Aluminate Substrate by LP-MOVPE

    段树坤, 滕学公, 李国华, 王玉田, 杭寅

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 787

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    Epitaxial GaN films have recently attracted much attention due to their optoelectronic applications in the blue/ultraviolet region and for their high temperature stability.High-brightness blue and green light emitting diodes(LEDs) have already been made commer-ciallyava...

  • Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究

    康学军, 林世鸣, 高俊华, 廖奇为, 朱家廉, 王红杰, 张春晖, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 791

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    本文报道了AlxGa1-xAs/GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400~500℃与水汽(携带气体为N2)发生化学反应的氧化特性.其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的.AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关;根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数,计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能.

  • 稀土铒的掺入对光晶体管性能的改善

    孙成城, 何淑芳, 江剑平, 黄小康

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(10): 796

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    使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上,和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从60~70小时减至3~4小时,同时获得了高纯度的铟镓砷外延层和高质量的异质结.用于光晶体管使其光增益高达4000,和未使用铒吸杂剂相比增加近3倍.

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