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Volume 18, Issue 3, Mar 1997

    CONTENTS

  • 多孔硅中的电子激发态及其光谱研究

    薛肪时

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 161

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    本文用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态.理论计算表明,随着电子能量的升高△波和Г波之间产生了极强的相互耦合,形成一对强△态和强Г态.这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中,从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态.在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元,得出了跃迁选择定则.强△态与Г态间的跃迁几率很小,在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阶,运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰.

  • SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究

    江宁, 顾书林, 余是东, 郑有炓

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 169

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    本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法,研究了其再结晶性质.由RRH/VLP-CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料,经能量为180keV,剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后,形成具有一定损伤分布的非晶层.由此,我们系统研究了多晶GeSi非晶化后的再结晶性质,认为Ge在再结晶过程中可能起了的诱导晶化作用;首次观察到GeSi晶粒的纵向生长行为;得到的GeSi晶粒大于同样条件下得到的多晶Si晶粒.本项研究为多晶GeSi在高速TFT器件及其它高速器件中的应用奠定了基础,并为制备GeSi量子线结构提供了一条可能的途径.

  • 利用量子阱DFB激光器产生重复频率为5GHz超短光脉冲

    娄采云, 钟山, 伍剑, 高以智, 周炳琨

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 175

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    本文介绍利用国产量子阱半导体分布反馈(DFB)激光器的增益开关效应,产生重复频率为5GHz、1.55μm的超短光脉冲,经正常色散光纤(色散参数D<0)补偿消啁啾,获得了近变换极限的光脉冲,并成功地进行了31公里的光孤子传输.

  • 离散小波变换的VLSI设计

    周汀, 陈旭昀, 章情苓, 闵昊

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 180

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    在本文中,我们提出了一种离散小波变换(DWT)及其逆变换(IDWT)的VLSI结构,这一结构利用DWT/IDWT的结构和数值特性大大降低了系统的实现规模,同时由于采用了并行流水线和平衡数据通道等技术,可以获得每个时钟两个数据的处理速度和五个时钟节拍的流水线时延.基于硬件描述语言VHDL的模拟和综合结果表明,采用1.5μmCMOS工艺时,电路的规模为5058单元面积,在最坏情况下,最高时钟频率约可达55MHz,数据处理速度达到110Mpoints/s.

  • 一种适用于模/数混合集成电路的新型低噪声电流控制逻辑

    缪国清, 徐国庆, 唐璞山, 杨崇和

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 184

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    本文给出了一种新型低噪声电流控制逻辑结构,用于在模/数混合集成电路的设计中取代静态CMOS逻辑,以减小数字开关噪声通过衬底耦合对模拟电路性能的影响.在分析了该逻辑的基本工作原理后,本文对电流控制逻辑的逻辑结构,开关特性,噪声特性和功耗及功耗-延迟积等性能与静态CMOS逻辑作了比较,并用电路模拟进行了验证.理论分析和电路模拟的结果都显示,和静态CMOS逻辑相比,新型电流控制逻辑的峰值噪声电流下降了近三个数量级.该逻辑具有很好的设计灵活性和低电压工作性能,并已成功地应用于一个高性能的过采样A/D转换电路中.

  • 砷化镓单电源电路研究

    赵建龙, 夏冠群, 范恒, 施健

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 193

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    本文对BFL单元电路进行了改进,首次提出一种新型的GaAs单电源单元电路,并研究了该单元电路与SiTTL电路的接口电路,实验结果表明该单元电路的设计是可行的,适合于制作中、小规模集成电路.

  • CMOS单片集成恒带宽放大模块

    杨谟华, 成勃, 于奇, 肖兵, 谢孟贤, 杨存宇, 江泽福, 严顺炳

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 197

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    基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型,并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术,已经获得了一种具有300kHz~1MHz恒带宽、0~20dB可调增益、5.6mW功耗的新型集成模块,该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束,并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路(SPIC)与模拟信息处理诸电子学领域.

  • 分级的时延驱动布局算法

    孔天明, 洪先龙

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 203

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    本文针对门阵列和标准单元设计系统提出一种分级的时延驱动布局算法,以前的时延驱动布局算法除了文献[22]以外都不是分级的,因而运算时间很长,而且最长路径上的信号延迟达不到最优;而文献[22]的算法只能处理时序关系是DAG图(有向无环图)的电路,也就是说,电路中不能包含寄存器元件,本文的算法是适用于一般的电路.与RITUAL/Tiger系统比较,我们用比较短的运算时间得到了较小的信号延迟.

  • 采用混合结构定子的压电超声微电机的固有频率特性分析

    张健, 沈德新, 王渭源

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 212

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    本文首次采用了Rayleigh-Ritz方法来分析微机械中经常采用的多层膜结构(混合结构)定子的固有振动特性.研究了平面内应力(in-planestress)和弯曲应力(flexuralstress)对固有频率的影响.模拟计算和实验结果符合得较好.此外还讨论了定于有关参数对固有频率的影响.

  • 适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究

    徐秋霞, 海潮和, 陈焕章, 赵玉印, 李建勋

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 218

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    多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一.本文系统地研究了用效0.8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术,特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论.这套技术已成功地应用放“0.8μm双层金属布线CMOS计算机主板时钟产生器专用集成电路”的研制,并获得较好芯片成品率.

  • 硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响

    张剑平, 季振国, 杨启基, 李立本, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 223

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    本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响.为获得满意的反向恢复时间,硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度.头、中、尾部的硅片最佳预退火温度分别为600℃、700℃、800℃,这是因为不同部位的硅片中主导少子寿命的因素不同.

  • Study on Structural Stability of Hydrogenated Amorphous Germanium-Nitrogen Alloys

    徐骏, 陈坤基, 冯端, 宫崎诚一, 广濑全孝

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 228

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    Hydrogenated arnorphous silicon(a-Si:H) and its related alloys,such as a-SlN:H,a-SiC:H etc,have been widely studied for many years since the pioneering work of Spearand Le ComberL1:.However,hydrogenated amorphous germanium-nitrogen(a-GeN:H) alloy sareless understood compared with...

  • LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

    王志杰, 陈博, 王圩, 张济志, 朱洪亮, 周帆, 金才政, 马朝华, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 232

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    本文在国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征.在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后,其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm,呈现偏振补偿特性.

  • Effects of Non-abrupt Interface on Waveguide Properties of SiGe/Si MQW Photodetector

    朱育清, 杨沁清, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(3): 237

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    With the development of MBE and MOCVD techniques,the MQW waveguide has become an important structure in some optoelectronic devices[1~3].SiGe/SiMQW waveguide photodetectors have been demonstrated.By using the SiGe/Si MQW structures as natural waveguides,a high quantum efficie...

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