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Volume 18, Issue 4, Apr 1997
Table of Content
CONTENTS
HgCdTe材料汞空位浓度的计算
杨建荣
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 241-245
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高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
钱家骏, 陈涌海, 孙明方, 王占国, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 246-252
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MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性
余庆选, 励翠云, 彭瑞伍
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 253-257
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Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究
常勇, 褚君浩, 唐文国, 沈文忠, 汤定元, 叶润清
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 258-263
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Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究
李慧, 马辉, 丁维清, 秦复光
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 264-268
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快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究
冯文修, 陈蒲生, 黄世平
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 269-274
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CO_2离化团束对Si基板表面的辐照效应
田民波, 山田公
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 275-280
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蝶形电极结构载流子注入全内反射交叉脊形光波导开关
李宝军, 刘恩科
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 281-285
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超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性
郭维廉, 宋玉兴, M．A．Green, M．K．Morvvej－Farshi
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 286-291
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缓变基区对HBT性能的影响
张玉明, 张义门
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 292-296
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注F MOS器件的可靠性研究
张国强, 陆妩, 范隆, 余学锋, 郭旗, 任迪远, 严荣良
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 297-301
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双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析
张富斌, 李建军, 魏希文
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 302-307
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多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术
何美华, 张利春, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 308-312
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AlInGaAs/AlGaAs Strained Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
杨国文, 徐遵图, 徐俊英, 张敬明, 肖建伟, 陈良蕙
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 313-316
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Si(111)碳化层中的SiC结晶
雷天民, 陈治明, 马剑平, 余明斌
Chin. J. Semicond.  1997, 18(4): 317-320
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