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用热力学原理探讨了Hg－Cd－Te固气两相平衡体系中材料参数和系统状态参数间的相互关系，给出了定量描述这些相互关系的理认计算公式和计算方法，通过对现有热力学常数的分析和评价，得到了计算所需的热力学常数以及和组分相关的经验公式．计算结果揭示了不同状态下HgCdTe材料中汞空位及和其它点阵缺陷比较的情况．计算结果也给出了汞空位浓度为（5～10）×1015cm-3HgCdTe材料的P－T相图，这为红外焦平面器件所需的弱P型HgCdTe材料热处理工艺从理论上提供了参考依据．通过计算三相平衡线上空位浓度的分布，对汞空位在不同生长工艺的情况也有了进一步的

利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质．实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污．

本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响，根据GaInP的组分．随生长温度的变化关系，生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料．

利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂在Hg1－xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级，并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来．

本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成．实验结果表明：所得β-FeSi2（101）或（110）面基本平行于Si（111）面，验证了Si（111）上β-FeSi2外延薄膜的形成；并对失配度做了精确的计算；薄膜形貌呈岛屿状分布，同时分析了生长条件对薄膜形貌的影响．

用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理．

利用RBS和椭圆仪分析对CO2离化团束引起的硅表面的损伤进行了研究．实验发现，采用大尺寸团束照射，损伤程度小而且损伤层薄；团束尺寸越大，越容易形成低损伤的氧化层；随剂量增大，损伤部分发生氧化的比例增加，而且在单晶Si基板上经过极薄的过渡区形成氧化层．

分析了一种蝶彩电极结构交叉脊形光波导开关．这种结构可使波导交叉角增大，反射损耗降低，传输端的消光比提高，波导的数值孔径变大，且有较小的串音．

研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．

本文提出了新的模拟HBT性能的流体动力学传输模型，考虑了能量（动量）方程中的各个物理量，不同能谷散射对能量弛豫时间影响以及异质结能带的各种效应．分析了发射结和基区Al组分的缓变与AlGaAs／GaAsHBT性能的关系，提出了器件优化设计的原则．

对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co－γ辐照和退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中F的引入，能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂移和静态漏电流的增长；抑制高温贮藏引起的CC4007电路漏电流的退化，减小辐射感生氧化物电荷和界面态在退火过程中的再生长速度．F－Si键的形成将减小MOS栅氧介质的电导率．

本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．

本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层中的净掺杂浓度，有效地减小了外基区－集电区单位面积的集电结电容，有利于器件和电路速度的提高．由于内基区下对应的外延层浓度不变，对器件的直流特性无不良影响．本文给出了补偿注入研究结果和器件特性．

Strained InGaAs/AIGaAs quantum well lasers have demonstrated improved performance compared with lattice--matched,unstrained GaAs/AIGaAsorAIGaAs/AIGaAs quantum well lasers,which has been attributed to modifications of the band tructure due to the strained natur...

为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构，发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C－SiC结晶层和富碳的3C－SiC结晶层组成．适当控制碳化条件可以调整3C－SiC结晶层的比例．