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Volume 18, Issue 5, May 1997
Table of Content
CONTENTS
低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
徐遵图, 徐俊英, 杨国文, 张敬明, 陈昌华, 何晓曦, 陈良惠, 沈光地
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 321-324
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硅基双色发光图形的研制
李宁生, 鲍希茂, 廖良生, 王振飞
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 325-328
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一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用
查访星, 黄醒良, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 329-332
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应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
邹吕凡, 王占国, 孙殿照, 张靖巍, 李建平, 孔梅影, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 333-336
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气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究
张溪文, 阙端麟, 石晓红, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 337-343
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MOS结构Si/SiO_2界面态的电荷泵测量
张国强, 王国彬, 余学锋, 任迪远, 严荣良
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 344-349
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连续波电光检测法用于检测超薄层异质结外延材料均匀性的研究
苏小元, 朱祖华
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 350-355
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多量子阱空间光调制器二维列阵
陈弘达, 吴荣汉, 高文智, 陈志标, 杜云
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 356-361
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半导体光放大器用于相位补偿的实现
金韬, 黄德修
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 362-366
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在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT
邹德恕, 陈建新, 沈光地, 高国, 杜金玉, 张时明, 袁颖, 王东凤, 邓军, W．X．Ni, G．V．Hansson
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 367-370
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Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究
于军, 周文利, 赵建洪, 谢基凡, 黄歆
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 371-374
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一种时域无条件稳定的计算瞬态热场的显式算法──步内建模法
张鸿欣
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 375-379
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GaAs薄膜电沉积机理的初探
韩爱珍, 林逸青, 赵永春, 高元恺
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 380-384
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MOVPE生长GaN的准热大学模型及其相图
段树坤, 陆大成
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 385-390
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高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性
朱东海, 王占国, 梁基本, 徐波, 朱战萍, 张隽, 龚谦, 金才政, 丛立方, 胡雄伟, 韩勤, 方祖捷, 刘斌, 屠玉珍
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 391-394
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一种高压器件表面保护材料的研究
刘秀喜, 薛成山, 孙瑛, 王显明, 庄惠照
Chin. J. Semicond.  1997, 18(5): 395-400
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