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计算了硅中带状层错中的空位电子态，所使用的Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了ｓ－ｐ－，ｄ－型十个原子轨道．用Ｌａｎｃｚｏｓ法得到了带隙及带连续态中的电子态，局域态密度是用连续连分数来表示的．硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级．从价态顶算起，它们的能量分别为－０．３，０．３，１．７ｅＶ．价带顶之上０．３ｅＶ的带隙态同纯层错中发现的电子态相似，但局域态密度要高一些．价带顶之上１．７ｅＶ的在导带中的电子态是一个强共振态．价带顶之下０．３ｅＶ的价带中的电子态则是一个弱共振态

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．

本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．

在沸石分子筛中组装ＣｄＳｅ而形成半导体纳米团簇材料，并将组装ＣｄＳｅ后的沸石微粉制成完整的透射电镜薄膜，结合能谱测试，在透射电镜下观察所制得的材料的微观结构和形貌．结果表明在沸石中形成了尺寸单一、分布均匀的团簇材料

本文测量了各种ＩｎＰ样品中的正电子寿命谱，用正电子湮没率连续分布测量（ＣＯＮ－ＴＩＮ分析）结合ＰＡＴＦＩＴ分析正电子寿命谱，肯定了在ｎ型和半绝缘型ＩｎＰ中有Ｉｎ空位ＶＩｎ和Ｐ空位ＶＰ，而在ｐ型ＩｎＰ中只观察到Ｉｎ空位ＶＩｎ．正电子寿命的温度关系表明所观察到的ｎ型和半绝缘型中的ＶＩｎ和ＶＰ以及ｐ型ＩｎＰ中的ＶＩｎ均为电中性．改进了常规的多普勒展宽谱仪．利用这一谱仪测量了ｎ型及半绝缘型ＩｎＰ的多普勒展宽谱，结合正电子寿命测量结果，观察到在掺Ｆｅ的半绝缘型ＩｎＰ中存在ＶＰ－Ｆｅ络合物

本文建立了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的二维量子模型，这个模型是基于在ＧａＡｓ沟道中用自洽求解薛定谔方程和泊松方程．用二维数值模拟得到了ＨＥＭＴ沟道中横向电场和纵向电场的二维分布，详细研究了不同固定界面态密度对沟道中横向电场和纵向电场的影响．

本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据

本文对镓、镓－硼两种基区的３ＤＤ２０２型晶体管负阻摆幅现象进行了比较和理论分析，证明了基区表面杂质浓度分布对器件发射极－集电极电压负阻特性有较大影响．找到了改善晶体管击穿特性的具体措施

本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流模型（包括热电子和热空穴）．通过分别对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ和相应的体硅器件模拟计算得出：栅电流和实验数据符合得很好；体硅器件的注入电流和通常一样，最大值发生在Ｖｇ＝Ｖｄ／２处；然而在薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件中，由于存在着前栅、背栅的耦合作用，热载流子电流变化较为复杂．栅电流不能完全表现注入电流的变化情况．准确模拟注入电流是研究薄膜（包括中等厚膜）ＳＯＩ器件热载流子效应所

本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．

本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素

提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法，通过低压ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上利用ＧａＡｓ张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ岛状结构．

本文报道我们率先研制出的３～５．３μｍＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能．该探测器具有光伏特征，７７Ｋ温度、±７Ｖ外偏压下的５００Ｋ黑体探测率达到约１．０×１０１０ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，并且，与１→２子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外（３～５．３μｍ）波段作适当调谐．运用平面波展开法，依据样品的阱、垒结构参数，计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱１→２子带间跃迁的Ｓｔａ

Ａｓｕｃｃｅｓｉｖｅｓｃａｌｉｎｇｄｏｗｎｏｆｆｅａｔｕｒｅｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｄｉｍｅｎｓｉｏｎｈａｓｇｉｖｅｎｒｉｓｅｔｏａｓｅｒｉａｌｏｆｖａｒｉａｔｉｏｎｓｉｎｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ［１］...