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Volume 19, Issue 6, Jun 1998

    CONTENTS

  • InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质

    陈枫, 封松林, 杨锡震, 王志明, 赵谦, 温亮生

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 401

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    我们利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级.测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获势垒分别为0.48eV和0.30eV.

  • 硅的位错核心结构无悬挂键

    昝育德

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 406

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    本文应用物理学平衡状态下能量最低的基本原理,通过分析透射电镜晶格象,制作了90°、30°分位错及Coterl位错等一系列的模型,说明硅中位错核心无悬挂键

  • InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

    王红梅, 曾一平, 周宏伟, 董建荣, 潘栋, 潘量, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 413

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    本文在国内首次报道了利用InAs外延薄膜制作霍尔器件,通过分子束外延技术在GaAs衬底上生长的InAs薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性.用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与GaAs平面Hal器件相比提高了50%.

  • In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

    王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 侯洵, 曾一平

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 417

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    本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激

  • SiC纳米粉的光致发光研究

    杨修春, 韩高荣, 张孝彬, 丁子上

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 423

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    首次发现SiC纳米粉的光致发光效应,通过透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析,证明量子限制效应是β-SiC纳米粉发光的主要机理

  • 激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

    戴国瑞, 姜喜兰, 南金, 张玉书

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 427

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    采用SnCl4和O2为反应源,ArF准分子激光CVD生长SnO2薄膜,利用XRD、UVT、XPS研究了薄膜的组成和结构,实验表明SnO2薄膜属于四方晶系、金红石结构,薄膜的紫外可见光透射率大于90%,吸收边波长为355nm,禁带宽度为3.49eV。最后,对SnO2薄膜的反应机理进行了讨论

  • 提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法

    张友渝, 江泽流, 宗婉华, 王文喜, 张大立, 王民娟

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 431

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    本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Si镇流电阻法,提高了Spindt型场发射冷阴极阵列的发射均匀性

  • Fabrication and Characterization of High-Voltage Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switch

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 437

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    Photoconductivesemiconductorswitchesarecommonlyusedasjiter-free,lowinduc-tanceswitchesforpulsedpowerapplications...

  • MCT最大可关断电流的解析分析

    周宝霞, 陈治明

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 442

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    通过对MCT关断存贮期电流分布及变化的动态分析,利用电荷控制原理推导出MCT最大可关断电流的解析表达式,并且同利用通用器件模拟软件对同一器件进行的数值分析结果进行对比,验证了所得解析表达式的可靠性

  • 掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

    陈张海, 陈忠辉, 刘普霖, 石晓红, 史国良, 胡灿明, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 447

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    本文基于一个伴随LO声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型,采用MonteCarlo方法,对掺施主杂质的半导体光电导谱中与LO声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟,并与Si掺杂的GaAs及InP的实验结果作了比较.

  • VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究

    李志国, 郭伟玲, 朱红, 吉元, 程尧海, 孙英华, 张万荣

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 452

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    电徙动失效是VLSI金属化系统的主要失效形式.本文提出了一种新型TiW膜自加热结构,产生沿金属化条长方向的温度梯度.文中采用分别独立的的试验和测温金属条结构,利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布,首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系.实验结果表明,在20~35℃的温度梯度作用下,电徙动平均失效时间、空洞失效位置和电徙动电阻变化呈现新的特性

  • 一种简便有效的多孔硅后处理新方法

    熊祖洪, 刘小兵, 廖良生, 袁帅, 何钧, 周翔, 曹先安, 丁训民, 侯晓远

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 458

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    本文报道了一种简便有效的多孔硅(PS)后处理新方法,即在(NH4)2S/C2H5OH溶液中浸泡PS,并用紫外光辐照激发.后处理PS的光致发光(PL)强度约为未经处理的5倍;样品处理后的PL峰值90min内随激光连续激发时,在大气中呈现先指数衰减后线性增长,在真空(约1Pa)中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点.通过样品的傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱的测试与分析,表明后处理在样品表面产生了SiH(O3)、Si-O-Si和Si3N4三种提高PS的PL强度和稳定性的优质钝化膜

  • 8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

    张立功, 刘学彦, 蒋大鹏, 吕安德, 元金山

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 463

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    在常温下测量了ITO/8-羟基喹啉铝/Mg/Ag结构的有机结型器件的电容-电压和伏安特性.它与常见的半导体结型器件特性有很大不同.在小偏压下,界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性.在高偏压下,隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响.

  • 纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究

    王培林, 盛文斌, 杨晶琦, 徐达鸣

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 468

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    研究了在(111)Si衬底上沉积5nmPt膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性.结果表明高温短时间退火(600℃、3min)有利于形成连续的PtSi膜

  • 退火处理对氧化锌透明导电膜的结构及电学特性的影响

    马瑾, 计峰, 李淑英, 马洪磊

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 472

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    采用真空蒸发技术,以醋酸锌和氯化铝作为蒸发物质,在加热的玻璃衬底上制备出氧化锌和铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜.研究了氢气、空气和真空退火处理对制备薄膜的结构及电学性能的影响

  • 不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响

    司俊杰, 杨沁清, 王红杰, 雷红兵, 滕达, 王启明, 刘学锋, 李建民

    Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 477

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    本文对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理,研究了其在低温下的光致发光(PL)特性.发现存在一个最佳退火温度范围,使得PL谱的发光得到改善.随着退火温度的继续提高,PL谱线发生兰移,发光强度下降.认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致.辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论

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