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Volume 20, Issue 1, Jan 1999

    CONTENTS

  • 整数、分数量子霍耳效应简介

    郑厚植

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 1

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    1998年10月三位美国科学家,DanielTsui,HorstStormer和RobertLaughlin,由于发现分数量子霍耳效应所做出的杰出贡献而获得诺贝尔物理奖,这一重要事件重新引起了人们对量子霍耳效应的关注.本文力图从物理角度概要介绍整数、分数量子霍耳效应的主要物理现象和机制,诸如边缘态,Laughlin态,分数电荷、梯队结构、ν=1/2态和组合费米子等.

  • GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算

    何国敏, 王仁智, 吴正云, 郑永梅, 蔡淑惠

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 11

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    本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了(001)界面应变对GaN、AlN应变层的能带、平均键能Em和带阶参数Emv的影响.借助于带阶参数形变势的计算,预言了不同生长厚度情况下GaN/AlN应变层异质结价带带阶和导带带阶.

  • GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究

    孙玉明, 陆尔东, 徐法强, 徐世红, 余小江, 张发培, 徐彭寿, 张新夷

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 19

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    利用同步辐射光电子能谱研究了CH3CSNH2钝化的GaP(100)表面和稀土金属Gd淀积到S-GaP(100)表面的界面形成,结果表明CH3CSNH2溶液对GaP(100)表面具有钝化作用,形成了Ga和P的硫化物钝化层,对钝化表面退火,P-S键逐渐消失,而仅仅留下了Ga-S键.Gd淀积到硫钝化退火的GaP表面,P的扩散被有效地阻止,而S仍保持在界面处,Gd与表面的元素态P和二聚体Ga反应,形成金属Ga向淀积的Gd金属层扩散,导致金属Ga在表面偏析.

  • 异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究

    姚淑德, 吴名枋, 陈守元, 孙胜权, 张勇

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 25

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    本文阐述了用RBS/channeling技术研究异质外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性,报道了实验测量出的GaN及其三元合金AlGaN、InGaN膜的结构,给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度随深度的分布、结晶品质、晶轴取向等信息,测出了几种薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin值(Al0.15Ga0.85N的χmin值可低至1.17%)和沟道坑的半角宽Ψ1/2(GaN的半角宽为0.74°),对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响,本文亦有明确的说明.

  • 硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究

    叶志镇, 黄靖云, 卢焕明, 姜小波, 汪雷, 赵炳辉, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 30

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    我们利用自行研制的UHV/CVD技术在直径3英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层,并进行了实时掺杂生长.采用X射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分,利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征,研究了生长特性和材料特性.由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线,发现生长速度随Ge组分的增加而降低,以氢气为载气的B2H6对锗硅合金的生长速率有促进作用.

  • 掺杂聚苯胺有机高分子发光器件

    解士杰, 刘德胜, 魏建华, 赵俊卿

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 35

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    采用聚苯胺作阳极,MEH-PPV作发光材料,我们合成了有机高分子发光二极管器件.通过对聚苯胺的掺杂,发现器件的发光强度比未掺杂器件提高30%,起始工作电压降低25%.寿命测量还显示以聚苯胺或掺杂聚苯胺作电极的二极管器件,在给定电压下的工作寿命要比直接用导电玻璃作电极的二极管器件提高7~10倍以上.

  • 基于Sakurai模型的时延驱动Steiner树算法

    鲍海云, 洪先龙, 蔡懿慈, 乔长阁

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 41

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    时延驱动的Steiner树构造算法是时延驱动总体布线的基础.本文首先简介了求解最佳Steiner树的Dreyfus-Wagner算法.随后通过引入Sakurai时延模型,提出了直接基于Sakurai模型的提高线网时延性能的时延驱动DW算法.当集成电路工艺的特征宽度较小时,该算法求得的Steiner树中关键点的时延值,明显小于IDW和CFD算法的结果.

  • 球栅阵列(BGA)器件焊点形态成形建模与预测

    周德俭, 潘开林, 吴兆华, 陈子辰

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 47

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    本文基于最小能量原理建立了塑料球栅阵列(PBGA)焊点形态成形模型,运用有限元方法预测PBGA焊点形态,并对预测结果与其它不同模型的预测结果和实验结果进行了对比.结果表明,有限元方法预测结果与其它模型结果和实验结果吻合良好.

  • 高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象

    施卫, 梁振宪

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 53

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    本文首次报道了在临界触发条件下观察到的高倍增GaAs光电导开关中的光激发畴现象.分析了畴的产生与辐射发光在Lock-on效应中的作用.指出正是光激发畴的性质与行为决定了GaAs光电导开关高倍增工作模式的典型现象和特性.

  • 分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析

    韩培德, 杨海峰, 杨辉, 林耀望, 张泽, 李新峰, 周增圻

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 58

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    运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构.在GaN外延层中,观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶),以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列,并对面缺陷的生成机理进行了讨论

  • α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

    陈志忠, 沈波, 杨凯, 张序余, 陈浩, 陈鹏, 臧岚, 周玉刚, 郑有炓, 吴宗森, 孙晓天, 陈峰

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 62

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    本文报道了蓝宝石(α-Al2O3)衬底上GaN薄膜的瞬态光电导性质.用YAG∶Nd脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数:τ01~0.1ms和τ02~1.0ms.在相同偏压和光强下,加热样品至300℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小.实验结果说明在导带边几十meV内存在大量陷阱.对衰减曲线起始200ns取样,发现光照时光电导呈“S”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的

  • 掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光

    雷红兵, 杨沁清, 朱家廉, 王红杰, 高俊华, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 67

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    本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性.富硅氧化硅薄膜(氧含量为60%)采用PECVD方法生长,室温下离子注入铒,经过800℃,5min的退火,在10~300K温度下得到较强的波长1.54μm光致发光.发光强度随温度升高而下降,其温度猝灭激活能为14.3meV.发光谱表明富硅氧化硅中Er-O发光中心仍具有Td对称性.

  • MOCVD GaAs太阳电池的结特性

    施小忠, 夏冠群, 汪乐, 莫金玑

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 72

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    本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数.结果表明MOCVD太阳电池的效率随电池外延n型层厚度的增大而增大.暗电流随电池外延n型层厚度的增大而减小.MOCVD电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延n型层厚度的增大而增强.MOCVD电池比LPE电池所能承受的反向电流密度大.

  • AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究

    张炯, 李瑞伟, 张文良

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 79

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  • 一种新复用型模糊控制器VLSI设计

    张健, 赖宗声

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 83

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