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本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算，结果表明，ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小，随磁场Ｂ的增加而增加；诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加，但与外磁场Ｂ无关；有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加

高剂量氦离子注入和退火在硅中形成了氦微气泡（ｂｕｂｂｌｅ）和微孔（ｃａｖｉｔｙ）．我们用剖面透射电镜显示了微孔的形貌．二次离子质谱和卢瑟福背散射测试表明氦注入引起的微孔层对铜和金有明显的吸杂作用，且在１２００℃高温下吸杂仍具有稳定性．我们还与带氧沉淀的样品作了吸杂效果的比较．

本文系统地研究了用固相反应再生长法在Ｐ型ＧａＡｓ衬底上制备的Ｐｄ／Ｓｂ（Ｍｎ）薄膜的光学性质．通过对不同薄膜厚度、材料组分、退火温度和时间下的反射与透射率谱的研究表明，在近红外区存在一个较强的反射峰；当薄膜厚度为５０ｎｍ左右，退火温度在３００℃到３５０℃，钯与锑原子比为１∶１时，可以得到较大的反射和一定的透射，有可能用作垂直腔面发射半导体激光器的Ｐ型边谐振腔镜兼注入电极．

本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理．

本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求

本文详细分析了下述问题：（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数、集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响；（３）在发射结耗尽层中，除了固定电荷因素引起的电容外，发射结正常工作加正向偏压时，由于自由载流子注入引起的ＥＢ结电容．由以上物理分析可以得出器件的有关参数，并由器件的等效电路，对器件的高频特性进行分析和模拟，对影响器件高频特性的参数进行优化．

本文提出了一种特种光敏器件——光敏变容器，它不但是一种压控电容器，而且还是一种光致变容器．样管采用高阻Ｐ型硅（ρ＝１２０００Ω·ｃｍ）单晶材料制成，在激光辐射下，测出样管在光照前后的Ｃ－Ｖ特性曲线，样管的电容在光照前后有大的变化，样管与红外发光二极管对顶封装时，样管在红外光照射前后电容相对变化率可达３５．１％．而用低阻Ｐ型硅（ρ＝４Ω·ｃｍ）制成的样管，在同样条件下，电容量几乎不变，这为光电探测和光电子集成提供了新思路．

本文研究ＶＬＳＩ电路的ＮＰＩＲＡ结构及其成品率，分析间隙冗余阵列的（ｓ，８）类结构，提出最优的（ｓ，８）间隙冗余阵列的定义，同时给出了最优的（ｓ，８）间隙冗余的成品率的下界表示．

用分子束外延技术（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的．激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和ＩｎＡｓ层厚度有关．利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好．本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法．

在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性．

利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激射波长蓝移了７７．９ｎｍ．发现具有应变结构的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ，在较低的诱导因素作用下即可产生较大的量子阱混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ）效应

Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅａｒｅａｇｒｏｗｔｈ（ＳＡＧ）ｉｓａｐｏｔｅｎｔｉａｌｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｏｆｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ．Ｂｙｔａｋｉｎｇａｄｖａｎｔａｇｅｏｆｇｒｏｗｔｈｒａｔ...

Ｕｒｇｅｄｂｙｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓｉｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｉｎｄｕｓｔｒｙｔｏｗａｒｄｓｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ，ｔｈｅｌｅｖｅｌｏｆｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎｏｆｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｓ（ＩＣ...

通过大量工艺实验开发了采用低温Ｈ２－Ｏ２合成氧化方法制备薄栅氧化层的工艺技术，得到了性能优良的薄栅氧化层，对于厚度为３０ｎｍ的栅氧化层，其平均击穿电压为３０Ｖ，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度小于３．５×１０１０ｃｍ－２．该工艺现已成功地应用于薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺中．同时还开展了采用低温Ｈ２－Ｏ２薄栅氧化工艺制备的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的抗总剂量辐照特性研究，采用低温Ｈ２－Ｏ２合成氧化方法制备的ＳＯＩ器件的抗辐照特性明显优于采用常规干氧氧化方法制备的器件，Ｈ２－Ｏ２低温氧化工艺是制备抗核加固ＣＭＯＳ

在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结果与实验数据较好吻合．结果表明，直流及小信号下电路的自加热效应显著，而大信号瞬态情形由于器件的大注入引起的非线性饱和效应，使电路自加热效应引入的误差减小．该方法亦可应用于其他器件所组成的电路

红外吸收谱分析表明，聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ，ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．