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Volume 20, Issue 8, Aug 1999

    CONTENTS

  • 氮化镓缓冲层的物理性质

    刘祥林, 汪连山, 陆大成, 王晓晖, 汪度, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 633

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    用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓(GaN)缓冲层,以及在缓冲层上继续生长了GaN外延层.研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对GaN外延层的影响.提出了一个模型以解释用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果

  • 用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性

    毛祥军, 杨志坚, 李景, 屈建勤, 张国义

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 639

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    本文报道利用直流反应磁控溅射技术在Al2O3上生长一层ZnO,再用LPMOCVD在ZnO/Al2O3衬底上生长GaN.实验发现低温生长CaN过渡层有利于晶体质量的提高;PL谱主峰红移到蓝光区;二次离子质谱仪(SIMS)测量发现有Zn扩散到GaN外延层,Zn的扩散引起光致发光谱主峰移动.估算出在1050℃Zn在GaN中扩散系数是86×10-14cm2/s.

  • 直流磁控溅射制备用于G aA s M E SFET钝化的AlN的工艺研究

    曹昕, 罗晋生, 陈堂胜, 陈克金

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 644

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    室温下,用直流磁控反应溅射方法在N2/Ar混合气体中淀积了AlN薄膜,所用衬底是(100)面的半绝缘GaAs单晶片.研究了反应条件,如反应气压、反应气体配比、直流功率,对薄膜的物理性质和化学性质的影响.为了得到适于GaAsMESFET钝化的薄膜,还对反应条件进行了优化.

  • InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究

    窦红飞, 陆飞, 陈效双, 李宁, 沈学础

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 650

    Abstract PDF

    本文报道采用双光束光致发光手段研究In0.2Ga0.8As/GaAs本征样品及4种不同位置δ掺杂样品.观察到了由HeNe激光导致的激光强度随附加的第二束激发光(白光)强度变化而演变的现象.实验结果显示,未掺杂样品的光致发光增量较大;单边、双边掺杂样品的光致发光强度变化趋势一致;而阱中中心掺杂、界面掺杂样品随着白光强度的增强出现饱和趋势.应用光生载流子从表面到阱中在不同样品中的输运过程和辐射复合与非辐射复合的机制解释了上述现象

  • Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

    江宁, 臧岚, 江若琏, 朱顺明, 刘夏冰, 程雪梅, 韩平, 王荣华, 胡晓宁, 方家熊

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 656

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    本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯(C2H4)作为C源在Si(100)衬底上生长Si1xyGexCy合金薄膜的实验结果.经喇曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR)测量表明:我们成功地制备了具有一定代位式C含量的Si1xyGexCy合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的SiH4/C2H4流量比有助于提高代位式C含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中的化学反应动力学

  • InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析

    龚谦, 梁基本, 徐波, 丁鼎, 王占国, 裘晓辉, 商广义, 白春礼

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 662

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    我们利用分子束外延(MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长18个原子层的InAs,形成了纳米尺寸的InAs量子点.对InAs量子点进行原子力显微镜(AFM)测量,得到了量子点的高度和横向尺寸的统计分布以及量子点的测量形貌特征.并且对测量结果利用简单的模型进行了误差的分析

  • 大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响

    卢励吾, 张砚华, GeWeikun, W Y Ho, CharlesSurya, K Y Tongc

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 667

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    利用电流电压(IV)、电致发光(EL)和深能级瞬态傅里叶谱(DLTFS)技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态.观察到大电流(直流)冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫.DLTFS研究表明,电流冲击之前,样品存在一个位于导带下11eV处深能级(E1),它具有27×1013cm-3浓度和5×10-14cm2俘获截面.经电流冲击(77K,200mA和40min)后,E1浓度为421×1013cm-3,约增加了2倍.实验结果表明E1浓度的增加与样品IV、EL特性弛豫是一致的

  • 硅膜厚度对SOI栅控混合管性能的影响

    黄如, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 670

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    本文分析了SOI(SilicononInsulator)栅控混合管(GCHT)中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响,讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响.研究表明,与常规SOIMOS器件相比,SOI栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度,改善了深亚微米常规SOIMOS器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题,以独特的工作方式为深亚微米器件的发展提供了新思路

  • 辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应

    聂纪平, 刘忠立, 和致经, 于芳, 李国花, 张永刚

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 676

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    本文研究了制作JFET/SOS(蓝宝石上外延硅结型场效应晶体管)的方法,采用扩散形成栅极p+n浅结以及复合注入的方法形成导电沟道,在不同的工艺条件下可得到增强型和耗尽型器件.通过Co60源的γ射线辐射实验发现这种器件具有良好的抗总剂量辐射性能,在5Mrad(Si)剂量时阈值电压的变化小于01V,跨导以及漏电流的变化都很小

  • 不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能

    张正选, 罗晋生, 袁仁峰, 何宝平, 姜景和

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 682

    Abstract PDF

    对加固CMOS器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压及CMOS倒相器转换电压Vtr、开门电压Vih、关门电压Vil等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律.对实验结果进行了分析讨论

  • 深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析

    张玉才, 胡思福

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 688

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    本文提出一种能有效提高RF功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱RF功率双极晶体管,并且采用MEDICI分析软件研究了影响器件特性的一些因素:深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板.采用这种技术的功率晶体管(VHF,线性输出功率15W)的结构参数为NC=70×1015cm-3N型外延层,集电结结深XJC=03μm,未掺杂多晶硅填充深槽.典型的器件雪崩击穿电压为BVCBO=72V,截止频率16GHz;并且该晶体管具有较小的漏电流(~20μA).这初步显示了深阱结构在RF功率晶

  • 用版图自动生成器设计浮空场板

    张李, 肇基

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 694

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    本文基于CIF版图格式的数据结构,开发了一个高压功率器件的版图自动生成器,并利用该软件设计了一个具有双层浮空场板的高压功率LDMOS的版图.通过实验测试,其结果达到了预先设计600V的要求.并且在器件单元横向尺寸优化值给定的情况下,大大地缩短了功率器件的设计周期

  • 808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究

    李秉臣, 彭晔, 廖显伯

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 698

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    用电子束反应蒸发法制备的aSi∶H膜和Al2O3膜组成的aSi∶H/Al2O3膜系,解决了aSi/Al2O3膜系在808nm波长有较强光吸收问题,吸收系数从2e3cm-1降低到可以忽略的程度.aSi∶H膜的光学带隙为1.74eV左右.应用到808nm大功率量子阱激光器腔面镀膜上,其器件光电性能获得较大改善

  • 薄膜电致发光器件中电子的谷间分布

    赵辉, 王永生, 徐征

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 702

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    基于对谷间散射过程的讨论,利用MonteCarlo方法研究了ZnS型薄膜电致发光器件中电子的谷间分布.得出了谷间分布的瞬态过程、不同电场下的谷间分布.这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据.同时,本文提出了高能谷的能量存储效应

  • Monolithic Integration of D F B Laser Diode and Electroabsorption Modulator by Selective Area Grow th Technology

    Xu Guoyang(许国阳)Wang Wei(王 圩)Yan Xuejin, Zhu Hongliang(朱洪亮) Zhou Fan(周 帆) Zhang Jingyuan, Wang Xiaojie

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 706

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    Electroabsorption(EA)modulator,whichisbasedonquantumconfinedStarkeffect(QCSE)inquantumwellstructureorFranzKe..

  • Z-element's Mechanism and I-V Characteristic Simulation

    Yang Mohua, Yu Qi, Yang Peifeng, Wang Xiangzhan, Yun Zengzhong

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 710

    Abstract PDF

    ZSensitiveelementcanbeusedtonotonlydetectthetemperature,intensityofmagneticfield,ultravioletrayintensitydirect...

  • Photonic A N D Gate Based on Hybrid Integration of Ga As V C S E L and Ga As M I S S

    Kang Xuejun, Lin Shiming, Liao Qiwei, Gao Junhua, Cheng Peng, Liu Shi'an, Wang Qiming

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 717

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    Verticalcavitysurfaceemittinglaser(VCSEL)basedphotonicswitchesandphotoniclogicgatesarewellsuitedforapplicati...

  • 立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究

    赵德刚, 杨辉, 徐大鹏, 李建斌, 王玉田, 郑联喜, 李顺峰, 王启明

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 723

    Abstract PDF

    本文通过光致发光(PL)测试发现了NH3流量的大小对以GaAs(100)为衬底生长立方相AlxGa1-xN晶体性质的影响的规律,NH3流量愈少,立方相AlGaN的纯度愈高,而且,其发光峰的位置向短波长方向移动.在同一样品中,NH3气流的下游的晶体纯度高于上游,而且其发光峰的位置向短波长方向移动.选择合适的生长条件,制备出纯度较高的立方相AlxGa1-xN晶体,并对实验结果进行了简单的讨论

  • 一种新型高精度电流型排序电路

    栗国星, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 728

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    本文提出了一种结构简单而精度较高的电流型排序电路.这种电路结构较为简单,其复杂度仅为O(N),其控制电路与偏置电路也都比较简单,它具有一定的自适应性.该排序电路主要由WTA网络、触发电路以及开关电流跟踪/保持电路组成.它的分辨精度取决于WTA电路,再现精度则主要由PMOS电流镜和跟踪/保持电路决定.其分辨精度在1%之内,而其再现精度也比较高,动态范围在几微安到几百微安之间.该电路制作工艺完全与标准数字CMOS工艺兼容

  • 半导体致冷恒温浴槽

    昝育德, 李瑞云, 王俊, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(8): 733

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    本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽.该装置采用了高精度温控仪,磁耦合搅拌器以及适当的保温材料.可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在-30°~50℃之间,其精度小于005℃.它可以广泛地应用于半导体工业及其他要求高精度恒温控制的装置中

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