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Volume 21, Issue 11, Nov 2000

    CONTENTS

  • Research and Development of Electronic and Optoelectronic Materials in China

    Wang, Zhanguo

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1041

    Abstract PDF

    A review on the research and development of electronic and optoelectronic materials in China, including the main scientific activities in this field, is presented. The state\|of\|the\|arts and prospects of the electronic and optoelectronic materials in China are briefly introduced, such as those of silicon crystals, compound semiconductors, synthetic crystals,especially nonlinear optical crystals and rare\|earth permanent magnets materials, etc., with a greater emphasis on Chinese scientist's contributions...

  • Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBT Structural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

    林燕霞, 黄大定, 张秀兰, 刘金平, 李建平, 高飞, 孙殿照, 曾一平, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1050

    Abstract PDF

    In recent years Si Ge Molecular Beam Epitaxy(MBE) has attracted much attentiondue to its application in researching new elements for high performance CMOSand bipolartechnologies[1 ] . For example,Si/Si Ge/Si n-p-n HBT has been attache...

  • SOI- Based 3dB MMI Splitter

    魏红振, 余金中, 刘忠立, 张晓峰, 史伟, 房昌水

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1055

    Abstract PDF

    3 d B splitter is one of the key devices in the integrated optics. Y-branch and X-crossbranch are both the conventional structures to realize3 d B splitter,however,which aredifficultto fabricate because of the small branch angle.In re...

  • New Method for Determining Characteristic Parameters of Normal Distribution

    穆甫臣, 谭长华, 许铭真

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1060

    Abstract PDF

    Normal distribution is widely used in every fields,especially in microelectronics.Itis apopular tool in microelectronics reliability study.The characteristic parameters,μ andσ,are key to this distribution.Some estimate methods,such...

  • Low Power Design of High Speed CMOS Pulse Stream Neuron Circuit

    陈继伟, 石秉学

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1064

    Abstract PDF

    The greatinformation processing power of human being' s neural systems has attract-ed a lotof attention of those who are dedicated to the implementation of Artificial NeuralNetworks(ANNs) ,which are expected to be of the same computat...

  • Numerical Simulation of BJMOSFET on Current- Voltage Characteristics

    曾云, 金湘亮, 颜永红, 刘久玲, 成世明

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1069

    Abstract PDF

    The MOSFET is a key device in high-fequency applications,such as swithing sup-plies,because of its high input DC impedance and the majority carriers participating in thecurrent conduction.Unfortunately,owing to the limitation of the c...

  • A Novel Memory Compress Algorithm for Arbitrary Waveform Generator

    吕铁良, 仇玉林

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1075

    Abstract PDF

    Arbitrary Waveform Generators (AWG) are widely used to generate stimuli for theunder-testing devices,such as telecommunication system,magnetic storage devices andtelemetry satellite.A modern high performance AWG is typically based on...

  • β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

    董阳, 王康林, 丁训民, 来冰, 曹先安, 侯晓远

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1080

    Abstract PDF

    在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga S淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同

  • C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱

    阳生红, 李辉遒, 莫党, 陈第虎, 黄世平

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1086

    Abstract PDF

    用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较

  • 不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱

    陈晔, 张旺, 李国华, 韩和相, 汪兆平, 周伟, 王占国

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1092

    Abstract PDF

    在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 82、94和 98me V/GPa,都小于 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边的压力系数 ,特别是尺寸为 2 6nm的小量子点比 In0 .55Al0 .4 5As体材料带边小 1 7% ,并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小 .理论计算表明有效质量的增大和 Γ- X混合是量子点压力系数变小的主要原因 ,并得到横向直径为 2 6和 52 nm的小量子点的 Γ- X混合势为

  • GaAs/AlGaAs多量子阱材料差分反射光谱

    代作晓, 陆书龙, 赵明山, 李国华

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1099

    Abstract PDF

    介绍了一种新型的空间调制光谱技术—差分反射 ( DR)光谱技术 .利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 .通过与材料的 PR谱及反射光谱的一阶微商谱比较分析 ,论证了 DR光谱技术用于多量子阱量子化跃迁观测的理论可行性 ,并从实验角度证明了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱具有反射率谱对能量的一阶微商线型特征

  • α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射

    石旺舟, 梁厚蕴

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1103

    Abstract PDF

    采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 .

  • SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合

    黄晓东, 黄德修, 刘雪峰

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1107

    Abstract PDF

    对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .

  • 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征

    李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1111

    Abstract PDF

    采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .分析了位错团产生的原因

  • Simulation of Nano Si and Al Wires Growth on Si(100) Surface

    吴锋民, 黄辉, 吴自勤

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1116

    Abstract PDF

    Because of the importance in microelectronics and their unique properties,the nanosilicon wires or other nano metal wires grown on Si(1 0 0 ) surface have been extensively in-vestigated and itis now a field ofvery active research[1—...

  • 梯度Si_(1-c)Ge_c混晶太阳电池长波光谱响应及其短路电流的理论计算与分析

    李成虎, 赵玉文, 黎雪梅, 王福永, 王玉亭, 阎晓彬, 陆炜

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1122

    Abstract PDF

    提出了一种新型 Si/Si1- c Gec太阳电池结构 .对长波波段的响应区域—Si基区 Si1- c Gec梯度区光生少子分布进行了求解 .根据电流连续性原理计算了光谱响应 SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度 c对光生电流 JI的影响 .结果表明 :在一定条件下梯度区的引入使得 SR明显提高 ,但 c和梯度区厚度同时增加 ,窄能隙的复合效应显现出来 .电池结构对器件性能的影响更为显著 .当梯度区厚度 L2 远小于基区厚度 L1时 ,复合及电场的抽运使得 SR低于相同厚度 Si基区之值 .

  • A New Timing- Driven Placement Algorithm Based on Table- Lookup Delay Model

    于泓, 洪先龙, 姚波, 蔡懿慈

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1129

    Abstract PDF

    There have been extensive studies on timing-driven placement in recent years.Theapproaches toward this problem fall into two main categories:net-based and path-based.In a typical net-based one,potential critical paths and acceptable d...

  • 发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证

    石林初, 杜行尧, 吕文生, 吴毅, 吴敏

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(11): 1139

    Abstract PDF

    发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似解的新方法 .结果表明 :近似解是在 V( x) VT 的前提条件下求得的 ,仅在弱注入区和中等注入区适用 ,不能给出在强注入区和极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ;相反 ,基于精确解的理论却能给出从弱注入区到极强注入区的归一化电位和电流密度的分布函数 ,且与用 SPICE模拟得到的结果吻合 .结论是 :从整体来看 ,精确解的理论比近似解的理论描述该效应要稍好一些 ,因为前者的适用范围比后者宽 .应当强调指出 ,该效应

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