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Volume 21, Issue 6, Jun 2000

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薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)

王启元, 聂纪平, 刘忠立, 郁元桓

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 521-528

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 521.

王启元, 聂纪平, 刘忠立, 郁元桓. 薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 521..Export: BibTex EndNote

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A Monolithically Integrated 12V/5V Switch- Capacitor DC- DC Converter

耿莉, 陈治明, 刘先锋

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 529-535

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 529.

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A Novel Depletion- Mode MOS Gated Emitter Shorted Thyristor

张鹤鸣, 戴显英, 张义门, 马晓华, 林大松

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 536-541

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 536.

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离子注入硅快速退火合成Y硅化物的特性(英文)

张通和, 吴瑜光

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 542-547

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 542.

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高质量立方相InGaN的生长

李顺峰, 杨辉, 徐大鹏, 赵德刚, 孙小玲, 王玉田, 张书明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 548-553

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 548.

李顺峰, 杨辉, 徐大鹏, 赵德刚, 孙小玲, 王玉田, 张书明. 高质量立方相InGaN的生长[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 548..Export: BibTex EndNote

李顺峰, 杨辉, 徐大鹏, 赵德刚, 孙小玲, 王玉田, 张书明. 高质量立方相InGaN的生长[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 548...

GaN薄膜的微区Raman散射光谱

童玉珍, 张国义, MingS Liu, L A Bursill

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 554-558

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 554.

童玉珍, 张国义, M Liu, L A Bursill. GaN薄膜的微区Raman散射光谱[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 554..Export: BibTex EndNote

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掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应

张雷, 胡古今, 戴宁, 陈良尧

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 559-563

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 559.

张雷, 胡古今, 戴宁, 陈良尧. 掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 559..Export: BibTex EndNote

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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

于卓, 李代宗, 成步文, 黄昌俊, 雷震霖, 余金中, 王启明, 梁骏吾

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 564-569

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 564.

于卓, 李代宗, 成步文, 黄昌俊, 雷震霖, 余金中, 王启明, 梁骏吾. UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 564..Export: BibTex EndNote

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在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜

王玉霞, 温军, 郭震, 汤洪高, 黄继颇, 王连卫, 林成鲁

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 570-575

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 570.

王玉霞, 温军, 郭震, 汤洪高, 黄继颇, 王连卫, 林成鲁. 在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 570..Export: BibTex EndNote

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a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为

郭震宁, 黄永箴, 郭亨群, 李世忱, 王启明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 576-579

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 576.

郭震宁, 黄永箴, 郭亨群, 李世忱, 王启明. a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 576..Export: BibTex EndNote

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聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

刘恩峰, 熊绍珍, 赵颖, 谢伟良, 吴春亚, 周祯华, 胡景康1张文伟, 申金媛, 陈建胜, 张苑岳, 张丽珠

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 580-585

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 580.

刘恩峰, 熊绍珍, 赵颖, 谢伟良, 吴春亚, 周祯华, 胡景康1张文伟, 申金媛, 陈建胜, 张苑岳, 张丽珠. 聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 580..Export: BibTex EndNote

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填充碳纳米管/石墨的有机导电膜

李宏建, 彭景翠, 陈小华, 欧谷平

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 586-590

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 586.

李宏建, 彭景翠, 陈小华, 欧谷平. 填充碳纳米管/石墨的有机导电膜[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 586..Export: BibTex EndNote

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高速SOIMOS器件及环振电路的研制

黄如, 张兴, 孙胜, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 591-596

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 591.

黄如, 张兴, 孙胜, 王阳元. 高速SOIMOS器件及环振电路的研制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 591..Export: BibTex EndNote

黄如, 张兴, 孙胜, 王阳元. 高速SOIMOS器件及环振电路的研制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 591...

一种高速电流型CMOS数模转换器设计

徐阳, 闵昊

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 597-601

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 597.

徐阳, 闵昊. 一种高速电流型CMOS数模转换器设计[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 597..Export: BibTex EndNote

徐阳, 闵昊. 一种高速电流型CMOS数模转换器设计[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 597...

基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法

钱伟, 张进书, 贾宏勇, 林惠旺, 钱佩信

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 602-607

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 602.

钱伟, 张进书, 贾宏勇, 林惠旺, 钱佩信. 基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 602..Export: BibTex EndNote

钱伟, 张进书, 贾宏勇, 林惠旺, 钱佩信. 基于Z参数的微波晶体管高频噪声网络分析方法[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 602...

具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

张万荣, 李志国, 穆甫臣, 程尧海, 孙英华, 郭伟玲, 陈建新, 沈光地, 张玉清, 张慕义

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 608-613

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 608.

张万荣, 李志国, 穆甫臣, 程尧海, 孙英华, 郭伟玲, 陈建新, 沈光地, 张玉清, 张慕义. 具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 608..Export: BibTex EndNote

张万荣, 李志国, 穆甫臣, 程尧海, 孙英华, 郭伟玲, 陈建新, 沈光地, 张玉清, 张慕义. 具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 608...

亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术

梁京, 黄榕旭, 郑国祥, 林健, 庞海舟, 宗祥福

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 614-619

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 614.

梁京, 黄榕旭, 郑国祥, 林健, 庞海舟, 宗祥福. 亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 614..Export: BibTex EndNote

梁京, 黄榕旭, 郑国祥, 林健, 庞海舟, 宗祥福. 亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 614...

用扫描热显微镜测量亚微米尺度的局域热参数分布

谢志刚, 韩立, 董占民, 王秀凤, 陈皓明, 顾毓沁, 晋宏师

Chin. J. Semicond. 2000, 21(6): 620-624

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(6): 620.

谢志刚, 韩立, 董占民, 王秀凤, 陈皓明, 顾毓沁, 晋宏师. 用扫描热显微镜测量亚微米尺度的局域热参数分布[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 620..Export: BibTex EndNote

谢志刚, 韩立, 董占民, 王秀凤, 陈皓明, 顾毓沁, 晋宏师. 用扫描热显微镜测量亚微米尺度的局域热参数分布[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(6): 620...

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