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Volume 21, Issue 8, Aug 2000

    CONTENTS

  • Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN

    陆大成, 段树坤

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 729

    Abstract PDF

    Group - nitrides are very importantmaterials,which are applied to the fabrication ofgreen,blue and ultraviolet light emitting diodes(L EDs) and laser diodes(L Ds) [1 ] .Inx Al1 - xN alloy is a kind of promising material for Ga N- based...

  • Optoelectronic Smart Pixels Comprising Flip-Chip-Bonded GaAs/AlGaAs MQW Detectors and Modulators on Silicon CMOS Circuit

    陈弘达, 梁琨, 曾庆明, 李献杰, 陈志标, 杜云, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 735

    Abstract PDF

    A high-density and high-performance optoelectronic integrated circuit(OEIC) is ex-pected to be used in data communication in massively parallel processors of optical inter-connects and optical switching networks.The most desirable opt...

  • Analysis of Characteristic Impedance and Effective Dielectric Constant of Asymmetrical Coplanar Waveguide with Finite Dimensions

    孙伟, 何炜瑜, 张大明, 杨罕, 衣茂斌

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 739

    Abstract PDF

    Coplanar waveguide transmission lines have become quite attractive due to its applica-tion to microwave or millimeter-wave integrated circuits and devices.Calculations of char-acteristic impedance and effective dielectric constant of...

  • FAME:一个标准单元模式下基于最小割和枚举的快速详细布局算法(英文)

    姚波, 侯文婷, 洪先龙, 蔡懿慈

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 744

    Abstract PDF

    随着制造工艺的快速进步 ,超大规模集成电路的物理设计技术在速度和质量上面临很大挑战 .提出了一个快速详细布局算法以适应这种要求 .算法继承总体布局得到的单元全局最佳位置 ,然后采用局部优化将单元精确定位 .FM最小割和局部枚举方法分别用于优化 y和 x两个方向的连线长度 ,这两个方向的优化在同一迭代过程中交替进行 .另外 ,采用改进的枚举策略加速算法 ,对于有障碍和宏模块情况下的布局也加以讨论 .实例测试结果表明 ,FAME的运行速度比 RITUAL快 4倍 ,并使总连线长度平均减小 5% .

  • 软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构

    王金良, 王天民

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 754

    Abstract PDF

    用软 X射线发射光谱法对 Mn Si、Mn Si1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究 .首先在硅表面上形成了 Mn Si、Mn Si1.7单一相薄膜 ,并用 X射线衍射谱得到证实 .然后测量了这两种锰硅化物的软 X射线发射光谱 Si- Kβ发射光谱和 Si- L2 ,3发射光谱 ,Si- Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- p部分电子态密度 ,而 Si- L2 ,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- s,d部分电子态密度 .Mn Si、Mn Si1.7的 Si- L2 ,3发射光谱具有不同的形状 .这些不同形状的原因 ,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析

  • Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响

    李代宗, 成步文, 黄昌俊, 王红杰, 于卓, 张春晖, 余金中, 王启明

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 760

    Abstract PDF

    应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 .根据实测的 Raman峰位 ,估算了应力弛豫 .结果表明 :对组分渐变缓冲层结构而言 ,超晶格缓冲层中界面间应力更大 ,把位错弯曲成一个封闭的环 ,既减少了表面位错密度 ,很大程度上又释放了应力

  • 硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响

    周星飞, 施斌, 蒋伟荣, 胡冬枝, 樊永良, 龚大卫, 张翔九, 蒋最敏

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 765

    Abstract PDF

    研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .

  • 一种硅基多孔氧化铝-荧光复合发光材料

    易争平, 邹建平, 杨阳, 陈慧兰, 鲍希茂

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 770

    Abstract PDF

    制备了硅基多孔氧化铝 - 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠复合发光材料 .PL谱表明 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后 ,发光峰位相对于其在膜表面有明显蓝移 .FT- IR谱进一步确认了 3-羟基 - 2 -萘甲酸钠进入氧化铝膜孔内 .实验结果表明 ,以硅基多孔氧化铝膜为模板可以获得硅基纳米发光点

  • 纳米晶SnO_2气敏薄膜的制备与表征

    索辉, 向思清, 朱玉梅, 阮圣平, 张彤, 刘冰冰, 徐宝琨, 王立军

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 774

    Abstract PDF

    以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .

  • 用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触

    茹国平, 屈新萍, 竺士炀, 李炳宗

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 778

    Abstract PDF

    采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电压 ( C- V)测试结果进行了对比 .研究了 Ar离子轰击对超薄Pt Si/n- Si肖特基接触特性的影响 .BEEM、I- V/C- V技术对多种样品的研究结果表明 ,I- V/C- V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差 ;BEEM测试则不受影响 .随着离子轰击能量增大 ,肖特基势垒高度降低 ,且其不均匀性也越大 .用 BEEM和变温 I- V对超薄 Co Si2 /n- Si肖特基二极管的研究结果表明 ,变温 I- V测试可在一定程度上获得肖特基势垒

  • 电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论

    何进, 张兴, 黄如, 杜彩霞, 韩磊, 王新

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 786

    Abstract PDF

    通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度 ,即穿通因数 F等于4,就可使外延基区的厚度为最小 .同时 ,该耐压基区的击穿电压为最大 .运用该理论的结果 ,得出了此类应用的基区优化设计公式 ,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较 ,纠正了先前计算的不准确性 .

  • 双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性

    邵传芬, 史常忻

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 792

    Abstract PDF

    双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲线坚挺 ,反向漏电流最低为 0 .48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与 X射线的照射量呈线性关系 .该探测器在 2 4 1Am( Eα=5.48Me V) α粒子辐照下 ,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为 45%和 7% .在由 90 Sr( Eβ=2 .2 7Me V)发出的 β粒子辐照下 ,探测器有最小的电离粒子谱 .该探测器对光照也有明显的响应

  • 1×8阵列波导光栅型波分复用/解复用器设计的一种简单方法

    欧海燕, 雷红兵, 杨沁清, 余金中, 王启明, 胡雄伟

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 798

    Abstract PDF

    用有效折射率法 ,采用近轴近似和波导模场分布的高斯近似 ,简化了阵列波导光栅( AWG)器件的设计过程中繁杂的计算 ,且保证了器件的性能指标 .给出了设计思路 ,并给出了 1× 8路、中心波长为 1 550 .9nm,波长间隔为 1 .6nm的 AWG波分复用 /解复用器的设计实例

  • 一种采用定点DSP实现的1.8kbps MBE-LPC声码器

    李永明, 陈弘毅, 朱益厅

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 803

    Abstract PDF

    提出了一种结合 MBE(多带激励 )模型和 LPC(线性预测编码 )模型的 1 .8kbps声码器 .在这种声码器中 ,采用 LPC特征参数来代表语音帧的频谱 ,利用 LPC残差进行基音提取和多带清浊音判决 ,采用 MBE模型合成语音 ,并在高频浊音带的语音合成中混以清音 .在定点 Mo-torola DSP560 0 2 EVM上 ,可以在 1 .8kbps的码率下对语音进行实时的编解码处理 ,具有存储量和计算量较小的特点 .其合成语音质量超过了 LPC- 1 0 e.

  • MPEG专用IDCT处理器的优化设计

    陈旭昀, 郑金山, 周汀, 章倩苓

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 810

    Abstract PDF

    二维离散余弦逆变换 ( Inverse Discrete Cosine Transform,IDCT)是运动图象专家组( Moving Picture Expert Group,MPEG)视频解码器的重要模块之一 .提出了一种优化的二维IDCT超大规模集成电路 ( Very Large Scale Integrated Circuit,VLSI)实现结构 .利用 IDCT的矩阵乘法中固定系数的内在特点 ,采用公用表达式的方法 ,降低 IDCT实现规模 ,提高了电路的速度 .采用了 0 .6μm CMOS电路工艺 ,芯片面积约为 3.5mm× 3.5mm,速度可达 1 0 0 MHz

  • 基于可靠性及噪声约束的电源/地线优化设计

    李春辉, 范明钰, 庄昌文, 虞厥邦, 黄劲

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 816

    Abstract PDF

    电源 /地线 ( P/G)拓扑结构的优化设计是超大规模集成电路 ( VLSI)中直接影响芯片性能的一个非常重要的问题 .通过对考虑可靠性及噪声的各项约束条件的分析 ,提出了一种时间复杂度为 O( N2m)基于最小代价生成树 ( MST)和改进的 Prim算法的快速构造算法 .实验结果表明 ,该算法在满足同样的性能约束条件下能有效地减小布线面积

  • 面向VLSI版图复用技术的二维层次式压缩算法

    赵子健, 蔡懿慈, 洪先龙, 黄松珏, 刘毅, 谢民

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 822

    Abstract PDF

    面对 VLSI生产工艺的不断更新 ,利用已有的版图 ,迅速获得适应新工艺的新版图 ,已成为市场上实际的需求 .提出的基于约束图的压缩算法 ,是面向全芯片压缩的二维压缩算法 .它采用层次式压缩策略 ,“落叶池”等新的数据结构 ,在压缩过程中放松模块间的连线 ,具有自动加入拐弯的功能 .从两个例子的压缩结果 ,可以看出这是一个实用的新压缩算法

  • 大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器

    王占国, 刘峰奇, 梁基本, 徐波, 丁鼎, 龚谦, 韩勤

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 827

    Abstract PDF

    利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过 3760小时

  • 45ps的超高速全耗尽CMOS/SOI环振

    刘新宇, 孙海峰, 海潮和, 吴德馨

    Chin. J. Semicond.  2000, 21(8): 830

    Abstract PDF

    亚微米全耗尽 SOI( FDSOI) CMOS器件和电路经过工艺投片 ,取得良好的结果 ,其中工作电压为 5V时 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/ SOI1 0 1级环振的单级延迟仅为 45ps;随着硅层厚度的减薄和沟道长度的缩小 ,电路速度得以提高 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/ SOI环振比 0 .8μm部分耗尽 CMOS/ SOI环振快 30 % ,比 1 μm全耗尽 CMOS/ SOI环振速度提高 1 5% .

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