|
Issue Browser

Volume 25, Issue 3, Mar 2004

    CONTENTS

  • 无机络合溶胶-凝胶法制备多孔ZnO薄膜(英文)

    杨立荣, 靳正国, 步邵静, 程志捷

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 241

    Abstract PDF

    利用无机络合溶胶-凝胶法制备多孔Zn O薄膜,同时利用多种测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、多孔和光学性能进行了研究.XRD和SEM的测试结果表明,Zn O薄膜的晶体结构为六方纤锌矿,薄膜表面呈多孔状.由孔径分布曲线得出薄膜的孔主要集中在介孔2 .0 2 nm和4 .97nm ;5 0 0℃煅烧得到的Zn O薄膜的比表面积是2 7.5 7m2 /g;在不同温度下煅烧的薄膜在可见光区域透射率均高于85 % ,光学带宽为3.2 5 e V.

  • 双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较(英文)

    陈震, 郑英奎, 刘新宇, 和致经, 吴德馨

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 247

    Abstract PDF

    研制了Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As单平面掺杂PHEMT器件(SH - PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH- PHEMT) ,并对其特性进行了比较.由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计,DH- PHEMT能将载流子更好地限制在沟道中,得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布,这些都有利于提高器件的性能.因此,DH- PHEMT器件具有更好的线性度,在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力.这说明DH-PHEMT器件更加适用于高线性度应用的微波功率器件.

  • 一种新型的集成电路片上CMOS温度传感器(英文)

    王乃龙, 张盛, 周润德

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 252

    Abstract PDF

    介绍了一种可以用于片上温度监控的CMOS温度传感器,该传感器具有面积小、功耗低、精度高、易于实现等优点,可以比较容易地集成到芯片上实现温度监测功能.

  • 不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流(英文)

    张贺秋, 许铭真, 谭长华

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 257

    Abstract PDF

    研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0 nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.

  • 980nm氧化物限制的垂直腔面发射激光器(英文)

    渠红伟, 郭霞, 黄静, 董立闽, 廉鹏, 邓军, 朱文军, 邹德恕, 沈光地

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 262

    Abstract PDF

    采用低压金属有机化合物气相外延(L P- MOCVD) ,制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980 nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在2 8m A脉冲电流驱动下,器件的输出功率为10 .1m W,斜率效率为0 .4 6 2 m W/ m A.脉冲工作下,最高输出功率为13.1m W.室温连续工作下,输出功率为7.1m W,发射波长为974 nm ,光谱半宽为0 .6 nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流.

  • 具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能(英文)

    王永顺, 刘肃, 李思渊, 胡冬青

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 266

    Abstract PDF

    研究了具有混合型I- V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I- V特性的静电感应晶体管有实用价值.

  • 一种应用于二次布局的有效划分方法(英文)

    吕勇强, 洪先龙, 侯文婷, 吴为民, 蔡懿慈

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 272

    Abstract PDF

    提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和h METIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算法IMF-FC,用它在二次布局中做划分.与前者相比较,这种方法虽然布局质量稍差,但速度更快.

  • MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

    陆曙, 童玉珍, 陈志忠, 秦志新, 于彤军, 胡晓东, 张国义

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 279

    Abstract PDF

    利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的In Ga N样品,观察到In N相.通过X射线衍射理论,计算得到In N相在In Ga N中的含量.通过退火和变化生长条件发现In N相在In Ga N薄膜中的含量与生长时N2 载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关.进一步的分析表明In Ga N合金中出现In N相的主要原因是相分离.

  • 氮对重掺锑直拉硅中氧沉淀的影响

    余学功, 张媛, 马向阳, 杨德仁

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 284

    Abstract PDF

    通过在不同条件下退火,研究氮杂质对重掺锑硅(HSb- Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,在高温单步退火(10 0 0~115 0℃)和低高两步退火(6 5 0℃+10 5 0℃)后,掺氮HSb- Si中与氧沉淀相关的体微缺陷的密度都要远远高于一般的HSb- Si.这说明在HSb- Si中,氮能分别在高温和低温下促进氧沉淀的生成.因此,可以认为与轻掺直拉硅一样,在HSb- Si中,氮氧复合体同样能够生成,因而促进了氧沉淀的形核.实验结果还表明氮的掺入不影响HSb硅中氧沉淀的延迟行为.

  • 多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射

    陈光华, 蔡让岐, 宋雪梅, 贺德衍

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 288

    Abstract PDF

    研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(<1V/ μm) ,发射电流增大(>90 m A/ cm2 ) ,场发射性能稳定,并对这种场发射特性做出了理论解释.

  • 多晶硅薄膜压阻系数的理论研究

    刘晓为, 霍明学, 陈伟平, 王东红, 张颖

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 292

    Abstract PDF

    利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.

  • 少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性

    潘飞蹊, 黄林, 廖天康, 游志朴

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 297

    Abstract PDF

    提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构.利用普通的p+ nn+ 二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的ML D快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域.

  • CMOS器件的等时、等温退火效应

    何宝平, 龚建成, 王桂珍, 罗尹虹, 姜景和

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 302

    Abstract PDF

    研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了n MOSFET和p MOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:10 0℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过2 5℃与10 0℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0 V和浮空偏置条件,在+5 V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.

  • 载流子扩散对电荷耦合器件调制传递函数的影响

    宋敏, 张颖, 郐新凯, 郑亚茹

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 307

    Abstract PDF

    以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例,从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的CCD调制传递函数曲线,讨论了载流子扩散对传递函数的影响.利用已有的传递函数测量仪进行实验,数值模拟结果与实验结果基本吻合.

  • 钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响

    郑丽萍, 刘新宇, 袁志鹏, 孙海锋, 和致经, 吴德馨

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 312

    Abstract PDF

    采用全耗尽的In Ga P材料在基区Ga As表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.

  • 新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

    石瑞英, 刘训春, 袁志鹏, 王润梅, 孙海锋

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 316

    Abstract PDF

    利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区In Ga P/Ga As异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达10 0 ,补偿电压低至70 m V .同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性.

  • 用GaAsMMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片

    许晓丽, 张斌, 邵凯

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 321

    Abstract PDF

    介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75 m m Ga As MMIC工艺研制,芯片面积约为4 mm2 .结果表明,2 .1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9d B

  • 0.25μm GaAs基MHEMT器件

    石华芬, 刘训春, 张海英, 石瑞英, 王润梅, 汪宁, 罗明雄

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 325

    Abstract PDF

    采用普通接触曝光研制成栅长为0 .2 5 μm的Ga As基In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达4 90 m A/ mm,截止频率为75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高.对该器件工艺及结果进行了分析,提取了器件的交流小信号等效电路模型参数,并提出了进一步得到高稳定性、高性能器件的方法.

  • 碳化硅CMOS反相器的特性

    姬慧莲, 杨银堂, 郭中和, 柴常春, 李跃进

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 329

    Abstract PDF

    建立了6 H- Si C CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了Si C CMOS反相器的温度特性,结果表明,室温下沟道长度为1.5 μm的6 H- Si C CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为1.6 5 7,3.15 6和1.4 70 V,且随着温度的升高而减小.

  • 一种基于混沌的真随机源电路

    黄谆, 周涛, 白国强, 陈弘毅

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 333

    Abstract PDF

    提出了一种基于混沌的随机源电路,通过利用电容上电荷的再分配,实现了一个离散混沌系统.该电路在0 .8μm CMOS工艺下流片成功,核心面积小于4 2 0 0 μm2 ,功耗小于1m W,优于目前已有的几种实现方法.

  • 倒装芯片各向异性导电胶互连的剪切结合强度

    吴丰顺, 吴懿平, 邬博义, 陈力

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 340

    Abstract PDF

    采用冲击试验方法研究了各向异性导电胶膜(ACF)互连的玻璃和柔性基板上倒装芯片(COG和COF)的剪切结合强度.结果表明:COF比COG的剪切强度高.ACF的固化程度达85 %时有最大的结合强度.键合温度、导电颗粒状态、缺陷等因素对ACF互连的结合强度有较大影响,而键合压力的影响不大.

  • 中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法

    施小康, 于民, 石浩, 黄如, 张兴

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 346

    Abstract PDF

    在CMOS工艺超浅结形成过程中,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成.文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面.同时运用分子动力学方法对剂量效应进行了模拟,模拟结果很好地符合了实验数据.

  • 成品率驱动下基于模型的掩模版优化算法

    王旸, 蔡懿慈, 石蕊, 洪先龙

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 351

    Abstract PDF

    提出并实现了以分段分类思想为基础的掩模版优化算法,它是一种基于模型的光学邻近效应方法.该算法具有矫正精度高、灵活性强和矫正效率较高的特点,适合于版图中关键图形的矫正.实验表明,该优化算法可以实现矫正功能并且具有很好的矫正效果.

  • 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

    孙加兴, 叶甜春, 陈大鹏, 谢常青, 伊福庭

    Chin. J. Semicond.  2004, 25(3): 358

    Abstract PDF

    采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.

Search

Advanced Search >>

Issues