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Volume 26, Issue 7, Jul 2005

    CONTENTS

  • Padé近似在光子晶体模拟中的应用(英文)

    黄永箴, 陈沁, 国伟华, 于丽娟

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1281

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    为了节省时域有限差分(FDTD)法的计算时间,提出了许多将FDTD的时域结果转换到频域的方法.文中介绍了一种基于Baker算法的Padé近似,并展示了其在光子晶体模拟中的应用.对频率为160THz,品质因子为5000的简单谐振子,结果显示Padé近似用2~8时间步数据得到的强度谱比快速傅里叶变换用2~20时间步数据得到的强度谱更精确.采用这一Padé近似,光子晶体平板结构中不同波矢对应的模式频率和品质因子及其能带结构可以在很短的FDTD输出结果下得出.另外,Padé近似也用于计算光子晶体微腔的模式频率和品质因子.

  • 同一芯片上制作变周期布拉格光栅的改进全息曝光法(英文)

    谢红云, 周帆, 王宝军, 杨华, 朱洪亮, 赵玲娟, 王圩

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1287

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    提出了一种采用传统光学全息曝光技术,在同一芯片上制作不同周期的布拉格光栅的新方法.在这个简单实用的方法中,聚酰亚胺用来保护第一次做好的某一周期的光栅.这种新方法制作工艺简单,成本低,且与传统的半导体工艺兼容.

  • 一种新型抗辐照SOI隔离结构(英文)

    赵洪辰, 海潮和, 韩郑生, 钱鹤, 司红

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1291

    Abstract PDF

    制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×10~5rad(Si)的辐照后亚阈值特性未发生明显变化,漏电流也无增加,说明其抗辐照性能优于传统的LOCOS隔离结构.

  • 一种相位准确度高幅值失配度低的正交LO驱动电路(英文)

    韩书光, 池保勇, 王志华

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1295

    Abstract PDF

    提出了一种工作在1.1~1.2GHz的相位准确度高、幅值失配度低的正交LO驱动电路.它主要由高频放大器、二阶的无源多项滤波器、相位和幅度校准电路(PMCC)组成.PMCC是一种利用前馈技术实现的低功耗电路,大大提高了正交信号的正交性,降低了相邻支路信号的幅值误差.仿真结果表明,经过PMCC校准后,输出正交信号的相位误差可以降低大约一半,而幅度误差可以降低到原来的十分之一.PMCC可直接驱动混频器,无需额外的驱动电路.本设计已经用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现并进行了验证.测试结果表明本文提出的校准电路能够获得高正交性(<2°=和低幅值误差(<0.1%=的正交信号,测试的最大功率增益为5.25dB,在2.5V的电源电压下,消耗的电流约为6mA,芯片面积为1.0mm×1.0mm.

  • 一个59mW 10位40MHz流水线A/D转换器(英文)

    李建, 严杰锋, 陈俊, 张剑云, 郭亚炜, 沈泊, 汤庭鳌

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1301

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    设计了一个工作在3.0V的10位40MHz流水线A/D转换器,采用了时分复用运算放大器,低功耗的增益自举telescopic运放,低功耗动态比较器,器件尺寸逐级减小优化功耗.在40MHz的采样时钟,0.5MHz的输入信号的情况下测试,可获得8.1位有效精度,最大积分非线性为2.2LSB,最大微分非线性为0.85LSB,电路用0.25μm CMOS工艺实现,面积为1.24mm~2,功耗仅为59mW,其中同时包括为A/D转换器提供基准电压和电流的一个带隙基准源和缓冲电路.

  • 一种单芯片DVB-C解调器的VLSI实现(英文)

    田骏骅, 沈泊, 苏佳宁, 李铮, 李建, 郭亚炜, 章倩苓

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1309

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    设计了一个单芯片实现的用于DVB-C的QAM解调器.片上集成有3.3V 10位精度的40MSPS模数转换器及FEC前向纠错解码器.该芯片支持4~256QAM多种模式,最高码率达80Mbps,具有宽的载波频偏捕获范围.采用改进的算法及VLSI实现结构,性能稳定,面积优化.采用SMIC 0.25μm 1P5M混合信号CMOS工艺制造,面积为3.5mm×3.5mm,最大功耗为447mW.

  • 有限元法分析透镜形自组织生长量子点的弹性应变场分布(英文)

    刘玉敏, 俞重远, 杨红波, 黄永箴

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1317

    Abstract PDF

    利用有限元法对应变自组织生长量子点的应力应变分布进行了系统分析.给出了抽象的孤立量子点系统模型,采用有限元分析方法,利用二维和三维模型对透镜形的量子点内部及周围材料的应力应变进行了计算,计算结果可以直接应用于量子点应变场对导带和价带限制势以及载流子有效质量的影响,从而用于精确计算量子点的电子结构.

  • 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证(英文)

    张立辉, 李志刚, 康晓辉, 谢常青, 刘明

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1323

    Abstract PDF

    在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I-V特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性.此外,通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别,得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因,即求解含有时间的主方程将增加模拟精度;而且,指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素,明显偏离理论模拟的线性增加趋势.

  • 放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗(英文)

    菅洪彦, 唐珏, 唐长文, 何捷, 闵昊

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1328

    Abstract PDF

    使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.

  • 能量回收电容耦合逻辑及其综合方法(英文)

    杨骞, 周润德

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1334

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    提出了一种新型能量回收电路ERCCL(能量回收电容耦合逻辑),该电路的能耗低于传统CMOS电路及其他能量回收电路.ERCCL利用电容耦合进行逻辑求值,因此可以在一个门中低能耗地实现高扇入、高复杂度的逻辑.同时ERCCL是一种阈值逻辑.所以一个基于ERCCL的系统可以大大减少逻辑门数,从而降低系统能耗.针对ERCCL提出了一种阈值逻辑综合方法.用基准电路集MCNC做了相应的实验.与SIS的综合结果相比,该方法大约减少80%的逻辑门.

  • 基于等效电路降阶的电源/地线网络快速瞬态模拟(英文)

    蔡懿慈, 潘著, Sheldon, X, D, Tan, 洪先龙, 傅静静

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1340

    Abstract PDF

    提出了一种电源/地线网络的快速时域分析方法.本算法在每一模拟时刻,首先离散化原始电路并且利用诺顿定律简化电路,继而针对电路中的链式结构的串联支路,提出了一种无误差的等效电路的模型降阶算法,将原始电路压缩为仅由交叉节点组成的电路.然后用预条件共轭梯度法求解被压缩的电路,最后恢复求解中间节点的电压值.有效地提高了算法的分析效率,在不损失精度的情况下,比目前工业界普遍采用的SPICE软件快两个数量级.

  • 化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

    敖建平, 何青, 孙国忠, 刘芳芳, 黄磊, 李薇, 李凤岩, 孙云, 薛玉明

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1347

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    采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在10~4~10~5Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.

  • 电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响

    侯国付, 郭群超, 任慧志, 张晓丹, 薛俊明, 赵颖, 耿新华

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1353

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    在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400~500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1%.等离子体发光光谱的测试表明,网状电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同工艺条件下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度.文中对实验结果进行了详细的讨论.

  • Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射

    马通达, 屠海令, 胡广勇, 邵贝羚, 刘安生

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1359

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    运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si-SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θ-ω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.

  • 晶体管红外热像图的热谱分析方法

    朱阳军, 苗庆海, 张兴华, 卢烁今

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1364

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    使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.

  • 电容式绝对压力传感器的改进模型及温度特性分析

    刘娜, 黄庆安, 秦明, 周闵新

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1369

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    在传感器敏感膜模型的基础上对电容式绝对压力传感器提出了一种改进模型,考虑了由于温度的变化电容结构空腔中残余气体对传感器性能产生的影响.结果表明温度的改变会导致残余气体压力的改变,进而使传感器的测量产生一定的温度漂移,同时也降低了传感器的灵敏度;并由此计算了残余气体存在时,传感器测量值的温度漂移量以及灵敏度的温度系数.这对于工艺的改进以及后续电路的设计具有指导意义.

  • CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型

    陈军宁, 于峰崎, 王阳, 柯导明

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1374

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    对一种与CMOS工艺兼容的电容型湿度传感器进行了理论推导,物理建模和模拟仿真.该湿度传感器是采用梳状铝电极结构,聚酰亚胺作为感湿介质.通过分析感湿介质的介电常数吸附水分后的变化,考虑其电场分布,对电容型湿度传感器的理论模型进行了研究和模拟.利用Matlab软件对理论模型进行仿真,结果表明所建模型比通常采用的Laconte模型更符合实验结果.

  • 平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容

    李海松, 孙伟锋, 易扬波, 俞军军, 陆生礼

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1379

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    功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%.

  • SiGe HBT发射极延迟时间模型

    胡辉勇, 张鹤鸣, 戴显英, 朱永刚, 王顺祥, 王伟, 崔晓英, 王青, 王喜媛

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1384

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    在对SiGe HBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响.

  • 超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

    杨林安, 于春利, 郝跃

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1390

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    通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDD nMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si-SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si-SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.

  • 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

    段宝兴, 张波, 李肇基

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1396

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    提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2~0.8μm时可使比导通电阻降低40%~50%,耐压提高30%~50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%~50%,耐压提高10%~50%.

  • 新型SON器件的自加热效应

    吴大可, 田豫, 卜伟海, 黄如

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1401

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    分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导.

  • 改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性

    刘忠立, 李宁, 高见头, 于芳

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1406

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    利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.

  • 微热板式低气压传感器的研制

    张凤田, 唐祯安, 余隽, 金仁成, 高仁璟, 江胜峰

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1412

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    研制了一种采用CMOS工艺和表面牺牲层技术加工的微热板式低气压传感器.该微热板为四臂支撑悬空矩形板,其边长为75μm,支撑桥长为60μm,板下气隙高度为0.5μm.采用经典傅里叶传热理论分析了恒电流工作方式下气压对微热板瞬态和稳态热特性的影响,结果表明在低气压范围内微热板传热以支撑桥导热为主,气压较高时以气体导热为主,微热板加热功率随气压增加而减小;传感器的热响应时间为毫秒量级并随气压增加而减小.传感器采用恒电流工作方式时,测得其气压响应范围为1~10~5Pa,且加热功率与气压间关系的理论分析结果与实测值吻合得较好.

  • 27.5GHz 0.2μm PHEMT 1∶4静态分频器

    丁敬峰, 王志功, 杨守军, 王贵, 朱恩, 熊明珍

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1418

    Abstract PDF

    描述了一种能运用于未来光传输系统SONET OC 768的超高速1∶4静态分频器,其工作频率超过27GHz.该电路采用栅长为0.2μm,截止频率约为60GHz的砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺制作,采用共面波导作为电感实现了宽带阻抗匹配.通过采用推拉式有源跟随器,在没有增加功耗的情况下拓宽了频带.单端输入和差分信号输出的方式,为实际应用提供了便利.通过晶圆测试,在单端时钟输入的情况下,芯片的最高工作频率超过27GHz.测试所得到的波形均方根抖动小于820fs.芯片的面积是1.6mm×0.5mm,功耗为440mW.

  • 数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现

    张有涛, 夏冠群, 李拂晓, 高建峰, 杨乃彬

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1424

    Abstract PDF

    详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAs Φ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,该电路可在2GHz时钟速率下完成采样、量化,达到1.2Gbps的输出码流速率,其瞬时带宽可达150MHz,具备±0.22LSB的相位精度.

  • CMOS工艺兼容的温湿度传感器

    彭韶华, 黄庆安, 秦明, 张中平

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1428

    Abstract PDF

    设计并制备了一个CMOS工艺兼容的温湿度传感器,讨论了感湿理论模型并用COVENTOR软件进行了模拟,给出了具体的结构参数及工艺制作步骤,最后对温湿度传感器进行了测量,对理论值和实际测量值做了比较并给出了分析结果.结果表明,传感器在25℃时的灵敏度为0.015pF/%RH,从15%RH~95%RH,电容实际变化量为1.23pF.

  • CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究

    刘倜, 欧文

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1434

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    嵌入式Flash Memory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率.

  • 硅基微型直接甲醇燃料电池的研究

    王晓红, 谢克文, 姜英琪, 钟凌燕, 刘理天

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1437

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    设计了一种基于MEMS技术的硅基微型直接甲醇燃料电池(DMFC),采用流体力学软件进行了DMFC三维阳极模型的模拟,〖JP2〗利用MEMS加工技术和PDMS封装工艺实现了这种燃料电池,并在室温下对有效面积为8600μm×8600μm的电池样品进行了性能测试.测试得到该DMFC的开路输出电压为0.5V,短路工作电流密度达到78.1mA/cm2,最大输出功率密度为3.86mW/cm2.主要参数已达到了一些电子器件的要求,具有一定的实用价值.

  • 一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作

    雷啸锋, 刘泽文, 宣云, 韦嘉, 李志坚, 刘理天

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1442

    Abstract PDF

    介绍了一种K波段双桥结构的电容式RF MEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用Agilent ADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高.利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品.双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz.

  • MOEMS光开关动力学过程分析

    孙东明, 董玮, 郭文滨, 刘彩霞, 王国东, 徐宝琨, 陈维友

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1448

    Abstract PDF

    采用静电力驱动方式的MOEMS光开关,从运动机制上来说,是由静电力矩、恢复力矩、空气压膜阻尼力矩以及重力力矩等条件共同作用的结果.对于微驱动器驱动条件的研究,不能单纯地从力矩平衡的角度来分析,应从动力学出发,才能较好地描述其运动过程,得到精确的驱动条件分析结果.本文从MOEMS倾斜下电极扭臂式光开关出发,介绍了动力学分析方法的过程.通过数值求解方程,得到器件的可动部分的运动速度等方面的结果,将其在不同驱动条件下的运动状态描述出来,从而达到确定光开关静电驱动条件的目的.

  • SiO2/Si波导应力双折射数值分析

    安俊明, 班士良, 梁希侠, 李健, 郜定山, 夏君磊, 李健光, 王红杰, 胡雄伟

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1454

    Abstract PDF

    采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10~-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数.

  • 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析

    佟存柱, 韩勤, 彭红玲, 牛智川, 吴荣汉

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1459

    Abstract PDF

    含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.

  • 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应

    陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学峰, 艾尔肯

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1464

    Abstract PDF

    对几种不同类型(TTL,CMOS,JFETBi,MOSBi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区

  • HCl/HF/CrO3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备

    黄辉, 王兴妍, 任晓敏, 王琦, 黄永清, 高俊华, 马晓宇

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1469

    Abstract PDF

    利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0.28As0.6P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In0.72Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析.

  • CdZnTe材料的表面钝化新工艺

    王昆黍, 桑文斌, 闵嘉华, 腾建勇, 张奇, 夏军, 钱永彪

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1475

    Abstract PDF

    研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOHKCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KCl和NH4F/H2O2两种工艺进行了比较.AES能谱分析表明,采用二步法工艺钝化,既可获得化学计量比较好的CZT表面,又可在表面形成一层起保护作用的氧化层.I-V特性曲线显示,两步法钝化后CZT器件的漏电流与KOH KCl和NH4F/H2O2钝化相比都有一定程度的下降.说明文中提出的新工艺在CZT器件制备方面具有良好的应用前景.

  • 成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析

    刘娟, 张锦, 冯伯儒

    Chin. J. Semicond.  2005, 26(7): 1480

    Abstract PDF

    作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征.

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