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Volume 3, Issue 4, Apr 1982
CONTENTS
硅(111)面2×1重构表面和硅(100)面的电子态密度的模型计算
傅卓式
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 259-269
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硅单晶中孪生界面的结构和缺陷
许顺生, 杨传铮, 姜小龙
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 270-276
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在掺Si GaAs单晶中Ga小晶面生长区的界区结构状态的研究
蒋四南
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 277-281
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氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅退火行为的研究
王正元, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 282-289
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Pb_(1-x)Sn_xTe闭管汽相输运过程的研究
袁诗鑫, 谢钦熙, 司承才, 于梅芳
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 290-296
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氢对氢化无定形硅能隙的影响
陈治明, 陈廷杰, 孔光临, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 297-303
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热氧化二氧化硅层中氟离子的注入及其分布
徐至中, 梁励芬
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 304-311
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GaAlAs/GaAs DH激光器的自脉动特性
赵礼庆, 王启明, 张存善, 吴振球
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 312-318
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长基区晶体管的磁敏感效应
黄得星
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 319-328
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GaAs化学汽相淀积的热力学分析——Ga/AsCl_3/H_2/IG系统
陆大成
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 329-336
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硅(111)晶片外延时图形微畸变的研究
陈明琪, 杨传铮, 王广福
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 337-339
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扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性
李元恒, 张玉峰, 吴书祥, 杜永昌
Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 340-342
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