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Volume 11, Issue 1, Jan 1990
Table of Content
CONTENTS
消除边缘区效应的“三脉冲DLTS”法及对DX-中心俘获过程的测量
谢茂海, 高季林, 葛惟锟, 周洁
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 1-6
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GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性
王杏华, Reino Laiho
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 7-13
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测定离子注入单晶损伤与应变的双晶(n~v,-n~v)排列方法
李润身, H.K.Wagenfeld, J.S.Williams, Stephen Milkins, Andrew Stevenson
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 14-19
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lnP单晶特性的低温光伏研究
颜永美
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 20-27
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GaAs/GaAlAs光双稳激光器稳态及动态特性的实验研究
王启明, 吴荣汉, 赵建和, 刘文旭, 张权生
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 28-34
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双区共腔双稳激光器超短光脉冲输出特性分析
赵建和, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 35-41
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GaAs双光束耦合中的普克尔效应
王威礼, 何雪华, 让庆澜, 张合义
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 42-47
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快速热退火在硅中引入的缺陷的研究
陆昉, 陆峰, 孙恒慧, 邬建根
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 48-54
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一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型
冯向明, 阮刚
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 55-62
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双栅MOSFET高频特性的实验研究
李元雄, 张敏
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 63-67
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流体静压力下Hg_(1-x)Cd_xTe p-n结的伏安特性
李齐光, 姜山, 袁皓心, 陈泉森, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 68-71
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格中的纵光学声子模
汪兆平, 韩和相, 李国华, 陈宗圭, 钟战天
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 72-76
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远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵
赵方海, 杜国同, 张晓波, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1990, 11(1): 77-80
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