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Volume 17, Issue 4, Apr 1996
CONTENTS
P<100>Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响
李养贤,鞠玉林
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 241-244
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结区中存在量子阱结构样品的C-V特性分析
陆昉,王勤华,王建宝,蒋家禹,孙恒慧
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 245-251
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MOVPE生长Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs量子阱结构的光致发光
董建荣,陆大成,汪度,王晓晖,刘祥林,王占国
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 252-256
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X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用
林世鸣,高洪海,张春辉,吴荣汉,庄岩,王玉田
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 257-260
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β-FeSi_2/SIMOX──一种新结构的光电子材料
王连卫,沈勤我,林贤,林成鲁,邹世昌,庄志诚
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 261-264
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Co/Si和Co/SiO_2界面反应的观察
张灶利,翟启华,纪箴,肖治纲,杜国维
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 265-268
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硅中氮的电学行为的研究
佘思明,李冀东,廖平婴
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 269-274
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As多量子阱掩埋条形激光器
李世祖,张敬明,杨国文,徐遵图,何晓曦,徐俊英,肖建伟,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 275-278
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硅1.3~1.6μm电光强度调制器探索
赵策洲,刘育梁,李国正,刘恩科,高勇
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 279-282
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RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管
富力文,阎力大
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 283-288
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适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路
周宝霞,陈治明,王守觉
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 289-293
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自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术
邵凯,李炳宗,邹斯洵,黄维宁,吴卫军,房华,於伟峰,姜国宝,俞波,张敏
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 294-299
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SIMOX材料隐埋氧化层中针孔密度的表征和形成机理定性分析
竺士炀,林成鲁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 300-304
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固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~+p浅结技术研究
房华,李炳宗,吴卫军,邵凯,姜国宝,顾志光,黄维宁,刘平,周祖尧,朱剑豪
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 305-312
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真空微电子器件的栅极制造技术
朱长纯,关辉,李天英
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 313-317
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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰
夏永伟,滕学公
Chin. J. Semicond.  1996, 17(4): 318-320
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