Previous Issue
|
Next Issue
Issue Browser
Volume 20, Issue 1, Jan 1999
Table of Content
CONTENTS
整数、分数量子霍耳效应简介
郑厚植
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 1-10
Abstract PDF

GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算
何国敏, 王仁智, 吴正云, 郑永梅, 蔡淑惠
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 11-18
Abstract PDF

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究
孙玉明, 陆尔东, 徐法强, 徐世红, 余小江, 张发培, 徐彭寿, 张新夷
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 19-24
Abstract PDF

异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究
姚淑德, 吴名枋, 陈守元, 孙胜权, 张勇
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 25-29
Abstract PDF

硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究
叶志镇, 黄靖云, 卢焕明, 姜小波, 汪雷, 赵炳辉, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 30-34
Abstract PDF

掺杂聚苯胺有机高分子发光器件
解士杰, 刘德胜, 魏建华, 赵俊卿
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 35-40
Abstract PDF

基于Sakurai模型的时延驱动Steiner树算法
鲍海云, 洪先龙, 蔡懿慈, 乔长阁
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 41-46
Abstract PDF

球栅阵列(BGA)器件焊点形态成形建模与预测
周德俭, 潘开林, 吴兆华, 陈子辰
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 47-52
Abstract PDF

高倍增高压超快GaAs光电导开关中的光激发畴现象
施卫, 梁振宪
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 53-57
Abstract PDF

分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
韩培德, 杨海峰, 杨辉, 林耀望, 张泽, 李新峰, 周增圻
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 58-61
Abstract PDF

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究
陈志忠, 沈波, 杨凯, 张序余, 陈浩, 陈鹏, 臧岚, 周玉刚, 郑有炓, 吴宗森, 孙晓天, 陈峰
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 62-66
Abstract PDF

掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光
雷红兵, 杨沁清, 朱家廉, 王红杰, 高俊华, 王启明
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 67-71
Abstract PDF

MOCVD GaAs太阳电池的结特性
施小忠, 夏冠群, 汪乐, 莫金玑
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 72-78
Abstract PDF

AC热载流子应力下nMOSFET’s的退变研究
张炯, 李瑞伟, 张文良
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 79-82
Abstract PDF

一种新复用型模糊控制器VLSI设计
张健, 赖宗声
Chin. J. Semicond.  1999, 20(1): 83-88
Abstract PDF

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2