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Volume 4, Issue 4, Apr 1983
CONTENTS
半导体表面附近施主原子电离能计算
刘振鹏
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 313-320
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Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟
王守武, 郑一阳, 郗小林, 张进昌
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 321-333
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掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响
陈克铭, 王森, 陈维德, 方浦明
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 334-339
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JFET-双极高速宽带运算放大器的设计问题
易明銧
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 340-350
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10GHz CW GaAs Gunn器件振荡特性的计算机模拟
王颖娴, 李元垠, 潘国雄
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 351-360
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二维非等温的分布晶体管模型
高光渤, 吴武臣
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 361-368
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短沟道CaAs MESFET中的速度过冲效应
冯育坤
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 369-373
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硼离子注入硅的剖面分布
李国辉, 王兴民, 卢志恒, 张通和, 田淑芸
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 374-382
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用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面
史常忻, 顾为芳
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 383-388
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高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质
徐寿定, 李瑞云
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 389-394
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LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨
周伯骏, 吴让元
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 395-398
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铝-硅和金-硅的接触电势差
陆德仁
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 399-402
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Si(100)清洁表面吸附氢的功函数变化
陈炳来, 庄承群, 王迅
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 403-406
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InSb液相外延层内的两类层错
俞振中, 马可军, 金刚
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 407-409
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GD a-Si:(Cl,H)薄膜的光学性质
廖显伯, 杨喜荣, 徐学敏, 刘昌灵, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1983, 4(4): 410-414
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