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Volume 9, Issue 5, May 1988
Table of Content
CONTENTS
n沟增强型InP MISFET研究
江若琏, 郑有炓, 王仁康
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 451-458
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湿氢法开管镓扩散
林玉松, 李萍
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 459-464
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PN结电容微分量频谱
许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 465-472
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适用于亚微米沟道MO SFET的阈值电压解析模型
汤庭鳌, CarlosAraujo, 陈登元, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 473-483
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Ti/Si和Ti/O/Si界面相互作用的研究
李宝骐, 季明荣, 吴建新, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 484-489
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二硅化钨形成、结构和电性质的研究
丁训良, 王忠烈, 钱亚宏
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 490-496
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氮离子注入形成的SOI结构的研究
范缇文, 袁俊, L.M.Brown
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 497-501
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具有栅电流修正的肖特基势垒技术测量迁移率分布
相奇, 汪立椿
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 502-512
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半导体激光器调制相位不均匀效应的实验研究
潘贵生, 赵一广
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 513-516
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与GaAs中EL2能级有关的局域振动中心的模型计算
钟学富, 江德生, 葛惟锟, 宋春英
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 517-523
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Pt/Si界面化学键性质的研究
季明荣, 吴建新, 李宝骐, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 524-533
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共溅法形成钽金属硅化物出现Ta_5Si_3的研究
阎江, 马俊如
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 534-539
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一种能探测微光的硅光敏器件
何民才, 黄启俊, 陈炳若
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 540-543
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难熔金属硅化物TiSi_2对硅的接触性能研究
陈存礼, 张兴, 彭家腾
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 544-547
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太空熔体生长砷化镓单晶
周伯骏, 钟兴儒, 曹福年, 林兰英, 达道安, 吴开林, 黄良甫, 郑松辉, 谢燮
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 548-552
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微重力条件下生长GaAs单晶的电学和光学性质研究
王占国, 石志文, 徐寿定, 傅建明, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 553-558
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GaAs/AlAs超晶格中的TO声子限制模
汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生
Chin. J. Semicond.  1988, 9(5): 559-562
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