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Volume 13, Issue 1, Jan 1992
Table of Content
CONTENTS
PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质
龚大卫, 陆昉, 孙恒慧
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 1-7
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硅中与钼有关能级的研究
周洁, 卢励吾, 韩志勇, 吴汲安
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 8-13
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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究
段晓峰, 冯国光, 王玉田, 褚一鸣, 刘学锋, 盛篪, 周国良
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 14-21
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ZnSe-ZnS应变超晶格的质量鉴别
江风益, 潘传康, 范广涵, 范希武
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 22-27
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用正偏电容测量研究SBD的界面态
陈弘毅
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 28-35
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Ar~+激光结晶非晶硅膜电学性质研究
张向东, 黄信凡, 陈坤基
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 36-41
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声电输运器件的沟道特性研究
邹英寅, 凌明芳, 陈抗生
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 42-48
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SIMNI/SOI结构的高温工艺稳定性
李金华, 林成鲁, 林梓鑫, 薛才广, 邹世昌
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 49-54
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μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质
郑家贵, 冯良桓, 蔡伟, 黄天荃, 蔡亚平, 罗昭和, 周心明
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 55-61
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差值取样谱函数定理及其在研究MOS陷阱弛豫效应方面的应用
许铭真, 谭长华, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1992, 13(1): 62-65
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