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Volume 1, Issue 3, Mar 1980

    CONTENTS

  • 硅中杂质能级的理论计算

    陆栋, 陆奋

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 173

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    本文采用EHT方法计算硅原子集团中简单的替代式杂质的电子能级.研究的杂质是中性的铬、钴、镍、铜和锌原子.在所有情形集团包含71个原子.为了约简久期方程必须运用群论知识.得到的杂质能级在能隙中的位置除铜外均同买验值符合良好.

  • 非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究

    陈坤基, 何宇亮, 杜家方

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 179

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    利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄膜是无定形结构.由薄膜的红外吸收光谱指出,制得的a-Si 薄膜中含有特征的Si-H键结构. 选用金属铝、铂与未掺杂的a-Si薄膜形成肖特基势垒(M-a-Si),测其I-V特性,展示了接近理想二极管的行为.并求得它们的势垒高度分别为φ_BAl~0.60eV和中φ_BPt~0.78eV.

  • Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响

    陈光华, 王印月, 吴锦华, 甘润今, 张仿清

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 187

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    本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ~T~(-1/4),作者从电子有效负相关能的变化解释了这种现象.

  • 铒离子注入的硫化锌的退火研究

    虞家琪, F.J.Bryant

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 192

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    研究了100—700℃退火过程中铒离子注入的ZnS的光谱变化,从而分析了退火过程中发光中心的演变和缺陷的运动.

  • 椭圆偏光法研究砷离子注入硅的损伤和退火

    莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 198

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    我们用椭圆偏光法研究了As~+注入Si的损伤和退火效应.逐层测定结果表明,对150keV、10~(16)/cm~2的As~+注入,已形成非晶质层,折射率沿深度的分布图呈近似平台式.退火实验结果表明,600-700℃间有转变点,在高于此点的温度下退火,辐射损伤得到很大消除,并且表明辐射损伤比杂质砷对硅拆射率的影响大得多.高温退火后,椭圆偏振光测量结果出现一些新现象.还与背散射测量及电学测量进行了对比.本工作表明,椭圆偏光法亦是测定和研究离子注入引起的损伤的有用工具.

  • Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟

    王守武, 潘国雄, 王重云

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 204

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    本文对Gunn 器件中掺杂梯度引起的静止畴进行计算机模拟.在器件的阳极端的掺杂存在一定的递增梯度的情况下,静止畴可能有两种产生方式:当扩散系数为常数时,畴在阴极形成,朝阳极渡越,最后静止于阳极,即渡越式的静止畴;当扩散系数与电场有某种一定的依赖关系时,畴可能在阳极成核、生长并静止于阳极,即非渡越式的静止畴.两者都导致一静态负阻特性,但电流波形不同. 从计算中归纳出掺杂梯度引起的静止畴的普遍特征:a)在靠近阳极一侧边缘处的扩散速度等于或大于漂移速度的二分之一,b)畴区内电子浓度分布趋于平坦. 计算中发现,当偏置电压高达一定值时,静止畴将转变为渡越畴.分析了这种转变的原因.并得出转变电压与均匀掺杂区的杂质浓度,阳极端的掺杂梯度及阴极端的凹口大小有关.

  • 平面扩散砷化镓变容管

    田牧

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 220

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    本文根据一个旋转体模型,分析了平面型变容管的P-N结电容参数和串联电阻,得出了一些近似计算公式.成功地制成了砷化镓平面参放变容管和微波电调变容管,前者零偏压截止频率达到了400—600GHz,后者达到了120GHz,电容调谐比T_R≈4.在实际应用中,它们分别在常温参放中获得了50K的噪声温度和在三公分集成固体源调谐中得到了700MHz的电调带宽。

  • 直接从MOS结构C-t曲线计算少数载流子体产生寿命的新方法

    程文超, 黄振岗

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 228

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    本文从准平衡能带图出发,按精确的体产生宽度计算得到了MOS结构C-t瞬态响应曲线的表达式.由此可以直接从测得的C-t曲线计算出少数载流子体产生寿命.从而给出一种求体产生寿命的新方法.理论计算和实验结果相符.

  • 四毫米GaAs肖特基势垒二极管及混频器

    混频器研制组

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 234

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    考虑GaAs肖特基势垒比Si高,并且器件在一定正偏压下工作,所以参数的设计需在一定的正偏压下进行,修正了零偏压下的设计误差. 外延材料是掺硫汽相外延,浓度为2×10~(17)cm~(-3),厚度约为0.5μm.衬底材料浓度为2 ×10~(13)cm~(-3),结直径约 2—2.5μm.势垒金属 Ni采用电镀方法形成,使覆盖电容最小,工艺简单.对电镀层的沾污进行了分析和改进.势垒结工作寿命为1000小时. 二极管和混频器结合成一整体设计.研制了蜂窝触须结构混频器.设计了专门的装管、触须腐蚀微动装置,使触须具有一定压力并有较好的机械可靠性,能承受一定的冲击力.为了测试噪声系数,研制了四毫米噪声源,热噪声标准.混频管最佳变频损耗Lmin=4.7dB.在变频损耗L=6.5dB下,测试中放频率100—300MHz,混频器噪声系数的典型测试值N_F=10.7dB(单边带包括中放N_(IF)=2dB).

  • 一种新的金属膜干法刻蚀技术

    韩阶平, 吕秀英, 杨占坤, 胥兴才

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 247

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    <正> 在硅器件和集成电路生产中,广泛采用金属膜(如Al,Au等)做电接触的互连线,常规的刻蚀方法是采用化学溶液腐蚀,叫湿法.本文报道了一种新的金属膜干法刻蚀技术——气相刻蚀.图1是该技术的刻蚀反应室,整个系统由一个带有加热器的反应室和输入反应气体的装置组成.刻蚀前后的工序与常规光刻技术相似,但曝光显影后无需坚膜即可放入反应室中,在一定温度和气体流量下完成刻蚀.实验发现,通过选择输入适宜

  • 离子注入无显影刻蚀技术

    王培大, 韩阶平, 裴荣祥, 洪啸吟

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 249

    Abstract PDF

    <正> 半导体器件、集成电路制造工艺已进入微米、亚微米级的超精细加工阶段.尽管利用远紫外、电子束、软X射线作光源可大大提高曝光图形的分辨率,但是光衍射始终存在,加之电子束的“临近效应”和软X射线的“半阴影效应”,当要求分辨率进一步提高时,将可能成为不可忽略的因素.所以,近来有人提出用离子束曝光的问题.本文提出了一种“离子注入无显影刻蚀技术”展示了离子光刻的可喜前景.

  • 激光退火对硅氧化层错的抑制作用

    鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡, 陈南斗

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 251

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    <正> 激光退火可以使离子注入半导体的损伤层再结晶,从而获得完整的单晶结构,引起了人们很大的重视.是否可以采用激光退火来控制半导体单晶中的缺陷呢?已报道的结果表明,激光退火可以消除硅单晶中的位错,在某些条件下,由于应力的作用,激光辐照又会引入位错.所以,研究各种缺陷在激光退火中的表现,对了解这些缺陷的退火性质,从而进行有效的控制是重要的.

  • 光电压光谱法测定磷砷化镓外延层的组成(二)

    邱德仁, 汪乃兴

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 254

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    <正> 1975年,我们建立了光电压光谱测定磷砷化镓外延层组成的方法,报告了它的原理,实验装置及数据处理的方法.本文对实验条件作了标准化规定,改进了定标方法,从而消除了结果计算的校正值.方法的准确度和重现性可提高到△x=±0.005克分子分数.

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