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Volume 17, Issue 1, Jan 1996
Table of Content
CONTENTS
在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格
盛篪，周铁城，龚大卫，樊永良，王建宝，张翔九，王迅
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 1-5
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气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料
袁瑞霞，阎春辉，国红熙，李晓兵，朱世荣，曾一平，李灵霄，孔梅影
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 6-10
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退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响
李映雪，奚雪梅，王兆江，张兴，王阳元，林成鲁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 11-15
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偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟
王培林，邓开举，张国艳，周士仁
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 16-20
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增益开关半导体激光超短脉冲研究
贾刚，衣茂斌，孙伟，高鼎三
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 21-26
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全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究
高玉芝，张利春，尹红坤，宁宝俊
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 27-34
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注F CC4007电路的电离辐射效应
张国强，严荣良，罗来会，余学峰，任迪远，赵元富，胡浴红
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 35-40
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多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型
马平西，张利春，赵宝瑛，王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 41-50
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InP系波导和光电探测器单片集成
杨易，陈兴国，程宗权，王惠民，吕章德，蒋惠英，王晨，施惠英，吴学海，朱祖华，胡征
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 51-54
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IGBT准数值模型和模拟
弓小武，楼旭，罗晋生
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 55-59
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MBE生长Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱
叶海，陈云良，王海龙
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 60-64
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GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
李志国，赵瑞东，孙英华，吉元，程尧海，郭伟玲，王重，李学信
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 65-70
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高温退火硅单晶中氧和氮杂质性质
杨德仁，阙端麟
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 71-75
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硅基多孔β－SiC蓝光发射的稳定性
廖良生，鲍希茂，王水凤，闵乃本
Chin. J. Semicond.  1996, 17(1): 76-80
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