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Volume 18, Issue 12, Dec 1997

    CONTENTS

  • Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

    魏彦锋, 黄大鸣, 王东红, 靳彩霞, 王杰, 沈孝良

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 881

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    用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜(0≤x≤1),用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构,发现对x较小的样品,合金层为单一的(100)面闪锌矿结构,(111)面的含量可以忽略.对x≈0.5的样品,合金层中(100)和(111)面的闪锌矿结构共存,两种结构呈现不同的组分,且(111)结构的x值总是小于(100)结构.对x=1的样品,外延层呈现单一的(100)氯化钠结构.对不同结构和含量所作的定量分析表明,(111)面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从(100)面闪锌矿结构向(100)面氯化钠结构转变的中间相.

  • 碲镉汞表面氧化特性的光电子能谱研究

    李毅, 何嵩, 易新建

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 888

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    利用X射线光电子谱(XPS)对HeCdTe表面氧化特性进行了研究,对不同工艺过程中的HeCdTe表面进行了测量、分析,结果表明流镉汞表面的自身氧化与工艺密切相关,说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性.

  • SOI栅控混合管(GCHT)集电极电流的分区模型

    黄如, 王阳元, 韩汝琦

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 894

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    本文提出了栅控混合管(GCHT)集电极电流的分区模型,在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论,与以前提出的精确全区模型[10]相比,分区模型将端电流与端电压联系起来,物理意义更为清晰,在计算效率得到提高的同时,也便于快速参数提取.本模型计算结果与全区模型计算结果及实验结果吻合较好.

  • 新型真空微电子压力传感器特性研究和实验制作

    夏善红, 刘加, 陈绍凤, 韩泾鸿, 崔大付

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 901

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    本文提出并研究了新型的“台阶阴极”和“曲面阴极”真空微电子压力传感器,与普通的真空微电子压力传感器相比,新型传感器的阴极发射电流大大提高,使得输出信号易于检测,抗噪声能力增强,并在改善输出信号线性、提高灵敏度和扩展量程方面有很大优势.本文绘出了计算机模拟结果,简述了台阶阵列阴极和阳板压力敏感膜的制作,并展示了SEM照片.

  • 半导体分布反馈激光器的等效耦合系数

    陈昌华, 陈良惠, 王启明, 徐俊英

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 907

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    通过引进等效耦合系数,首次考虑了具有缓变波导和复折射率耦合DFB激光器中辐射与高阶分波耦合对等效耦合系数的影响,数值计算结果表明,对实折射率耦合DFB激光器,采用线性缓变波导能获得较大的等效耦合系数的相位,对复折射率耦合DFB激光器,即使是纯损耗耦合,等效耦合系数的相位也不等于-π/2,如果实折射率耦合与损耗耦合同时存在,则在某些情况下,等效耦合系数的相位会等于零.

  • 硅微波功率器件二次发射极镇流研究

    王因生, 林金庭, 张树丹

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 912

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    本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果.

  • 一种改进的便于实现的红外焦平面阵列不均匀性校正算法

    王瑞忠, 陈培毅, 钱佩信

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 916

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    本文提出了一种适合对光敏元的响应特性为非线性的红外焦平面阵列进行不均匀性校正的改进算法,与现有的算法相比,该法具有便于用软件和硬件实现的优点。同时,通过对改进前后的算法进行理论分析和软件模拟结果比较,证明二者的校正精度无本质差别,校正效果基本相同。

  • 高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究

    黄宜平, 李爱珍, 邹斯洵, 李金华, 竺士炀

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 921

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    本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺,并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构.采用这种FIPOS(FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon)技术在n-/n+/n-衬底上形成的SOI(SiliconOnInsulator)结构,其顶层硅岛厚度可控制在较广范围(从100nm到数μm),且硅岛宽度可大于100μm.XTEM结果显示顶层硅/氧化层界面非常平整和均匀.在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器,环振的门延迟为396ps.

  • MZOS结构的电学性质及退火效应

    亢效虎, 何山虎, 桑保生

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 926

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    本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应,并进行了X线衍射分析和电子能谱分析.发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果.

  • Crystal-Field Symmetry of LuminescenceCenter in Er-Implanted Silicon

    雷红兵, 杨沁清, 王启明, 周必忠

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 931

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    Rare-earth doping of semiconductors has been intensively investigated with a view to it sapplication in optoelectronic devices.The presence of an incompletely filled 4f shell offers the attractive possibility of induced intrashell excitations,largely independent of the s...

  • 高质量GaN材料的GSMBE生长

    王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 张剑平, 付荣辉, 朱世荣, 曾一平, 李晋闽, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 935

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    在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α-Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜.GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’;背景电子浓度最低为2.7×1018cm-3,霍尔迁移率最好为91cm2/(V·s);室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰,谱峰位于363nm处,室温谱峰半高宽最窄为8nm(75meV).

  • Si中Ge量子点的光致发光

    胡冬枝, 朱海军, 蒋最敏, 黄大鸣, 张翔九, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 939

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    生长温度500℃下,在Si(001)衬底上分子束外延自组织生长锗量子点.700℃退火20分钟后观察到其光致发光.原子力显微镜(AFM)和横截面试样透镜(XTEM)方法用于观察鼻子点的大小和密度.利用喇曼光谱观察不同温度退火引起的Ge与Si之间的互扩散.

  • 100GHz带宽的光电导探测器芯片

    王纪龙, 王云才, 徐遵图

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 942

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    本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关,在以蓝宝石为衬底的硅片(SOS)上构造了一种新型的光电探测器.非接触电光取样测量表明,它具有超过100GHz的-3dB带宽.在100fs、25pJ的脉冲激光照射下,产生的电脉冲峰值约为300mV,脉宽(FWHM)为3.3ps.

  • 形成硅多层微机械结构的“掩模-无掩模”腐蚀新技术

    李昕欣, 杨恒, 沈绍群, 鲍敏杭

    Chin. J. Semicond.  1997, 18(12): 946

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    本文介绍了一种制作硅多层微结构的体微机械加工新技术.基于KOH溶液的无掩模腐蚀特性,仅用一层掩模进行一次从有掩模到无掩模的连续腐蚀工序,可在(100)硅片上制作各种以(311)晶面为侧面且进棱沿(110)晶向的多层次立体结构,原则上层面数不受限制,各个层面的位置和深度都可由一块掩模的设计和相应的腐蚀深度确定,该技术突破了传统各向异性腐蚀的局限性,使体微机械技术的加工能力大为扩展,可望在微电子机械系统的结构制作中广泛应用.

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