|
Issue Browser

Volume 20, Issue 2, Feb 1999

    CONTENTS

  • GaN——第三代半导体的曙光

    梁春广, 张冀

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 89

    Abstract PDF

    自从蓝色GaN/GaInNLEDs研制成功之后,氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星.简要介绍了GaN的基本特性.探讨了材料的生长技术,包括衬底的选择和外延方法.最后给出了GaN基器件,如LEDs、LDs、FETs和探测器等的发展现状,同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景.

  • 用ab initio方法研究C_(28)的电子态和成键特征

    黄春晖, 李俊篯

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 100

    Abstract PDF

    本文运用abinitio自洽场方法,计算确定C28、C28C′4、C28H4和C28@C等基团的优化分子构型.在此基础上,计算各基团的总能量、能级排列、电子态分布.用结合能分析基团的稳定性,认为C28、C28C′4和C28H4是稳定的基团.通过分析成键特征与能隙的关系,发现对基团能隙值影响最大的是处于Td群角隅上的碳原子的成键状态.由C28基元构成的超金刚石结构将具有宽带半导体性质,其能隙在3eV左右

  • 碳和氮原子在氧沉淀中的作用

    刘培东, 朱爱平, 张锦心, 李立本, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 107

    Abstract PDF

    本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制,指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成碳-硅-氧、氮对-硅-氧复合体,它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心,促进氧沉淀的生成.文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核,而碳原子因条件而异,既可参与氧沉淀的成核,也可参与氧沉淀的长大.研究表明,高碳样品,在低于900℃的热处理时,碳原子参与氧沉淀的长大,可显著降低氧沉淀引起的体积应变能,促进氧沉淀的长大;高于900℃的热处理,碳原子可不参与氧沉淀的长大.但如果不经过高温预处理,由于在低温热历史中,碳原子已参与氧沉淀胚核的形成

  • 一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型

    张文良, 田立林, 杨之廉

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 113

    Abstract PDF

    本文提出了一个新的深亚微米MOSFET模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应.模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区,可以保证无穷阶连续.不仅适用于数字电路,而且可用于模拟电路的设计.模型计算的结果与实测器件的结果十分一致.

  • 半导体光放大器增益特性对四波混频波长转换效率的影响

    孙军强, 张新亮, 陈娟, 黄德修, 易河清

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 122

    Abstract PDF

    本文建立了包括增益压缩、增益波动的基于半导体光放大器四波混频波长转换的理论模型.讨论了泵浦光、信号光、转换光的增益差异以及增益压缩对波长转换的影响.结果表明,处在增益峰值的泵浦光和小的增益压缩率,有助波长转换效率的提高.

  • 带尾纤的全光型硅微谐振器

    丁纯, 王跃林, 喻浩, 王亚强, 徐义刚

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 128

    Abstract PDF

    带尾纤的全光型硅微谐振器引入了集成光学技术,具有独立的拾振光路和简单易行的拾振方式,可以完全脱离光学平台运作.对带尾纤的全光型硅微谐振器进行了实验测量及较详细的理论分析,给出了悬臂梁振子的固有谐振频率、谐振频率的总温度系数、悬臂梁对简谐激励的响应等表达式;归纳出了该谐振器具有光纤与振子间未对准误差容限较大,输出测量信号与光纤有效光学长度无关及振子谐振频率不受硅片内应力影响等特点.

  • 128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀制作

    张新宇, 易新建, 赵兴荣, 张智, 何苗

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 135

    Abstract PDF

    利用光刻及氩离子束刻蚀制作面阵硅场发射器件,采用扫描电子显微镜和表面探针等分析所制样品的表面微结构形貌,定性讨论了刻蚀用氩离子束的能量及光致抗蚀剂掩模图形的厚度变化时所制成的面阵器件的形貌变化特点.

  • 电导法测量Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱的能带偏移

    张胜坤, 蒋最敏, 秦捷, 林峰, 胡冬枝, 裴成文, 陆方

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 139

    Abstract PDF

    本文分析了一个单量子阱的随频率变化的G-V特性,提出用电导法测量量子阱的能带偏移.通过对一个Si1-xGex/Si单量子阱的实验G-V曲线的分析,验证了这一方法的可靠性

  • 硅基GaN薄膜的外延生长

    张昊翔, 叶志镇, 卢焕明, 赵炳辉, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 143

    Abstract PDF

    本文报道采用简便的真空反应法在Si(111)衬底上生长出了六方结构的GaN单晶薄膜,并对GaN薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究.SEM表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,XRD图谱上有一GaN(0002)衍射峰,其半高宽为0.5°,室温下的光致发光谱在373nm处有一个很强的发光峰,其半高宽为8nm(35.7meV).

  • 光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓

    周玉刚, 沈波, 陈志忠, 陈鹏, 张荣, 施毅, 郑有炓

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 147

    Abstract PDF

    我们用光加热低压金属有机物化学气相淀积方法在α-Al2O3衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿结构GaN.生长温度约950℃,比普通射频加热的LP-MOCVD生长温度低100℃.外延层(0002)晶面X射线摇摆曲线半高宽(FWHM)为9.8′.光致发光谱(PL)有很强的带边发射,没有观察到“黄带”发射.范德堡法霍耳测量表明样品载流子浓度为1.71×1018cm-3,霍耳迁移率为121.5cm2/(V·s).结果表明,光辐射有利于增加生长过程中NH3的分解,并有利于抑制寄生反应,从而降低生长温度,提高样品质

  • 研究与玻璃粘接的GaAs/GaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法

    米侃, 赛小锋, 侯洵

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 152

    Abstract PDF

    本文应用高分辨率多重晶多次反射X射线衍射仪(High-ResolutionMultiple-CrystalMultiple-ReflectionDifractometer,HRMCMRD)研究了粘接后的GaAs/GaAlAs/玻璃结构.利用倒易空间衍射图的方法评价粘接后的晶体质量,给出了倒易空间衍射的三维强度分布图.结果表明,粘接过程中较大的应力将使应变的非四方畸变加剧,同时生长方向的应变产生较大的变化.这都将在晶体内部产生缺陷,影响器件的光电特性.成功的粘接样品表明,应变造成摇摆曲线的半峰宽(FWHM)

  • 掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究

    王印月, 薛华, 郭永平, 甘润今, 孙燕杰, 张亚菲, 杨映虎, 陈光华

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 157

    Abstract PDF

    用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入SiO2中的碳复合膜,在室温下测到了强的可见光致发光谱(峰位在2.22eV).研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响.通过喇曼散射谱、红外透射谱和X光衍射谱的测量,对复合膜的结构进行了探讨.

  • 氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨

    马智训, 廖显伯, 何杰, 程文超, 岳国珍, 王永谦, 刁宏伟, 孔光临

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 162

    Abstract PDF

    研究了不同氧含量的a-SiOx∶H薄膜的室温光致发光,发现每一个样品的发光谱均由两个Gausian分谱组成.一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰;另一个是峰位固定在大约835nm的伴峰.结合对IR谱和微区Raman谱的分析,我们认为主峰可能与膜中的a-Si颗粒有关,而伴峰与Si过剩或氧欠缺引起的缺陷有关.

  • GaP直接电光调制特性研究

    张大明, 田小建, 张佰军, 衣茂斌

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 168

    Abstract PDF

    对淡黄色透明电光晶体GaP衬底上的共面波导进行了直接电光调制测量.获得了GaP的输入电压与电光调制输出的线性曲线和26mV·Hz-12的电压灵敏度,并与GaAs直接电光调制特性相对比,分析了GaP直接电光调制的输出特性

  • Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术

    陈峥, 汤庭鳌, 邹斯洵

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(2): 172

    Abstract PDF

    为制备A1/PZT/Pt/Ti电容,研究了采用SF6/Ar等离子体对Pb(Zr,Ti)O3及Pt/Ti底电极进行反应离子刻蚀(RIE)的技术.较系统地研究了RF功率,SF6/Ar流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对PZT及Ti进行RIE的优化工艺条件.在不同的条件下得到对PZT的刻蚀速率为2~7nm/min;采用纯Ar气体时Pt的刻蚀速率为2~6nm/min;对于Ti可用HCl及H2O2溶液进行腐蚀

Search

Advanced Search >>

Issues