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本文研究了以ＩｎＡｌＧａＡｓ作垒层的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决ＩｎＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料．同时用Ｘ光和低温光致发光（ＰＬ）谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度，而且能改善垒层ＩｎＡｌＧａＡｓ的质量．

本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明，热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．

本文报道了一种含新型载流子注入光栅的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈（ＤＦＢ）激光器．我们对该器件的掺杂与结构进行了优化，增强了载流子阻挡光栅的作用，得到了很强的增益耦合．利用ＬＰＥ和ＭＯＣＶＤ混合生长，在器件端面无镀膜的条件下获得了很高的单模成品率．

利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究．

本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下，ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时，连续波输出功率为５Ｗ，集电极转化效率为６３％，功率增益为７．４ｄＢ．

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因．通过控制ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的组分及厚度，我们获得了较高质量的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉｐ－ｎ异质结二极管材料，其反向电压为－５Ｖ时，反向漏电流密度为６．１μＡ／ｃｍ２．

本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大，说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．

本文提出了模拟二氧化硅表面的浮空场板二维电场分布的一种新方法，它基于异质结器件的模拟方法，将二氧化硅用电导率为零、介电常数为３．９的材料来模拟．借助此方法对一新结构的浮空场板进行了二维数值计算，并获得实验的初步支持．

我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同．当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态子能级降至ＥΓ１子能级和ＥΓ２子能级中间或更低能量位置时，未观察到Γ－Γ共振隧穿到Γ－Ｘ共振隧穿的转变，Ｉ－Ｖ曲线上的平台并未随压力增大而收缩，反而稍有变宽．同时，平台电流随压力增大而增加，直到与ＥΓ１－ＥΓ１共振峰电流相当．我们认为，由于垒层很薄，Γ电子隧穿通过垒层的几率很高，ＥΓ１－ＥΓ１共振峰显著高于ＥΓ１－Ｅｘ１共振峰，因此，高场畴区内的输运机

本文介绍了一种可以实用的侧墙式ＧａＡｓ量子线及其列阵结构．沿〔０１－１〕方向腐蚀条形的（３１１）Ａ衬底上，分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成．用光栅刻蚀方法，制备了横向周期为１μｍ、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵．阴极荧光谱研究表明：在５Ｋ下，发光主要来自量子线区域，在两侧的量子阱区域只有很弱的发光峰；认为低温下载流子主要束缚在量子线区域，在量子阱区域也有少量载流子被外延层涨落产生的局域态所束缚．随温度升高到８５Ｋ以上直至室温下，只能观察到来自量子线区域的发光峰．这是由于束缚在量子阱局域

本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向，电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上，用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜，然后将其作为阳极，浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中，在直流恒压４０Ｖ、恒温０℃条件下进行电化学氧化处理．处理结束后，分别用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察，结果表明，在硅片上形成了一层厚约７００ｎｍ，孔间距５０ｎｍ，孔径１７ｎｍ，局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵．这种纳米多孔列阵可用作制

Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓｓｉｌｉｃｏｎｄｉｒｅｃｔｂｏｎｄｉｎｇ（ＳＤＢ）ｈａｓｂｅｅｎｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｄａｓａｐｒｏｍｉｓｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＭＥＭＳ（ｍｉｃｒｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｍａｃｈｉｎｅ－ｓｙ...

本文展示了我国首根太空砷化镓单晶所具有的火炬头状单晶并有８个小平面的表面形貌．在石英容器设计中考虑了既能经受大的加速度又可避免容器和砷化镓锭条因热膨胀系数不同可能引起的损坏，还介绍了熔区建立后防止熔体和容器内壁接触的办法．考虑到供电仅限于９０ｍｉｎ，所设计的温控曲线非常好，使空间生长ＧａＡｓ单晶获得成功．

利用一种我们新近提出的ＭＢＥ自组织ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射．与测得的光致发光（ＰＬ）谱对照，发现激射峰位与量子点的ＰＬ谱峰位基本吻合．不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点．在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的１／３（６０ｍＡ∶２００ｍＡ），我们给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法．

本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．

本文提出用电流脉冲法在Ｓｉ（１１１）－７×７表面进行单原子操纵，用恒电流扫描的方法在Ｓｉ（１１１）－７×７表面形成纳米级沟槽结构．通过分析Ｓｉ（１１１）－７×７表面的原子结构模型指出，当线扫描的方向平行于Ｓｉ（１１１）－７×７表面的基矢方向，并且原子操纵后形成的沟槽的边界处于基矢方向上原子空位的连线时，所得到的沟槽才具有原子级平直的边界．这是在Ｓｉ（１１１）－７×７表面可能得到的最稳定的人造原子级结构，并在实验中实现了这种结构．本文对原子操纵的机理也进行了分析．

运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息，为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段．对近场光谱中各发光峰的强度随注入电流（电压）变化曲线的研究结果揭示出ＧａＮ蓝光二极管的能带中的施主能级，在ＧａＮ蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用．

本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明，室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后，掺杂膜的电导接近，但仍要高于本征膜的电导率，说明仍有少量的氢留在薄膜中．

基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元．本文介绍一种简单的ＭＯＢＩＬＥ电路结构，给出了适合于ＰＳＰＩＣＥ模拟的模型，并根据模拟结果分析了共振隧穿二极管电容的充放电过程，同时讨论了ＭＯＢＩＬＥ电路工作的内部物理过程．