Issue Browser
Volume 18, Issue 11, Nov 1997
CONTENTS
半导体材料γ-Fe_2O_3超细粉的制备与改性
陶善文, 刘杏芹, 沈瑜生
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 801-805
Abstract PDF

GaAs中由磁场引起的与Si施主有关的高亚稳态
陈张海, 陈忠辉, 刘普霖, 史国良, 胡灿明, 石晓红, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 806-810
Abstract PDF

掺氧非晶硅的正电子寿命研究
史志强, 刘克源, 王学恩, 刘兴胜, 杨子强
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 811-813
Abstract PDF

半导体多晶薄膜的瞬态光电导
杨文库, 杨宇晶, 杨韬, 邓文荣
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 814-819
Abstract PDF

Si~+注入热生长SiO_2的光致发光激发谱与光电子能谱
宋海智, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 820-824
Abstract PDF

电迁徙参数—电流密度因子电流斜坡测试法
李志国, 孙英华, 邓燕, 张炜, 程尧海, 郭伟玲, 张万荣
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 825-831
Abstract PDF

(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究
陈定钦, 邢益荣, 李国华, 朱勤生, 曹作萍, 张广泽, 肖君, 吴汲安, 钟战天
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 832-835
Abstract PDF

刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
颜学进, 张权生, 石志文, 杜云, 祝亚芹, 罗丽萍, 朱家廉, 吴荣汉, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 836-839
Abstract PDF

使用金刚石膜热沉的半导体激光器特性研究
顾长志, 金曾孙, 吕宪义, 邹广田, 屠玉珍, 方祖捷
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 840-843
Abstract PDF

一种新的MOS器件亚阈区表面势分析方法
陈之昀, 刘晓卫, 卫建林, 谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 844-848
Abstract PDF

深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型
张文良, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 849-854
Abstract PDF

适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究
黄如, 张兴, 李映雪, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 855-860
Abstract PDF

环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究
赵宏卫, 汪琛, 黄仲平, 蔡勇, 王保平, 童林夙
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 861-866
Abstract PDF

用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究
王晓晖, 刘祥林, 江度, 陆大成
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 867-871
Abstract PDF

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率
华文玉, 陈存礼
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 872-876
Abstract PDF

计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型
张文良, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  1997, 18(11): 877-880
Abstract PDF