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Volume 10, Issue 2, Feb 1989
Table of Content
CONTENTS
掺In半绝缘GaAs衬底上外延GaAs的晶格失配研究
杨保华, 王玉田, 李成基, 何宏家, 王占国, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 81-85
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MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究
姜力, 吴苍生, 王玉田, 高维宾
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 86-92
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等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移
刘晓, 江炳熙, 林秀华, 廖远琰, 袁路娃
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 93-99
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GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结界面二维空穴的量子输运特性
周海平, 郑厚植, 杨富华, 曾一平, 苏爱民
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 100-107
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梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计
郑东, 王良臣, 方浦明
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 108-116
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VLSI中双层多晶硅结构的剖面研究
徐秋霞, 冯淑敏, 周锁京
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 117-123
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二氧化锡材料气敏机理的研究
张维新, 柳连俊
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 124-131
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氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究
梁中宁, 莫党, 卢殿通
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 132-140
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一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件
徐鸿达, 王森, 赵柏儒, 袁彩文, 李林
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 141-142
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1.5μm InGaAsP/InP P型衬底隐埋新月型(PBC)结构激光器
彭怀德, 马朝华, 汪孝杰, 张盛廉, 吕卉, 王丽明, 武淑珍, 马骁宇, 张洪琴
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 143-145
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磁场对反应离子刻蚀速率影响的研究
金钟元, 韩阶平, 马俊如
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 146-147
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单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制
张永刚, 富小妹, 潘慧珍
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 148-152
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与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的光学常数计算
徐至中
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 153-157
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一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法
汤玉生, 蒋建飞
Chin. J. Semicond.  1989, 10(2): 158-160
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