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Volume 15, Issue 4, Apr 1994
CONTENTS
GaAs-Ga1-xAlxAs异质结附近类氢杂质束缚能及其受像势的影响
李树深,袁伟,刘建军,孔小均
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 223-228
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利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜
邢益荣
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 229-234
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Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜
刘平,李炳宗,孙臻,顾志光,黄维宁,周祖尧,倪如山
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 235-242
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InP系量子阱相位调制器的理论设计
陈建新,邬祥生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 243-247
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p- 型多孔硅的拉曼光谱与结构特征
王昕,何国山,张树霖,刁鹏,李经建,蔡生民
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 248-254
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GaAs微微秒光导开关的研究
潘家齐,吕福云,袁树忠,李晓民,庄婉如
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 255-260
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γ辐照的半绝缘GaAs:Cr的电子顺磁共振研究
傅济时,朱美栋,毛晋昌,吴恩,秦国刚,魏根栓,张钰华,王永鸿,马碧春
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 261-263
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热壁MOCVD Hg1-xCdxTe中的Hg蒸汽压和分配比
丁永庆,彭瑞伍,韦光宇,陈记安,李贤春,张玉平,刘克岳,赵振香
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 264-267
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MOCVD过程中回流现象的数值模拟
张佳文,高鸿楷,张济康,杨永
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 268-272
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一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究
顾长志,孙良彦,张彤,文珂
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 273-276
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MOS结构低温负偏压温度不稳定性
陆德仁,朱德光
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 277-284
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稀土Er离子注入InP的退火及发光特性
章蓓,陈孔军,王舒民,丁晓民,虞丽生,郑婉华,徐俊英,李仪
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 285-288
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用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质
钱毅,郑婉华,郑联喜,张霞,胡雄伟,陈良惠,王启明
Chin. J. Semicond.  1994, 15(4): 289-294
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