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Volume 15, Issue 3, Mar 1994
CONTENTS
(Pt及其硅化物)/硅界面的深能级研究
丁孙安,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 149-155
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生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x的价带电子能带结构
徐至中
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 156-162
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GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化
刘振先,李国华,韩和相,汪兆平
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 163-170
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Cd1-xMnxTe/CdTe多量子阱的光反射研究
章灵军,单伟,姜山,沈学础
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 171-179
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适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型
黄骁虎,阮刚
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 180-187
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高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器
钟战天,周小川,杜全钢,周鼎新,吴荣汉,王森,李承芳,於美云,徐俊英,朱勤生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 188-193
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ICB方法生长CdTe单晶薄膜的研究
冯嘉猷,张芳伟,范玉殿,李恒德
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 194-198
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多量子阱光波导中非线性TE波的有限元解
赵安平,于荣金
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 199-203
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利用电子束掺杂技术制备微米、亚微米P-MOSFET器件
李秀琼,海潮和,杨军
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 204-207
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CdSe/ZnTe超晶格微观界面模的多声子喇曼光谱研究
侯永田,金鹰,张树霖,李杰,袁诗鑫
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 208-212
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SiGe/Si量子阱结构材料的激子发光谱
黄大鸣,杨敏,盛篪,卢学坤,龚大卫,张翔九,王迅
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 213-216
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Determination of Interstitial Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon by Combination of Neutron Irradiation and FTIR
Ma Zhenyu, Wang Qiyuan, Zan Yude, Cai Tianhai, Yu Yuanhuan, Lin Lanying
Chin. J. Semicond.  1994, 15(3): 217-222
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