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Volume 21, Issue 2, Feb 2000
CONTENTS
A Quasi-Therm odynam ic Model of MOVPE of InGaN
陆大成, 段树坤
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 105-114
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Arrayed-Waveguide Layout for AWG Design
欧海燕, 雷红兵, 杨沁清, 王启明, 胡雄伟
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 115-119
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纳米结构器件材料结构参数的新测试方法
薛舫时
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 120-126
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硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析
吴晓华, 鲍希茂, 李宁生, 廖良生, 郑祥钦
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 127-131
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有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光
顾沂, 吴兴龙, 唐宁, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 132-136
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MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究
公延宁, 莫金玑, 余海生, 夏冠群
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 137-141
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用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管
刘学锋, 李晋闽, 孔梅影, 黄大定, 李建平, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 142-145
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薄栅氧化层击穿特性的实验研究
刘红侠, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 146-150
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MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正
孙自敏, 刘理天, 李志坚
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 151-155
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0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制
张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 156-160
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薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析
李文宏, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 161-168
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电子辐照下的SiC少子寿命退化模型
尚也淳, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 169-173
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CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析
贺朝会, 李国政, 罗晋生, 刘恩科
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 174-178
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偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响
范隆, 张国强, 严荣良, 艾尔肯, 任迪远
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 179-183
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有机多层白光发光二极管
谢志元, 李传南, 黄劲松, 肖步文, 冯晶, 刘式墉, 李艳芹, 王悦, 沈家骢, 侯鸣波
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 184-187
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半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器
许国阳, 颜学进, 朱洪亮, 段俐宏, 周帆, 田慧良, 白云霞, 王圩
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 188-191
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基于神经网络方法的半导体生产工艺优化
王向东, 陈咏梅, 王守觉, 石林初
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 192-196
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用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究
屈新萍, 茹国平, 刘建海, 房华, 徐鸿涛, 李炳宗
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 197-203
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SMT焊点形态成形和焊点可靠性CAD
周德俭, 潘开林, 刘常康
Chin. J. Semicond.  2000, 21(2): 204-208
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