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Volume 6, Issue 3, Mar 1985

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SOI结构中的薄体效应

王守武, 夏永伟, 孔令坤, 张冬萱

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 225-235

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 225.

王守武, 夏永伟, 孔令坤, 张冬萱. SOI结构中的薄体效应[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 225..Export: BibTex EndNote

王守武, 夏永伟, 孔令坤, 张冬萱. SOI结构中的薄体效应[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 225...

硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱

李志坚, 周海平, 马鑫荣

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 236-244

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 236.

李志坚, 周海平, 马鑫荣. 硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 236..Export: BibTex EndNote

李志坚, 周海平, 马鑫荣. 硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 236...

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

高季林, 吴荣汉, 李照银, 高淑芬

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 245-249

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 245.

高季林, 吴荣汉, 李照银, 高淑芬. (Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 245..Export: BibTex EndNote

高季林, 吴荣汉, 李照银, 高淑芬. (Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 245...

可调恒流管温度特性的研究

吕品桢, 单郑生, 汤子康

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 250-256

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 250.

吕品桢, 单郑生, 汤子康. 可调恒流管温度特性的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 250..Export: BibTex EndNote

吕品桢, 单郑生, 汤子康. 可调恒流管温度特性的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 250...

GaAs表面化学组分变化对肖特基二极管性能的影响

陈克铭, 王森, 仇兰华, 陈维德

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 257-267

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 257.

陈克铭, 王森, 仇兰华, 陈维德. GaAs表面化学组分变化对肖特基二极管性能的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 257..Export: BibTex EndNote

陈克铭, 王森, 仇兰华, 陈维德. GaAs表面化学组分变化对肖特基二极管性能的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 257...

微处理器测试图案产生方法研究

李云岗, 林雨

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 268-274

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 268.

李云岗, 林雨. 微处理器测试图案产生方法研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 268..Export: BibTex EndNote

李云岗, 林雨. 微处理器测试图案产生方法研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 268...

分段压缩平面共腔条形激光器

杜国同, 肖建伟, 高鼎三

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 275-280

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 275.

杜国同, 肖建伟, 高鼎三. 分段压缩平面共腔条形激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 275..Export: BibTex EndNote

杜国同, 肖建伟, 高鼎三. 分段压缩平面共腔条形激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 275...

GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴

郑一阳

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 281-288

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 281.

郑一阳. GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 281..Export: BibTex EndNote

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n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究

姚秀琛, 元民华, 秦国刚, 丁墨元, 施益和, 钱思敏

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 289-297

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 289.

姚秀琛, 元民华, 秦国刚, 丁墨元, 施益和, 钱思敏. n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 289..Export: BibTex EndNote

姚秀琛, 元民华, 秦国刚, 丁墨元, 施益和, 钱思敏. n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 289...

半经验CNDO自洽场分子轨道法在共价半导体研究中的应用

吴汲安

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 298-303

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 298.

吴汲安. 半经验CNDO自洽场分子轨道法在共价半导体研究中的应用[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 298..Export: BibTex EndNote

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关于半导体激光器中光子密度的速率方程

王守武, 王仲明

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 304-306

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 304.

王守武, 王仲明. 关于半导体激光器中光子密度的速率方程[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 304..Export: BibTex EndNote

王守武, 王仲明. 关于半导体激光器中光子密度的速率方程[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 304...

贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定

潘士宏, Nathan Newman, T.Kendelewicz, W.G.Petro

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 307-310

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 307.

潘士宏, N Newman, T.Kendelewicz, W.G.Petro. 贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 307..Export: BibTex EndNote

潘士宏, N Newman, T.Kendelewicz, W.G.Petro. 贵金属与GaAs(110)界面上费米能级位置的测定[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 307...

In_(1-x)Ga_xAs液相外延片组分一致性的控制方法

彭少近, 卢文宏, 郑国宪

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 311-316

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 311.

彭少近, 卢文宏, 郑国宪. In_(1-x)Ga_xAs液相外延片组分一致性的控制方法[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 311..Export: BibTex EndNote

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单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系

吴仲墀, 赵有源, 高如芳, 钱佑华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 317-319

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 317.

吴仲墀, 赵有源, 高如芳, 钱佑华. 单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 317..Export: BibTex EndNote

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Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系

潘姬, 齐建华, 赵鸿麟, 汪一沙, 王春亮

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 320-322

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 320.

潘姬, 齐建华, 赵鸿麟, 汪一沙, 王春亮. Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 320..Export: BibTex EndNote

潘姬, 齐建华, 赵鸿麟, 汪一沙, 王春亮. Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 320...

高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响

张仿清, 张南屏, 余光明, 汤训虎, 陈光华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 323-325

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 323.

张仿清, 张南屏, 余光明, 汤训虎, 陈光华. 高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 323..Export: BibTex EndNote

张仿清, 张南屏, 余光明, 汤训虎, 陈光华. 高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H薄膜晶化特性的影响[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 323...

气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量

吕惠云, 武锦华, 尹恩华, 刘昌灵, 孔光临

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 326-328

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 326.

吕惠云, 武锦华, 尹恩华, 刘昌灵, 孔光临. 气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 326..Export: BibTex EndNote

吕惠云, 武锦华, 尹恩华, 刘昌灵, 孔光临. 气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 326...

硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源

张一心, 程美乔

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 329-332

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 329.

张一心, 程美乔. 硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 329..Export: BibTex EndNote

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Ni_3Si的键合及电子结构

徐永年, 徐建华

Chin. J. Semicond. 1985, 6(3): 333-338

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1985, 6(3): 333.

徐永年, 徐建华. Ni_3Si的键合及电子结构[J]. Chin. J. Semicond., 1985, 6(3): 333..Export: BibTex EndNote

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