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Volume 9, Issue 3, Mar 1988
CONTENTS
氢离子敏场效应晶体管工作机理及其界面电势差温度特性的探讨
王贵华, 虞惇, 王跃林
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 225-234
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pH-ISFET温度特性分析及其温度补偿方法的研究
王贵华, 虞惇, 王跃林
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 235-243
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VLSI成品率统计中的缺陷成团效应及统计参数与面积的关系
张钟宣, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 244-254
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高压半导体器件电场的二维数值分析
陈星弼, 李肇基, 蒋旭
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 255-261
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GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究
高大超, 冯禹臣, 袁佑荣
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 262-268
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二维离子注入的改进模型及数值模拟
徐晨曦, 阮刚, 王建伟
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 269-277
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用真空紫外光直接光CVD法进行a-Si膜的快速生长
杜开瑛
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 278-282
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砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定
崔仙航, 徐学敏
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 283-287
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溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布
郑里平, 崔福斋
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 288-293
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磁敏MOS器件数值模拟及设计优化
何野, 魏同立, 沈克强
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 294-299
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矩形弱吸收介质波导光学特性的微分增量法分析
马春生, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 300-304
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InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术
郑育红, 缪育博, 田慧良, 姒元宬, 张静媛
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 305-307
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用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层
颜本达, 史常忻, 忻尚衡, 周文英
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 308-311
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掺氮区熔硅单晶深能级的研究
栾洪发, 梁骏吾, 邓礼生, 郑红军, 黄大定
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 312-314
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InSb带间法拉第转角的振荡现象
王威礼
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 315-317
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Al-Si接触的快速热退火
陈存礼, 彭辉, 李联珠
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 318-320
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非晶半导体多层调制结构的喇曼研究
程光煦, 张杏奎, 陈坤基
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 321-324
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等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格
王玉玲, 张青
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 325-327
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InGaAs中Be离子注入的研究
张永刚, 富小妹, 潘慧珍, 陈如意, 张荟星
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 328-331
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Monte Carlo微粒模拟法研究GaAs的NDM
赵鸿麟
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 332-334
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一次液相外延的阶梯衬底内条形激光器
杜国同, 马骁宇, 邹峥, 高鼎三
Chin. J. Semicond.  1988, 9(3): 335-337
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