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Volume 16, Issue 12, Dec 1995
CONTENTS
强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究
柴燕杰,张汉一,周炳琨
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 885-889
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SIPOS障的结构织成
谭凌,雷沛云,梁骏吾
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 890-896
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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究
牛智川,周增圻,林耀望,李朝勇
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 897-900
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ZnMgSSe/GaAs薄膜的分子束外延生长及其特性研究
诸长生,俞根才,陈良尧,王杰,王迅
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 901-904
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锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
王勤华,陆昉,龚大卫,王建宝,孙恒慧
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 905-908
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~(60)CO-γ辐照感生Si/SiO_2慢界面态及其对高频C-V测试的影响
高文钰,严荣良,任迪远
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 909-912
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纳米硅薄膜的电致发光和光致发光
余明斌,李雪梅,何宇亮,徐士杰,刘剑,罗晋生,魏希文,郑厚植,戌霭伦
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 913-916
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纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究
万明芳,魏希文,李建军,邹赫麟,袁凯华,何宇亮
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 917-920
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硅微结构加速度传感器空气阻尼的研究
陈宏,鲍敏杭
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 921-927
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SOI定向耦合器研制
赵策洲,李国正,刘恩科,刘西钉,高勇
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 928-931
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砷化镓ASIC电路实用库的研究
杨国洪,范恒,王碧娟,夏冠群,章洪深,甘骏人,姚林声,凌雷
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 932-936
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光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响
康寿万,董玉和,庄婉如
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 937-941
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嵌于多孔硅的C_(60)的光致发光
阎锋,鲍希茂,吴晓薇,陈慧兰
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 942-946
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多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射
林军,姚光庆,段家,秦国刚
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 947-950
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室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器
刘颖,杜国同,姜秀英,刘素平,张晓波,赵永生,高鼎三,林世鸣,康学军,高洪海,高俊华,王红杰
Chin. J. Semicond.  1995, 16(12): 951-954
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