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Volume 19, Issue 10, Oct 1998
Table of Content
CONTENTS
信息高科技领域中的半导体光电子学
王启明
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 721-728
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五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算
徐自亮, 徐万劲, 李力, 杨澄清, 刘弘度
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 729-735
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半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析
韩培德, 杨海峰, 张泽, 段树坤, 滕学公
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 736-739
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富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究
马书懿, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华, 吴正龙, 姚光庆, 孟祥提
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 740-744
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Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究
戴国瑞, 何秀丽, 王宗昌, 南金
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 745-751
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有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性
赵俊卿, 马瑾, 李淑英, 马洪磊
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 752-755
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深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型
汪红梅, 奚雪梅, 张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 756-763
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Si/Si_(1-x)Ge_x应变层异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真研究
郭宝增
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 765-772
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MOS器件鸟咀区非本征电容研究
戚盛勇, 俞权, 彭军
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 773-776
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超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系
冯文修, 陈蒲生, 黄世平
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 777-783
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含F栅介质的击穿特性研究
张国强, 郭旗, 余学锋, 任迪远, 严荣良
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 784-787
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GaAs/AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡
武建青, 江德生, 孙宝权
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 788-792
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1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器
陈博, 王圩, 张静媛, 汪孝杰, 周帆, 朱洪亮, 边静, 马朝华
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 793-797
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准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
张进书, 钱伟, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 王于辉, 孙同乐, 王庆海, 高颖, 梁春广, 冯明宪, 林其渊
Chin. J. Semicond.  1998, 19(10): 798-800
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