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Volume 19, Issue 6, Jun 1998
Table of Content
CONTENTS
InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质
陈枫, 封松林, 杨锡震, 王志明, 赵谦, 温亮生
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 401-405
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硅的位错核心结构无悬挂键
昝育德
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 406-412
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InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究
王红梅, 曾一平, 周宏伟, 董建荣, 潘栋, 潘量, 孔梅影
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 413-416
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In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化
王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 侯洵, 曾一平
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 417-422
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SiC纳米粉的光致发光研究
杨修春, 韩高荣, 张孝彬, 丁子上
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 423-426
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激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究
戴国瑞, 姜喜兰, 南金, 张玉书
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 427-430
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提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
张友渝, 江泽流, 宗婉华, 王文喜, 张大立, 王民娟
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 431-436
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Fabrication and Characterization of High-Voltage Ultra-Fast GaAs Photoconductive Switch
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 437-441
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MCT最大可关断电流的解析分析
周宝霞, 陈治明
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 442-446
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掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟
陈张海, 陈忠辉, 刘普霖, 石晓红, 史国良, 胡灿明, 沈学础
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 447-451
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VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究
李志国, 郭伟玲, 朱红, 吉元, 程尧海, 孙英华, 张万荣
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 452-457
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一种简便有效的多孔硅后处理新方法
熊祖洪, 刘小兵, 廖良生, 袁帅, 何钧, 周翔, 曹先安, 丁训民, 侯晓远
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 458-462
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8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究
张立功, 刘学彦, 蒋大鹏, 吕安德, 元金山
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 463-467
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纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究
王培林, 盛文斌, 杨晶琦, 徐达鸣
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 468-471
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退火处理对氧化锌透明导电膜的结构及电学特性的影响
马瑾, 计峰, 李淑英, 马洪磊
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 472-476
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不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响
司俊杰, 杨沁清, 王红杰, 雷红兵, 滕达, 王启明, 刘学锋, 李建民
Chin. J. Semicond.  1998, 19(6): 477-480
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