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Volume 7, Issue 2, Feb 1986
Table of Content
CONTENTS
硅中负电态和中性态A中心在<100>单轴应力下的择优取向
姚秀琛, 牟建勋, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 113-119
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一种用于HMOS-SRAM的触发器高灵敏读出放大器
张钟宣, 杨肇敏, 张明宝, 徐葭生
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 120-127
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单模增益波导半导体激光器的锁模自脉动
郭长志, 陆锋
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 128-135
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单腔双接触结构激光器双稳特性研究
王守武, 王启明, 林世鸣
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 136-146
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GaAs/GaAlAs pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性
王守武, 吴荣汉, 张权生, 洪坚, 李照银
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 147-153
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InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_0的贡献
郭长志, 刘要武
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 154-163
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在GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs超晶格中的浅杂质态
马德录, 刘振鹏
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 164-173
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电离施主的振动电流对半无限的第I类半导体超晶格内表面电子集体激发模式的修正
秦国毅
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 174-182
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Si(111)面氟吸附的研究
唐少平, 蒋平, 张开明
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 183-189
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Insb表面损伤层的光谱特性和损伤层厚度的测量
张春平, 张光寅, 常甲辰, 商美茹, 孙迺寅
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 190-195
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MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应
钟战天, 陈宗圭, 邢益荣, 孙殿照, 沈光地
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 196-201
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一个用于固体电子学实验研究的计算机实时控制测量系统
白光, 李名复, 吴孝慎
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 202-208
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硼、砷双注入载流子浓度分布的测量及计算机模拟
马谊, 李国辉, 张通和, 黄敞
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 209-213
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Monte Carlo法研究短沟道MOS晶体管V_T的敏感度
赵鸿麟
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 214-215
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分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气
江丕桓, 李月霞, 杨富华, 王杏华
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 216-218
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含N金刚石晶格畸变的量子化学研究
孙仁安, 田玉尧
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 219-221
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Ga_xIn_(1-x)P/GaAs(100)液相外延界面缺陷的透射电镜观察
陈杰, 梁静国, 虞丽生, 刘宏勋
Chin. J. Semicond.  1986, 7(2): 222-226
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