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Volume 9, Issue 3, Mar 1988

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氢离子敏场效应晶体管工作机理及其界面电势差温度特性的探讨

王贵华, 虞惇, 王跃林

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 225-234

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 225.

王贵华, 虞惇, 王跃林. 氢离子敏场效应晶体管工作机理及其界面电势差温度特性的探讨[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 225..Export: BibTex EndNote

王贵华, 虞惇, 王跃林. 氢离子敏场效应晶体管工作机理及其界面电势差温度特性的探讨[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 225...

pH-ISFET温度特性分析及其温度补偿方法的研究

王贵华, 虞惇, 王跃林

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 235-243

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 235.

王贵华, 虞惇, 王跃林. pH-ISFET温度特性分析及其温度补偿方法的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 235..Export: BibTex EndNote

王贵华, 虞惇, 王跃林. pH-ISFET温度特性分析及其温度补偿方法的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 235...

VLSI成品率统计中的缺陷成团效应及统计参数与面积的关系

张钟宣, 李志坚

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 244-254

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 244.

张钟宣, 李志坚. VLSI成品率统计中的缺陷成团效应及统计参数与面积的关系[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 244..Export: BibTex EndNote

张钟宣, 李志坚. VLSI成品率统计中的缺陷成团效应及统计参数与面积的关系[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 244...

高压半导体器件电场的二维数值分析

陈星弼, 李肇基, 蒋旭

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 255-261

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 255.

陈星弼, 李肇基, 蒋旭. 高压半导体器件电场的二维数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 255..Export: BibTex EndNote

陈星弼, 李肇基, 蒋旭. 高压半导体器件电场的二维数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 255...

GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

高大超, 冯禹臣, 袁佑荣

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 262-268

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 262.

高大超, 冯禹臣, 袁佑荣. GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 262..Export: BibTex EndNote

高大超, 冯禹臣, 袁佑荣. GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 262...

二维离子注入的改进模型及数值模拟

徐晨曦, 阮刚, 王建伟

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 269-277

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 269.

徐晨曦, 阮刚, 王建伟. 二维离子注入的改进模型及数值模拟[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 269..Export: BibTex EndNote

徐晨曦, 阮刚, 王建伟. 二维离子注入的改进模型及数值模拟[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 269...

用真空紫外光直接光CVD法进行a-Si膜的快速生长

杜开瑛

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 278-282

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 278.

杜开瑛. 用真空紫外光直接光CVD法进行a-Si膜的快速生长[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 278..Export: BibTex EndNote

杜开瑛. 用真空紫外光直接光CVD法进行a-Si膜的快速生长[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 278...

砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定

崔仙航, 徐学敏

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 283-287

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 283.

崔仙航, 徐学敏. 砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 283..Export: BibTex EndNote

崔仙航, 徐学敏. 砷化镓、锑化铟中痕量碲的无火焰原子吸收分光光度法测定[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 283...

溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布

郑里平, 崔福斋

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 288-293

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 288.

郑里平, 崔福斋. 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 288..Export: BibTex EndNote

郑里平, 崔福斋. 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 288...

磁敏MOS器件数值模拟及设计优化

何野, 魏同立, 沈克强

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 294-299

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 294.

何野, 魏同立, 沈克强. 磁敏MOS器件数值模拟及设计优化[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 294..Export: BibTex EndNote

何野, 魏同立, 沈克强. 磁敏MOS器件数值模拟及设计优化[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 294...

矩形弱吸收介质波导光学特性的微分增量法分析

马春生, 刘式墉

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 300-304

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 300.

马春生, 刘式墉. 矩形弱吸收介质波导光学特性的微分增量法分析[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 300..Export: BibTex EndNote

马春生, 刘式墉. 矩形弱吸收介质波导光学特性的微分增量法分析[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 300...

InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术

郑育红, 缪育博, 田慧良, 姒元宬, 张静媛

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 305-307

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 305.

郑育红, 缪育博, 田慧良, 姒元宬, 张静媛. InP和InGaAsP晶体上衍射光栅的刻制技术[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 305..Export: BibTex EndNote

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用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层

颜本达, 史常忻, 忻尚衡, 周文英

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 308-311

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 308.

颜本达, 史常忻, 忻尚衡, 周文英. 用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 308..Export: BibTex EndNote

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掺氮区熔硅单晶深能级的研究

栾洪发, 梁骏吾, 邓礼生, 郑红军, 黄大定

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 312-314

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 312.

栾洪发, 梁骏吾, 邓礼生, 郑红军, 黄大定. 掺氮区熔硅单晶深能级的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 312..Export: BibTex EndNote

栾洪发, 梁骏吾, 邓礼生, 郑红军, 黄大定. 掺氮区熔硅单晶深能级的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 312...

InSb带间法拉第转角的振荡现象

王威礼

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 315-317

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 315.

王威礼. InSb带间法拉第转角的振荡现象[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 315..Export: BibTex EndNote

王威礼. InSb带间法拉第转角的振荡现象[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 315...

Al-Si接触的快速热退火

陈存礼, 彭辉, 李联珠

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 318-320

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 318.

陈存礼, 彭辉, 李联珠. Al-Si接触的快速热退火[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 318..Export: BibTex EndNote

陈存礼, 彭辉, 李联珠. Al-Si接触的快速热退火[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 318...

非晶半导体多层调制结构的喇曼研究

程光煦, 张杏奎, 陈坤基

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 321-324

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 321.

程光煦, 张杏奎, 陈坤基. 非晶半导体多层调制结构的喇曼研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 321..Export: BibTex EndNote

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等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格

王玉玲, 张青

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 325-327

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 325.

王玉玲, 张青. 等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 325..Export: BibTex EndNote

王玉玲, 张青. 等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 325...

InGaAs中Be离子注入的研究

张永刚, 富小妹, 潘慧珍, 陈如意, 张荟星

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 328-331

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 328.

张永刚, 富小妹, 潘慧珍, 陈如意, 张荟星. InGaAs中Be离子注入的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 328..Export: BibTex EndNote

张永刚, 富小妹, 潘慧珍, 陈如意, 张荟星. InGaAs中Be离子注入的研究[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 328...

Monte Carlo微粒模拟法研究GaAs的NDM

赵鸿麟

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 332-334

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 332.

赵鸿麟. Monte Carlo微粒模拟法研究GaAs的NDM[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 332..Export: BibTex EndNote

赵鸿麟. Monte Carlo微粒模拟法研究GaAs的NDM[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 332...

一次液相外延的阶梯衬底内条形激光器

杜国同, 马骁宇, 邹峥, 高鼎三

Chin. J. Semicond. 1988, 9(3): 335-337

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 1988, 9(3): 335.

杜国同, 马骁宇, 邹峥, 高鼎三. 一次液相外延的阶梯衬底内条形激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 335..Export: BibTex EndNote

杜国同, 马骁宇, 邹峥, 高鼎三. 一次液相外延的阶梯衬底内条形激光器[J]. Chin. J. Semicond., 1988, 9(3): 335...

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