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Volume 13, Issue 12, Dec 1992
Table of Content
CONTENTS
几种适用于VLSI离子注入新工艺的模型研究,
牛国富, 阮刚
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 721-728
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含Co半磁半导体中铁杂质的红外吸收光谱
朱景兵, 陆卫, 刘普霖, 史国良, 刘卫军, 沈学础, W.Giriat
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 729-735
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用数值法分析TF-SOI-MOS管沟道区的电势分布
汤庭鳌, 郑大卫, 黄宜平, C.A.Paz de Araujo
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 736-741
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BiCMOS比较器宏单元
杨肇敏, 乌力吉, 徐葭生
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 742-749
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H在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面特性的影响
徐国定, 张涛
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 750-755
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快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究
曹子祥, 黄永宏, 王思杰, 陈怀溥
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 756-762
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显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀
陈诺夫
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 763-766
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Pb/Si(001)系统界面反应的ELS研究
赵汝光, 贾金峰, 杨威生
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 767-772
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多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光
王健, 蒋红兵, 王文澄, 郑家骠, 张甫龙, 郝平海, 侯晓远, 王迅
Chin. J. Semicond.  1992, 13(12): 773-776
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