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Volume 18, Issue 1, Jan 1997
Table of Content
CONTENTS
在硅微尖上生长金刚石膜的研究
元光, 金亿鑫, 金长春, 宋航, 张宝林, 宁永强, 蒋红, 周天明, 李树伟
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 1-3
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表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
王小军, 刘伟, 胡雄伟, 庄婉如, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 4-9
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Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性
杨沁清, 钱毅, 董文甫, 王启明, 崔堑, 黄绮, 周钧铭
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 10-15
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应变CdTe/Cd_(0.633)Mn_(0.367)Te单量子阱结构的光致发光谱
沈文忠, 沈学础, 常勇, 唐文国
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 16-21
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极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究
朱红卫, 史常忻, 陈益新, 李同宁
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 22-26
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新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制
李学宁, 李肇基, 吴世勇, 唐茂成
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 27-31
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功率MOSFET反向特性的分析模拟
周宝霞, 陈治明, 王守觉
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 32-35
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薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟
张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 36-41
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低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟
肖志雄, 魏同立
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 42-49
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Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究
梁励芬, 董树忠, 顾志光, 李炳宗
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 50-53
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不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响
蒋美萍, 李金华, 黄宜平, 林成鲁
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 54-57
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H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用
赵颖, 熊绍珍, 孟志国, 代永平, 周祯华, 姚伦, 张建军, 孙钟林, 徐温元
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 58-60
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Preparation of Ampoules With B_2O_3 Coating on GaAs Surface for Space Experiments
周伯骏, E Jensen, A Gallucci, R Abbaschian
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 61-63
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用气相色谱法测定半导体工艺中固、液、气相砷、磷及化合物的新方法
闻瑞梅
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 64-69
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固体C_(60)/n型GaAs接触电学性质
陈开茅, 张亚雄, 秦国刚, 金泗轩, 吴克, 李传义, 顾镇南, 周锡煌
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 70-75
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GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化
曹先安, 陈溪滢, 李喆深, 苏润洲, 丁训民, 侯晓远, 钱峰, 姚晓峨, 陈效建
Chin. J. Semicond.  1997, 18(1): 76-80
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